首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   6篇
  免费   7篇
化学   5篇
综合类   1篇
物理学   7篇
  2022年   1篇
  2021年   2篇
  2018年   1篇
  2016年   1篇
  2014年   1篇
  2013年   2篇
  2012年   1篇
  2011年   1篇
  2010年   1篇
  2007年   1篇
  2006年   1篇
排序方式: 共有13条查询结果,搜索用时 78 毫秒
1.
本文提出采用气体团簇离子束的两步能量修形法来改善4H-SiC(1000)晶片表面形貌.先用15 keV的高能Ar团簇离子进行整体修形,再用5 keV的低能团簇离子优化表面.结果表明,在相同的团簇离子剂量下,与单一15 keV的高能团簇处理相比,两步法修形后的表面具有更低的均方根粗糙度,两者分别为1.05 nm和0.78 nm.本文还以原子级平坦表面为研究对象,揭示了载能团簇引起的半球形离子损伤(弧坑)与团簇能量的关系,及两步能量修形法在弧坑修复中的优势.在原子力显微镜表征的基础上,引入了二维功率谱密度函数,以直观全面地给出材料的表面形貌特征及其随波长(频率)的分布.结果表明,经任何能量的团簇离子轰击的表面,在0.05—0.20μm波长范围内,团簇轰击都能有效地降低粗糙度,而在0.02—0.05μm范围内,则出现了粗化效应,这是由于形成了半球形离子损伤,但第二步更低能量的团簇离子处理可以削弱这种粗化效应.  相似文献   
2.
谢伟  王银海  胡义华  张军  邹长伟  李达  邵乐喜 《物理学报》2011,60(6):67801-067801
采用高温固相法制备了Ca,Ba共掺的Sr0.6Ba0.2Ca0.2Al2O4 ∶Eu2+0.01, Dy3+0.02和单掺Ba的Sr0.6Ba0.4Al2O4 ∶Eu2+0.01, 关键词: 长余辉 铝酸锶 稀土掺杂 陷阱能级  相似文献   
3.
BiFeO_3 is a multiferroic material with physical properties very sensitive to its stoichiometry.BiFeO_3 thin films on silicon substrate are prepared by the sol–gel method combined with layer-by-layer annealing and final annealing schemes.X-ray diffraction and scanning electron microscopy are employed to probe the phase structures and surface morphologies.Using Rutherford backscattering spectrometry to quantify the nonstoichiometries of BiFeO_3 thin films annealed at 100?C–650?C.The results indicate that Bi and Fe cations are close to the stoichiometry of BiFeO_3,whereas the deficiency of O anions possibly plays a key role in contributing to the leakage current of 10~(-5) A/cm~2 in a wide range of applied voltage rather than the ferroelectric polarizations of BiFeO_3 thin films annealed at high temperature.  相似文献   
4.
大气气溶胶中有机碳和元素碳监测方法的进展   总被引:7,自引:0,他引:7  
本文主要介绍和评述了近10年来大气气溶胶中的有机碳和元素碳的采样和分析技术的进展,引用参考文献41篇。  相似文献   
5.
6.
研究环境空气与打印室内颗粒物(TSP、PM2.5)对人脐静脉内皮细胞(HUVEC)和人支气管上皮细胞(HBE)氧化损伤及凋亡的作用。将HUVEC和HBE分别暴露于100μg·mL-1的环境空气TSP,打印室PM2.5和环境空气PM2.5,采用CCK-8法检测细胞存活率,测定细胞中SOD活性和MDA含量,采用Western blot测定凋亡相关蛋白的表达。将HUVEC和HBE分别暴露于0,25,100,400μg·mL-1的打印室PM2.5,采用CCK-8法检测细胞存活率,测定细胞中SOD活性和MDA含量,采用Western blot测定凋亡相关蛋白的表达。染毒7 h后,同一来源不同粒径的环境空气TSP和环境空气PM2.5相比,环境空气PM2.5能够显著降低HUVEC和HBE的细胞存活率和SOD活性,显著升高细胞中的MDA含量和凋亡通路中Bax/Bcl-2蛋白表达(P<0.05)。同一粒径不同来源的打印室PM2.5和环境空气PM2.5相比,环境空气PM2.5显著降低HUVEC和HBE的细胞存活率和SOD活性,显著升高细胞中的MDA含量和凋亡通路中Bax/Bcl-2蛋白表达(P<0.05)。打印室PM2.5亦显著降低HUVEC和HBE的细胞存活率和SOD活性,显著升高细胞中的MDA含量和凋亡通路中Bax/Bcl-2蛋白表达,并呈剂量-效应关系,浓度越高,作用效果越明显(P<0.05)。颗粒物粒径越小,诱导细胞氧化损伤和凋亡的能力越强;排放源是影响颗粒物毒性的重要因素之一;氧化损伤和线粒体凋亡途径是TSP、PM2.5引起呼吸道疾病和心血管疾病的重要机制之一。  相似文献   
7.
