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中国散裂中子源二期升级采用超导腔技术方案,其中在165~300 MeV能量段采用648 MHz 6-cell超导腔模组,每个模组中集成3只6-cell超导腔。超导腔工作在脉冲模式,为了保证超导腔2 K下的频率满足运行要求,每只超导腔需要一套低温调谐器对其频率进行精确调节控制。针对648 MHz 6-cell超导腔的结构和运行特点进行了低温调谐器的设计,采用快慢组合机构补偿超导腔的频率偏移,对调谐器的基本性能和超导腔脉冲模式运行下的动态洛伦兹失谐进行了分析。 相似文献
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A silicon-on-insulator (SOI) high performance lateral double-diffusion metal oxide semiconductor (LDMOS) on a compound buried layer (CBL) with a step buried oxide (SBO CBL SOI) is proposed.The step buried oxide locates holes in the top interface of the upper buried oxide (UBO) layer.Furthermore,holes with high density are collected in the interface between the polysilicon layer and the lower buried oxide (LBO) layer.Consequently,the electric fields in both the thin LBO and the thick UBO are enhanced by these holes,leading to an improved breakdown voltage.The breakdown voltage of the SBO CBL SOI LDMOS increases to 847 V from the 477 V of a conventional SOI with the same thicknesses of SOI layer and the buried oxide layer.Moreover,SBO CBL SOI can also reduce the self-heating effect. 相似文献
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周文中 潘卫民 葛锐 贺斐思 李中泉 王子晗 米正辉 黄彤明 戴劲 马强 徐妙富 李梅 王小龙 刘佰奇 张新颖 刘华昌 彭军 王生 《强激光与粒子束》2023,35(3):034004-1-034004-9
中国散裂中子源是中国第一台、世界第四台脉冲型散裂中子源,其已于2020年2月达到100 kW功率的设计指标,运行稳定高效,供束效率位于国际前列。中国散裂中子源二期升级方案中总束流功率将升级到500 kW,其中直线加速器段将采用超导加速腔结构,束流能量由80 MeV提高到300 MeV。其中在80~165 MeV能量段采用324 MHz双spoke超导腔,在165~300 MeV能量段采用648 MHz 6-cell椭球超导腔。采用CST、COMSOL等仿真软件完成324 MHz双spoke超导腔的电磁、机械设计及优化,达到实际运行指标要求。为了提高腔运行的稳定性,在腔的设计中对EP/Eacc着重进行了优化,使其尽量降低。 相似文献
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精密及缺陷信息条件下的结构可靠性设计 总被引:1,自引:0,他引:1
概率方法一直以来被认为是处理不确定现象的最有效的方法.传统的概率可靠性模型建立在随机变量的分布函数基础上,需要较完整的数据信息.在结构设计问题中,有关载荷、抗力等影响因素的统计数据一般是稀少的或缺乏的,信息往往以非完整的形式出现.此外,结构的安全设计还需考虑结构和环境的相互作用,结构设计、分析、评价以及制作过程中可能存在的误差等,有些不确定因素不能归于随机性.因此,需要发展新的结构可靠性设计模型和方法,以克服传统的概率可靠性方法的局限和不足.本文对精密及缺陷信息条件下的可靠性设计模型和方法进行综述,内容包括随机可靠性设计模型与方法、非完整信息下的可靠性分析和设计、模型误差和主观不确定的影响、复杂系统优化求解策略、以及今后的研究展望. 相似文献
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超导腔和超导磁体是现代加速器的重要组成部分,伴随着加速器技术的发展和更高束流能量和亮度的要求,低温超导技术在加速器中得到了广泛的应用.本文在对国内外几个典型的加速器上采用的低温超导技术进行了调研的基础上,介绍了国内外加速器低温系统的近况. 相似文献
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