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中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究 总被引：1，自引：1，他引：0
这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感. 相似文献
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介绍了中高能电子散射全截面绝对测量装置的设计,采用直线透射技术.因采用了恒温控制作用室,以便较准确测量反应室的绝对气压值;同时采用静电型圆柱能量分析器,并用计数率测量模式代替通常的束流强度测量模式,从而可以大幅度减小接收立体角,抑制零度角的弹性散射贡献.通过以上几项措施,可以有效地提高测量的精度,从而可以对一些有意义的分子的中、高能电子散射全截面进行绝对测量. 相似文献
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用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律. 相似文献
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用3C模型、DS3C模型对1KeV电子入射氦原子(e,2e)反应中的三重微分散射截面进行了计算,并将理论计算结果与实验数据进行了比较,研究了各种屏蔽效应对散射平面内以及垂直平面内三重微分散射截面的影响,并对三重微分散射截面变化规律进行了探讨.结果表明:各种屏蔽效应对散射平面内三重微分散射截面的贡献可以忽略;而在垂直平面内,这些效应对三重微分散射截面结构存在较强影响;另外,末态出射电子与靶核的相互作用直接影响散射平面内和垂直平面内截面的结构及其变化规律. 相似文献
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使用3C和DS3C模型,计算了不同入射能情形下电子入射离化H原子的三重微分截面,并对截面的结构进行了分析.结果表明:角分布基本上由两个峰组成,即binary峰和recoil峰.两个峰的形状和位置对两个出射电子的能量分配及探测的几何条件十分敏感.更进一步,末态电子与电子的排斥对形成观测到的角分布有显著的贡献,在不同几何条件下,三体相互作用通过不同散射幅的不同权重控制了干涉花样.此外,对直接和交换效应也都进行了研究.
关键词：
角分布
binary峰
recoil峰 相似文献
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运用修正后的BBK理论计算了入射能为27.6 eV,29.6 eV和34.6 eV,非共面双对称几何条件下,电子入射离化氦原子的三重微分截面,计算结果与实验结果进行比较发现两者符合的较好,验证了低入射能时修正后的BBK模型同样适用于非共面双对称条件下的(e,2e)过程,从碰撞的微观机理上分析了影响出射电子角分布的原因. 相似文献
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介绍了中高能电子散射全截面绝对测量装置的设计,采用直线透射技术.因采用了恒温控制作用室,以便较准确测量反应室的绝对气压值;同时采用静电型圆柱能量分析器,并用计数率测量模式代替通常的束流强度测量模式,从而可以大幅度减小接收立体角,抑制零度角的弹性散射贡献.通过以上几项措施,可以有效地提高测量的精度,从而可以对一些有意义的分子的中、高能电子散射全截面进行绝对测量. 相似文献
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在前期工作的基础上,进一步考虑了He原子(e,3e)反应中末态四体的动量相关.用改进后的理论计算了高能电子入射双电离He原子的五重微分截面(FDCS).与前期理论相比,所得结果大大地改善了理论曲线与实验结果的吻合程度. 相似文献