分夏、冬季采集南昌大学前湖校区室外和3个不同室内环境中的PM2.5,测定有机碳(OC)和元素碳(EC),并分析室内、外碳气溶胶质量浓度及其分布特征;利用OC-EC关系式半定量分析室内排放源;结合室内、外二次有机碳(SOC)和SOC/OC的分布进一步讨论不同室内排放源的特征及对SOC的影响;对4个采样点的8个碳组分丰度特征比较分析,结果表明复印/打印机对室内OC的贡献高,8个碳组分的丰度分布特征与其它排放源具有较明显的差异。  相似文献   
8.
在广州市中山大学采样点进行了为期1年的大气细粒子(PM2.5)采样,监测分析得到PM2.5及有机碳(OC)、元素碳(EC)和水溶性有机碳(WSOC)等组分的质量浓度,并进行了比较和评价分析。结果表明广州市细粒子碳污染较严重。对OC、EC和WSOC质量浓度的月变化和季节变化特征进行了讨论,并分析了原因。OC、EC浓度相关性好,表明OC、EC来源大部分相同。根据OC/EC比值,估算二次有机碳(SOC)量,结果是SOC占OC的1/3。讨论了SOC和SOC/OC比值的季节分布,结果证明SOC夏季生成比冬季多。  相似文献   
9.
2014年1月至2015年1月,在南昌市3种类型采样点(混合区、主干道旁侧、燃煤电厂附近),对大气PM_(2.5)中SO_4~(2-)和NO_3~-及其气体前体物SO_2、NO_2进行同步采样,通过分析硫氧化速率(SOR)和氮氧化速率(NOR),对PM_(2.5)中硫酸盐和硝酸盐的来源、形成机制和影响因素进行探讨。结果表明,南昌市SO_2浓度18.9~74.8μg/m~3,NO_2浓度29.7~62.6μg/m~3,PM_(2.5)中SO_4~(2-)浓度13.7~28.4μg/m~3,NO_3~-浓度3.9~39.9μg/m~3,SOR值0.28~0.60,NOR值0.09~0.33。SO_2、NO_2、SO_4~(2-)、NO_3~-和SOR、NOR的季节分布和日分布,反映硫酸盐和硝酸盐的二次生成受气象条件、环境条件和排放源的影响。SOR与NOR的季节分布正好相反,日分布也差异较大,反映生成机制不同。SO_2、NO_2、SO_4~(2-)、NO_3~-和SOR、NOR在不同采样点的分布,反映燃煤烟气和机动车尾气增加SO_2、NO_2的浓度,促进SO_4~(2-)、NO_3~-的二次生成。[NO_3~-]/[SO_4~(2-)]春、夏、秋、冬分别为0.86、0.15、0.83、0.70,反映南昌市机动车尾气贡献比例较大;[NO_3~-]/[SO_4~(2-)]受硫酸盐和硝酸盐在不同季节的二次生成机制和速率的影响,也受排放源的影响。  相似文献   
10.
谢伟  王银海  全军  邹长伟  梁枫  邵乐喜 《物理学报》2014,63(1):16101-016101
采用高温固相法制备了发光样品Y1.98O3:Eu3+0.01,Dy3+0.01.采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光光谱仪、单光子计数器测试了不同含量的H3BO3对Y1.98O3:Eu3+0.01,Dy3+0.01物相结构、颗粒形貌、发光性能、余辉性能的影响.结果表明当H3BO3含量低于8%(mol)时,样品可保持Y2O3晶格结构,且样品颗粒随H3BO3的含量增加逐渐增大.样品光致发光由Eu3+离子电子的5D0→7FJ跃迁所致,主峰位于612 nm,且发光强度随H3BO3含量的增加呈线性增强.随着H3BO3含量的增加,样品余辉衰减时间逐渐增加,热释光谱分析表明H3BO3的加入增加了基质陷阱能级的深度与浓度,故而导致样品长余辉性能的变化.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号