LY12CZ铝合金表面等离子浸没离子注入氮层的摩擦磨损性能研究

对LY12CZ(2024)铝合金进行了氮等离子体浸没离子注入(PIII)处理,分析比较了不同工艺参数下离子注入前后试样的化学组成、各元素的化学价态及其摩擦磨损性能.结果表明:铝合金表面改性层中形成了弥散强化的氮化铝(AlN)相;与基体相比,铝合金试样在不同条件下处理后的表面显微硬度均有所提高,最大增幅达1.4倍;铝合金的磨损质量损失减少了75%,摩擦系数显著降低,表面综合性能得到了显著改善.     

金属蒸气真空弧离子源CO离子注入对不锈钢摩擦磨损性能的影响

采用金属蒸气真空弧离子源对1Cr18Ni9Ti不锈钢进行Co离子注入,考察了注入处理试样的摩擦磨损性能.结果表明:Co注入处理样品的表面硬度比未注入样品的高1.0～1.5倍,且硬度随离子束流密度的增大而增大;Co注入处理试样的摩擦系数显著降低至约0.20,磨损体积损失降低25%～45%;当束流密度为22μA/cm2、注入剂量为5×1017/cm2时,注入处理样品的摩擦系数为0.19,耐磨寿命最长;在所选定的试验参数范围以内,当临界束流密度处于22μA/cm2时,保留剂量最大,改性表面硬度最高,耐磨性能最佳.     

氮离子注入硅表面的力学性能及其微摩擦磨损行为研究

以单晶硅作为研究对象,选用离子注入剂量分别为5 ×1014 ions/cm2、6 ×1015ions/cm2和1 ×1017ions/cm2,注入能量为110 keV的氮离子注入单晶硅片,利用原位纳米力学测试系统对氮离子注入前后单晶硅片的硬度和弹性模量进行测定,在UMT-2型微摩擦磨损试验机上对氮离子注入前后单晶硅片的往复滑动微摩擦磨损性能进行研究.结果表明,氮离子注入后单晶硅片的纳米硬度和弹性模量减小,且注入剂量越大,其降低越明显.氮离子注入后单晶硅片的减摩性能提高,其摩擦系数大幅度降低,在载荷达到一定值后,氮离子注入层被迅速磨穿,摩擦系数迅速增加并产生磨痕.其磨损机制在小载荷下以粘着磨损为主,在大载荷下以材料的微疲劳和微断裂为主.     

铝合金等离子体淹没氮离子注入层的摩擦学性能研究

用等离子体淹没离子注入技术对ＬＹ１２和ＬＤ１０铝合金表面进行氮离子注入。用俄歇电子能谱分析离子注入层中氮的浓度分布，在此基础上进行了摩擦磨损试验。用扫描电观察和分析磨损表面特征。研究表明：氮离子注入铝合金形成细小，弥散的硬质ＡｌＮ析出相，铝合金表层的显微硬度增加，摩擦系数降低；耐磨性随着注入剂量和电压的增加而提高。磨损机制主要为粘着磨损，随离子注入剂量的增加，粘着磨损趋行减轻。     

氮离子注入GCr15轴承钢改性的时效机理及摩擦学性能探讨

对１２年前经离子注入处理后的ＧＣｒ１５轴承钢表面耐磨性能的时间效应进行了探讨。发现离子注入材料的改性效果存在时间效应性。利用ＡＥＳ和Ｘ射线衍射分析发现，掺杂原子及材料表面吸附的氧原子的多元迁移和硬质相的生成是造成离子注入材料改性时效的原因。     

加注稀土元素铒改善轴承表面性能的研究

在Ｍｏ＾＋＋Ｎ＾＋注入模式的基础上，应用电子能谱、卢瑟福背散射谱、扫描电子显微镜和ＭＨＫ－５００型摩擦磨损试验机等研究了加注稀土元素铒正离子Ｅｒ＾＋对轴承表面摩擦学性能和耐蚀性能的影响。结果表明，在合理配置Ｍｏ＾＋、Ｎ＾＋、Ｅｒ＾＋之能量和剂量的情况下，加注Ｅｒ＾＋既能更好地改善轴承的表面性能，又能使重离子的强韧化效果提高２－４倍以上，表明ＭＯ＾＋＋Ｎ＾＋＋Ｅｒ＾＋注入模式是一种具有良好应用前景的     

多路输出高电压脉冲触发装置

叙述了七路输出高电压脉冲触发装置的基本原理、结构和实验结果。该装置输出脉冲幅值可调，可以七路输出最大幅值８０ｋＶ（１ｋΩ负载），前沿陡度大于２ＴＶ／ｓ，脉宽２００ｎｓ，时间抖动（σ）小于２ｎｓ。     

铝合金表面等离子体基离子注入碳层的摩擦学性能

在LY12铝合金氮等离子体基离子注入的基础上，制备了3种含不同中间层的碳改性层，用X射线光电子能谱仪分析了改性层的成分分布，考察了中间层对改性层同钢球对摩时的摩擦学性能的影响．结果表明：所制备的碳层改性层表层为平整、光滑、致密的类金刚石碳膜，在界面上注入的碳与中间层反应生成连接化合物，从而使得其表面硬度及摩擦学性能大幅度提高；中间层使改性层结构、厚度及表面形貌发生变化，进而对其表面硬度及摩擦学性能产生影响，其中以注钛后注氮钛中间层所对应的改性层摩擦学性能最佳；但随载荷增加，改性层加速减薄，摩擦学性能降低．     

单晶金刚石p型和n型掺杂的研究

超宽禁带半导体材料金刚石在热导率、载流子迁移率和击穿场强等方面表现出优异的性质,在功率电子学领域具有广阔的应用前景。实现p型和n型导电是制备金刚石半导体器件的基础要求,其中p型金刚石的发展较为成熟,主流的掺杂元素是硼,但在高掺杂时存在空穴迁移率迅速下降的问题;n型金刚石目前主流的掺杂元素是磷,还存在杂质能级深、电离能较大的问题,以及掺杂之后金刚石晶体中的缺陷造成载流子浓度和迁移率都比较低,电阻率难以达到器件的要求。因此制备高质量的p型和n型金刚石成为研究者关注的焦点。本文主要介绍金刚石独特的物理性质,概述化学气相沉积法和离子注入法实现金刚石掺杂的基本原理和参数指标,进而回顾两种方法进行单晶金刚石薄膜p型和n型掺杂的研究进展,系统总结了其面临的问题并对未来方向进行了展望。     

Preparation of a silicon micro-strip nuclear radiation detector by a two-step annealing process

The annealing process for boron implantation is a crucial step during large size nuclear radiation detector fabrication. It can reduce the lattice defects and the projection straggling. A two-step annealing process for boron implantation was developed instead of a one-step annealing process, and the reverse body resistance of a silicon micro-strip detector was significantly increased, which means that the performance of the detector was improved.