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在现有的一台蒸发镀膜机基础上,设计加工了一个双热舟化学气相沉积系统.该系统具有真空度高、升温速度快、源和衬底温度可分别控制等优点,有利于化合物半导体纳米材料的生长.利用该生长系统,通过在生长过程中掺入等电子杂质In作为表面活性剂,分别在Si衬底和3C-SiC/Si衬底上生长出高质量的具有纤锌矿结构的单晶GaN纳米线和纳米尖三棱锥.所得产物通过场发射扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、能量色散x射线谱仪、x射线衍射仪,和荧光谱仪进行表征.这里所用的生长方法新颖,生长出的GaN纳米尖三棱锥在场发射和激光方面有潜在的应用价值.
关键词:
GaN
纳米结构
透射电子显微镜
光致荧光谱 相似文献
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采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
关键词:
Mg掺杂InGaN
高空穴浓度
光致发光
金属有机物化学气相沉积 相似文献
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以2,5-二羟基对苯二甲酸(H4-DHBDC)、1,4-双咪唑苯(BIB)为有机配体,Cd(NO3)2·4H2O为金属盐,采用溶剂热法在水/DMF溶剂体系中合成了一例Cd(Ⅱ)有机骨架化合物[Cd2(H2-DHBDC)2(BIB)2]n(CCDC:1471258),其结构和性能经红外光谱仪(FT-IR)、单晶X-射线衍射仪(SCXRD)、粉末衍射仪(PXRD)、元素分析(EA)、热重分析仪(TGA)和荧光分光光度计(FS)表征。结果表明:化合物属三斜晶系,P-1空间群。Cd^2+与H2DHBDC2-通过配位键形成了二维层状结构,进一步通过BIB双氮辅助配体形成了三维网络结构;化合物的骨架在364℃时开始坍塌,热稳定性较好;激发波长为376 nm时,化合物在发射波长500 nm处具有良好的光致发光性能。 相似文献
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