| 射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究 |
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| 引用本文： | 王玉恒,马 瑾,计 峰,余旭浒,张锡健,马洪磊.射频磁控溅射法制备SnO2:Sb薄膜的结构和光致发光性质研究[J].物理学报,2005,54(4):1731-1735. |
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| 作者姓名： | 王玉恒 马 瑾 计 峰 余旭浒 张锡健 马洪磊 |
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| 作者单位： | 山东大学物理与微电子学院， 济南 250100;山东大学物理与微电子学院， 济南 250100;山东大学物理与微电子学院， 济南 250100;山东大学物理与微电子学院， 济南 250100;山东大学物理与微电子学院， 济南 250100;山东大学物理与微电子学院， 济南 250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金（批准号：90401004）和教育部科学技术研究重点项目(批准号：02165)资助的课题. |
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| 摘 要： | 采用射频磁控溅射法在玻璃衬底上制备出锑掺杂的氧化锡（SnO22:Sb）薄膜.制 备薄膜是具有纯氧化锡四方金红石结构的多晶膜薄，晶粒生长的择优取向为［110］.室温下光致发光测量结果表明，在392nm附近存在强的紫外-紫光发射.研究了不同氧分压对薄膜结构及发光性质的影响，并对SnO22:Sb的光致发光机制进行了探索性研究.
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| 关 键 词： | SnO22:Sb薄膜， 结构特征， 光致发光， 射频磁控溅射 |
| 文章编号： | 1000-3290/2005/54(04)/1731-05 |
| 修稿时间： | 9/2/2004 12:00:00 AM |
Structural and photoluminescence characters of SnO22:Sb thin films pr epared by rf magnetron sputtering |
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| Wang Yu-Heng,Ma Jin,Ji Feng,Yu Xu-Hu,Zhang Xi-Jian and Ma Hong-Lei.Structural and photoluminescence characters of SnO22:Sb thin films pr epared by rf magnetron sputtering[J].Acta Physica Sinica,2005,54(4):1731-1735. |
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| Authors: | Wang Yu-Heng Ma Jin Ji Feng Yu Xu-Hu Zhang Xi-Jian and Ma Hong-Lei |
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| Abstract: | SnO 2:Sb films have been prepared on glass substrates by rf magnetron sputtering method. The prepared samples are polycrystalline thin films with rutile structure of pure SnO 2 and have orientation of 110] direction. The photoluminescence of the samples was measured at room temperature. An ultraviolet-violet luminescence peak near 392nm was observed. The effect of different oxygen partial pressures on the structure and luminescence was investigated, and the luminescent mechanism was also tentatively investigated. |
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| Keywords: | SnO22:Sb thin films structural character photoluminesce nce rf magnetron sputtering method |
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