中高能电子入射单电离He原子过程中屏蔽效应的理论研究

这篇文章用3C和DS3C模型,在不同几何条件下研究了中高能电子入射单电离He原子的三重微分截面(TDCS),将计算结果与早期的测量和最新的绝对测量结果进行了比较;分析了有效电荷对三重微分截面影响。研究表明：在中高入射能下,截面的角分布由 binary 峰和 recoil 峰组成,末态电子与电子之间的排斥作用对峰的大小有显著贡献。更进一步,修正后的 binary 峰的幅值对入射电子能量 和散射电子偏角 的变化比较敏感。     

H原子(e,2e)反应中电子角分布的理论研究

使用3C和DS3C模型,计算了不同入射能情形下电子入射离化H原子的三重微分截面,并对截面的结构进行了分析.结果表明:角分布基本上由两个峰组成,即binary峰和recoil峰.两个峰的形状和位置对两个出射电子的能量分配及探测的几何条件十分敏感.更进一步,末态电子与电子的排斥对形成观测到的角分布有显著的贡献,在不同几何条件下,三体相互作用通过不同散射幅的不同权重控制了干涉花样.此外,对直接和交换效应也都进行了研究. 关键词： 角分布 binary峰 recoil峰     

电子垂直入射电离氦原子碰撞机理的理论研究

用3C模型和修正后的3C模型在低能、两个出射电子等能分享几何条件下,对电子垂直入射碰撞电离氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行了比较,系统研究了(e,2e)反应中各种屏蔽效应对氦原子三重微分散射截面的影响,同时对截面中形成各峰的碰撞机理做了详细的探讨.研究结果表明:在入射能较低时,各种屏蔽效应对氦原子的三重微分散射截面幅度以及角分布均存在一定影响,并且形成各峰的碰撞机理直接影响截面的变化规律.     

中高能电子电离He原子的二重微分截面

这篇文章用BBK和DS3C模型,计算了入射能为100,200,300,400和600 eV等中、高能情况下,电子入射电离He原子的二重微分截面(DDCS),给出了散射电子和敲出电子截面的角分布.散射电子和敲出电子的二重微分截面分别通过敲出电子和散射电子三重微分截面(TDCS)在全空间的角度积分而得到,所有的理论结果与有效的实验测量进行了比较.研究表明:除400和600 ev的高入射能之外,理论结果均能与绝对测量的实验结果较好的符合.     

垂直入射几何条件下氦原子(e,2e)反应的理论研究

用BBK模型和修正后的BBK模型在电子垂直入射几何条件下对氦原子的三重微分散射截面进行了理论计算,并把计算结果与实验测量结果进行比较,对截面的结构进行了分析,并对交换效应进行了系统的研究. 关键词： DS3C模型 中间峰 屏蔽效应 交换效应     

Ag+(4d10)离子三重微分截面的研究

用自旋平均静态交换势下的三体扭曲波波恩近似计算了d轨道电子(Ag+(4d10))在共面非对称几何条件下的三重微分截面, 结果表明在高入射能的条件下, 随散射电子角度θa的增加, binary峰和recoil峰分裂的个数都会增加, 电子的电离振幅会随之下降, d电子的三重微分截面比s, p电子的复杂.     

低能电子入射电离He原子二重微分截面的理论研究

研究了低能电子入射单电离He原子的二重微分截面(DDCS)，通过对散射电子三重微分截面在全空间的角度积分得到敲出电子的DDCS.分别用DS3C模型和BBK模型计算了入射能为26.3，28.3，30.3，32.5，34.3，36.5和40.7eV时，低能电子入射电离He原子的DDCS；研究表明：DS3C的计算结果，除在低入射能(比如26.3eV)和小敲出角之外，均能与绝对测量的实验结果较好地符合.此外，对直接和交换效应也进行了研究，给出了交换效应对截面的贡献.     

屏蔽效应对氦原子(e,2e)反应中二重微分截面和单微分截面的影响

用DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7 eV时电子入射单电离氦原子的二重微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较, 对屏蔽效应进行了分析. 通过对二重微分散射截面在全空间的角度积分得到了电子入射单电离氦原子的单微分散射截面, 利用3C模型和DS3C模型计算了入射能为32.5, 36.5, 40.7, 50 eV时氦原子的单微分散射截面, 并把计算结果与实验结果进行了比较. 对截面的结构进行了分析, 并系统研究了交换效应对截面的贡献. 关键词： DS3C模型 二重微分散射截面 单微分散射截面 屏蔽效应     

H原子(e,2e)反应中的初态扭曲效应与末态电子关联效应

本文利用BBK模型和DWBA模型计算共面非对称几何条件下中、低能电子碰撞电离H原子的三重微分截面,所得结果与实验测量进行比较,进而研究初态入射电子的扭曲效应和末态出射电子之间的关联效应对三重微分截面的影响,并对这些影响给出定性的物理解释。我们发现,初态扭曲效应比较微弱,在150 eV以上入射能量时可以忽略;而末态关联效应则十分重要,它会抑制Binary峰的高度,改善Recoil峰的形状,并且使Binary峰和Recoil峰都向大角度偏移,从而使理论结果更接近实验测量。     

H原子(e,2e)反应中的初态扭曲效应与末态电子关联效应

本文利用BBK模型和DWBA模型计算共面非对称几何条件下中、低能电子碰撞电离H原子的三重微分截面,所得结果与实验测量进行比较,进而研究初态入射电子的扭曲效应和末态出射电子之间的关联效应对三重微分截面的影响,并对这些影响给出定性的物理解释。我们发现,初态扭曲效应比较微弱,在150 eV以上入射能量时可以忽略;而末态关联效应则十分重要,它会抑制Binary峰的高度,改善Recoil峰的形状,并且使Binary峰和Recoil峰都向大角度偏移,从而使理论结果更接近实验测量。