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1.
We clarify the effect of the stress in GaN templates on the subsequent AIlnGaN deposition by simply growing 150nm AIInGaN on a 30μm GaN template (sample 1) prepared by hydride vapor phase epitaxy and a 2.3μm thin control GaN template (sample 2) prepared by metalorganic chemical vapor deposition. X-ray diffraction and secondary iron mass spectroscopy measurements reveal the stress states (tensile stress and full relaxed for samples 1 and 2, respectively) and compositions (Al0.169In0.01 Ga0.821N, Al0.171In0.006 Ga0.823N for samples 1 and 2, respectively) of AlInGaN. By carefully eliminating other possible factor, as template surface roughness, it is concluded that different stress states of AlInGaN should stem from different stress states of GaN templates.  相似文献   
2.
采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN (0≤x≤0.3)外延材料样品. 对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究. 研究发现:在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaN:Mg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaN:Mg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置. 关键词: Mg掺杂InGaN 高空穴浓度 光致发光 金属有机物化学气相沉积  相似文献   
3.
p型氮化镓的低温生长及发光二极管器件的研究   总被引:6,自引:0,他引:6       下载免费PDF全文
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870—980℃)生长p型氮化镓 (p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高 ;在900—980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p- GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的 p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高 ,但正向电压只是略有升高. 关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 氮化镓 发光二极管 金属有机物化学气相淀积  相似文献   
4.
紫外光通信在激光雷达、战术通信、航空航天内部安全通讯和片上集成通信等领域有着重要应用前景。传统的紫外光通信LED光源的调制带宽窄、输出光功率低和制造工艺复杂等缺点限制了它在长距离、高速率通信和片上集成通信领域的广泛应用。实验表明,增加单个器件发光面积可提升光输出功率,但增加的器件电容对带宽提升是不利的,因此紫外光通信LED未来的重要研究方向是提升并优化带宽的同时增加器件的光功率密度。UVC Micro-LED器件有着光提取效率高、时间常数小、载流子寿命短、调制速率快及工作电流密度高等出色性能,因此在通讯领域受到科研界和工业界的广泛青睐。本文总结了紫外LED、特别是UVC MicroLED的相关研究进展,并重点介绍了它们在光通信及其片上集成互联方面的应用。研究发现,对UVC MicroLED及其阵列制备与性能提升加强研究,是未来提升自由空间和片上互联紫外通信系统性能的最佳解决方案之一。  相似文献   
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