全文获取类型
收费全文 | 602篇 |
免费 | 566篇 |
国内免费 | 154篇 |
专业分类
化学 | 67篇 |
晶体学 | 20篇 |
力学 | 89篇 |
综合类 | 9篇 |
数学 | 115篇 |
物理学 | 1022篇 |
出版年
2024年 | 2篇 |
2023年 | 14篇 |
2022年 | 19篇 |
2021年 | 17篇 |
2020年 | 18篇 |
2019年 | 13篇 |
2018年 | 16篇 |
2017年 | 15篇 |
2016年 | 29篇 |
2015年 | 32篇 |
2014年 | 72篇 |
2013年 | 54篇 |
2012年 | 51篇 |
2011年 | 62篇 |
2010年 | 73篇 |
2009年 | 51篇 |
2008年 | 87篇 |
2007年 | 54篇 |
2006年 | 62篇 |
2005年 | 84篇 |
2004年 | 63篇 |
2003年 | 57篇 |
2002年 | 55篇 |
2001年 | 36篇 |
2000年 | 31篇 |
1999年 | 32篇 |
1998年 | 25篇 |
1997年 | 30篇 |
1996年 | 38篇 |
1995年 | 29篇 |
1994年 | 18篇 |
1993年 | 17篇 |
1992年 | 14篇 |
1991年 | 20篇 |
1990年 | 12篇 |
1989年 | 14篇 |
1988年 | 3篇 |
1987年 | 2篇 |
1985年 | 1篇 |
排序方式: 共有1322条查询结果,搜索用时 203 毫秒
1.
2.
建立了一个四组分一维混合模型,对电子束注入大气产生大尺度等离子体的过程进行了数值模拟.结果表明了能量为140keV、流强为50mA/cm2的注入电子束,可以产生线度为0.5m,密度为1012cm-3量级的大气环境下等离子体.电子束所伴随的空间电荷效应由于等离子体的产生会很快消失,不影响后续的等离子体产生过程.电子束注入流强主要影响产生等离子体的密度,而电子束能量则同时影响其空间线度和密度.
关键词:
电子束
碰撞
电离 相似文献
3.
采用粒子模拟的方法并考虑电子束与电磁波的相互作用,首次直接得到了速调管输出信号的离子噪声图像,阐述了束电子、二次电子、离子、电磁场之间的相互作用的动力学过程. 指出离子噪声所表现出来的相位波动是由电子束速度的波动引起的,电子束速度的变化来源于管内离子数量的变化,离子的数量的变化又与电子束状态变化相互影响,这是离子噪声产生的根本原因. 二次电子对离子噪声产生过程的影响甚微,但是其行为却反映了离子噪声的形成机理. 离子噪声引发的输出信号幅度波动取决于电子束速度和半径的改变,与离子行为密切相关.
关键词:
离子噪声
速调管
粒子模拟
电子束 相似文献
4.
5.
强流脉冲电子束在材料中的能量沉积剖面、能量沉积系数和束流传输系数受其入射角的影响很大,理论计算了0.5~2.0MeV的电子束以不同的入射角在Al材料中的能量沉积剖面和能量沉积系数,并且还计算了0.4~1.4MeV电子束以不同入射角穿透不同厚度C靶的束流传输系数。计算结果表明,随着入射角的增大,靶材表面层单位质量中沉积的能量增大,电子在靶材料中穿透深度减小,能量沉积系数减小,相应的束流传输系数也减小;能量为0.5~2.0MeV的电子束当入射角在60°~70°时在材料表面层单位质量中沉积的能量较大。 相似文献
6.
电子束流品质对自由电子激光小信号增益影响的计算 总被引:1,自引:0,他引:1
对电子束有一定初始能量分散或角度分散时的自由电子激光小信号增益用较简便的方法进行了分析计算,并给出了一个渐近公式,结果与用计算机模拟解自由电子激光微分方程组得到的结果一致。 相似文献
7.
2MeV直线感应加速器注入器系统由电子束产生器和脉冲功率系统组成。电子束产生器包括由感应腔组成的阴极电压叠加器、阳极电压叠加器和真空二极管及束输运系统。脉冲功率系统则包含初级功率源Marx、次级功率源Blumlein线和触发系统,其作用是为感应腔提供一个具有数十纳秒平顶宽度的高压脉冲,激发感应腔在感应腔间隙上获得一个加速电场。在2MeV注入器功率系统中,4个Blumlein线的充气开关是由发散装置的输出触发信号进行导通控制的。通过控制发散输出触发信号到达Blumlein线开关的时间,即可以实现Blumlein线开关在不同时间内触发导通,使Blumlein线依据所设定的时间顺序输出激励脉冲,从而在真空二极管上获得高压脉冲串。由于功率系统采用的是182C结构,即一根Blumlein线驱动两个感应腔,因此最多可以实现四脉冲串列。 相似文献
8.
We present a compact improved model of the magnetically insulated line oscillator with new-type beam dump and other novel features. In the experiments, high-power microwave of the TM01 mode is generated from the device with a frequency range of 1.73-1.78 GHz and a peak power level of above 2 GW, when the diode voltage is taken in the range 520-540kV, and the diode current is in the range 58-62kA. This confirms the simulation results. 相似文献
9.
10.