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| 中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究 | |
| 引用本文： | 张穗萌,吴兴举,陈展斌,杨欢,刘向远.中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究[J].原子与分子物理学报,2010,27(6):1105-1113. |
| 作者姓名： | 张穗萌 吴兴举 陈展斌 杨欢 刘向远 |
| 作者单位： | 1. 安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安,237012;安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖,241000 2. 安徽皖西学院数理系原子与分子物理研究所,六安,237012 3. 安徽师范大学物理与电子信息学院,芜湖,241000 |
| 基金项目： | 安徽省自然科学基金（批准号:03406203），安徽省教育厅重大科研项目基金（ZD2007002-1）和安徽省高校拔尖人才专项基金 |
| 摘 要： | 这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响.研究表明:在中高入射能下,截面的角分布由binary峰和recoil峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献.更进一步,修正后的binary峰的幅值对入射电子能量E_0和散射电子偏角θ_1的变化比较敏感. |
| 关 键 词： | 中高能入射电子，有效电荷，屏蔽效应 |
A Theoretical Study on Screening effects for electron impact Single ionization of Helium at intermediate and high energies |
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| ZHANG Sui-Meng,WU Xing-Ju,CHEN Zhan-Bin,YANG Huan,LIU Xiang-Yuan.A Theoretical Study on Screening effects for electron impact Single ionization of Helium at intermediate and high energies[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2010,27(6):1105-1113. | |
| Authors: | ZHANG Sui-Meng WU Xing-Ju CHEN Zhan-Bin YANG Huan LIU Xiang-Yuan |
| Institution: | Department of Mathematics and Physics , Institute of Atomic and Molecular Physics,Institute of Atomic and Molecular, Physics Department of Mathematics and Physics, West Anhui University,College of Physics and Electrical Information, Anhui Normal University,Institute of Atomic and Molecular, Physics Department of Mathematics and Physics, West Anhui University |
| Abstract: | |
| Keywords: | |
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