置换因子循环线性系统求解的快速算法

给出了一类置换因子循环线性系统求解的一种快速算法．当置换因子循环矩阵非奇异时，该快速算法可求出该线性系统的唯一解；而当置换因子循环矩阵奇异时，该快速算法可求出该线性系统的通解．     

19F+93Nb耗散反应产物不重复截面的分析

完成了¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物激发函数的两次独立测量,入射束流的能量从102MeV到108MeV,步长250keV.实验结果在一些相同能量点两次测量的截面不能重复.分析表明:能量自关联函数的离散程度大约相当于随机计数率引起的离散程度的3倍;激发函数曲线相对于能量平均本底的几率分布,有大约21髎超出了标准高斯分布宽度的3倍;两次测量得到的截面之差的几率分布大约有18髎也超出了标准高斯分布宽度的3倍.可见,两次测量的¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物激发函数的截面不重复性具有明确的统计意义,其来源不是计数率的随机涨落.     

19F+93Nb耗散反应产物激发函数中截面测量的不重复性

完成了¹⁹F+⁹³Nb重离子耗散碰撞激发函数的两次独立测量.束流的入射能量为100—108MeV,步长250keV.两次测量的宏观条件几乎完全一样,惟一的差别是使用了厚度分别为70和71μg/cm²的两块⁹³Nb同位素靶.实验结果表明:(1)两次测量所得到的耗散反应产物激发函数的涨落具有不可平滑的结构;(2)这种不平滑的涨落截面有不重复的迹象.着重从实验的角度对这一结果进行了讨论.     

19F+93Nb耗散反应的相互作用时间

测量了¹⁹F+⁹³Nb耗散反应产物的激发函数与角分布.从角分布的斜率提取的该反应系统的平均寿命在对称性较大的入射系统中反映了系统中耗散产物的特征时间;通过能量自关联函数方法从激发函数提取的反应时间不论在对称的还是在非对称的入射系统中都反映了耗散产物的特征时间.能量自关联函数还可以给出双核系统的转动角速度以及表征转动阻尼的退相干宽度,更好地描述双核系统随时间的整个演化过程.     

16O+94Zr和16O+116Sn的弹性散射角分布测量

用北京Q3D磁谱仪及其重离子焦面探测器系统测量了两个体系的14个弹性散射角分布,即¹⁶O+⁹⁴Zr体系在52,57,59,62,72,82和92MeV 7个能量点及¹⁶O+¹¹⁶Sn体系在57,59,62,67,72,82和92MeV 7个能量点的弹性散射角分布.用耦合道理论的ECIS计算程序拟合数据,初步观察到了“阈反常”现象.     

Hom-Hopf代数上的L-Rsmash积

在Hom-Hopf代数上,定义了L-R smash积概念并讨论了它的相关性质,给出了L-R smash积是Hom-Hopf代数的充要条件.     

Statistical Significance of Non-Reproducibility of Cross Sections in Dissipative Reactions

Two independent excitation function measurements have been performed in the reaction system of ^19F ^93Nb using two target foils of the same nominal thickness. We measured the dissipative reaction products at incident energies of 102 through 108 MeV with a step of 250ke V. The variance of energy autocorrelation functions of the reaction products was found to be three times of that originated from the randomized counting rates. By analysing the probability distributions of the deviations in the measured cross sections, we found that about 20% of all the deviations exceeds three standard deviations. This indicates that the non-reproduclbility of the cross sections in the two independent measurements is of a statistical significance but not originated from randomized fluctuation of counting rates.     

Defects in GaN Films Grown on Si（111） Substrates by Metal-Organic Chemical Vapour Deposition

We report the transmission-electron microscopy study of the defects in wurtzitic GaN films grown on Si(111) substrates with AlN buffer layers by the metal-organic chemical vapour deposition method. The In0.1 Ga0.9N/GaN multiple quantum well (MQW) reduced the dislocation density by obstructing the mixed and screw dislocations passing through the MQW. No evident reduction of the edge dislocations density by the MQW was observed. It was found that dislocations with screw component can be located at the boundaries of sub-grains slightly in-plane misoriented.     

高分辨的弹性反冲探测分析技术

在中国原子能科学研究院HI－13串列加速器上建立了一套高分辨的弹性反冲探测分析技术,用高质量的127I重离子束轰击薄膜或块材靶样品,利用Q3D磁谱仪及其焦面探测器和纵向型双向型双电离室ΔE－E望远镜探测器两套探测系统,在前角区测量了靶中各种元素的反冲能谱,利用卢瑟福散射截离子在靶材料中的阻止本领,将能谱转换成元素的深度分布,利用Q3D磁谱仪系统,对C和H等轻元素的分析得到纳米级的深度分频谱,用ΔE－E望远镜探测器可同时得到靶材料上从轻至中重各种元素的深度分布,其深度分辨率达0－30nm。     

关于有限维循环群代数中的可逆元及其应用

讨论有限维循环群代数中的可逆元,给出了有限维循环群代数中的可逆元的逆元表达式,并把结果应用到循环矩阵中.