杯芳烃银离子敏感场效应晶体管传感器

报道了硫醚取代的杯「４」芳烃化合物的合成,以此化合物为敏感材料,研制了聚氯乙烯膜的银离子敏感场效应晶体管传感器。Ａｇ＾＋－ＩＳＦＥＴ传感器对银离子表现出了优良的能斯特呼应,响应斜率为５８ｍＶ／ｐＡｇ,同时该传感器对碱金属、碱土金属及过渡金属离子有极高的选择性,在１０＾－２－１０＾－５ｍｏｌ／Ｌ范围内有良好的线性关系,检测限为１０＾－５．４ｍｏｌ／Ｌ。     

聚γ-[N,N-双(β-乙硫乙基)胺基]丙基硅氧烷铑配合物的合成及其催化硅氢化性能

从二(β-氟乙基)烯丙胺出发,通过乙硫醚化、硅氢加成、气相法二氧化硅固载,再与三氯化铑作用,合成了标题配合物,它们是烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的有效催化剂,对其催化特性进行了研究。     

ω—氯代烷氧基杯[4]芳烃的合成

杯「４」芳烃以Ｃｌ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＴｓ（ｎ＝１，２）烷基化。得到６５－８７％的下缘带有２－氯乙氧基和２－（２－氯乙氧基）乙氧基怀「４」芳烃。     

闪烁单晶钨酸锌的坩埚下降法生长

通过高温固相反应或湿化学法合成ZnWO4多晶料,采用垂直坩埚下降法生长出φ25 mm× 60 mm的透明完整钨酸锌单晶.应用X射线粉末衍射分析证实了所制备钨酸锌多晶与单晶的结晶物相,测试了钨酸锌单晶的紫外可见透射光谱、光致发射光谱和X射线激发发射光谱,讨论了此闪烁单晶的氧气氛退火效应.结果表明,该单晶的透射光谱在400～800 nm波长区域呈现典型光学透过性,其吸收截止边位于380 nm左右,在紫外激发光或X射线激发作用下,此单晶具有峰值波长位于470 nm的荧光发射;此单晶经980℃温度下的氧气氛退火处理,其晶体着色有所变浅而光学透过性得以明显改善.     

有机硅聚合物负载硫、硫、氮三齿配体铂配合物的合成与催化性能

 N,N-双(β-甲硫乙基)γ-(三乙氧硅基)丙胺用气相法二氧化硅固载,再与氯亚铂酸钾作用,合成了三齿型铂配合物-聚γ-[N,N-双(β-甲硫乙基)胺基]丙基倍半硅氧烷铂配合物.研究了该配合物对烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的催化特性.     

应力对铁磁薄膜磁滞损耗和矫顽力的影响

改进了JA-SW混合模型, 使之能处理具有两种单轴各向异性的磁体. 数值研究了面内应力对铁磁薄膜磁滞损耗和矫顽力的影响. 结果表明, 磁滞损耗和矫顽力与应力强度和应力施加方向以及外场取向有关. 磁滞损耗或矫顽力随应力强度变化的关系曲线并不完全是单调增加的, 比如当外场与易轴方向平行时会出现弯曲. 另外, 应力会造成矫顽力随外场取向角关系曲线的峰值偏移. 结果与文献资料进行了广泛对比并对其差异进行了解释. 关键词： JA-SW混合模型 磁滞损耗 矫顽力 应力     

含双(β-乙硫乙基)胺基配体的有机硅聚合物负载铂配合物的合成及其催化硅氢化性能

N,N—双(β—乙硫乙基)γ—(三乙氧硅基)丙胺单独或与十二烷基三乙氧基硅烷或与苯丙基三乙氧基硅烷共同以气相法二氧化硅固定化,再与氯亚铂酸钾反应,合成三种含双(β—乙硫乙基)胺基的高分子配体及其铂配合物。它们都是烯烃与三乙氧基硅烷的硅氢加成反应的有效催化剂。     

钼酸镉单晶的坩埚下降法生长及其退火效应

以CdO和MoO3粉料为初始试剂,通过高温固相烧结合成CdMoO4多晶料,采用坩埚下降法生长出尺寸达φ25 mm×130mm的透明完整CdMoO4单晶;应用DSC、XRD对所获单晶进行了结晶相和热性能表征,测试了单晶的紫外可见透射光谱、紫外光激发发射光谱及其发光衰减时间.结果表明,CdMoO4单晶具有良好的一致熔融析晶特性,采用坩埚下降法较易于生长出大尺寸单晶;该单晶在吸收截止边375 nm以上波长具有良好光学透过性,在300 nm紫外光激发作用下,测得该单晶具有525 nm左右峰值波长的荧光发射,其发光衰减时间为804 ～ 1054 ns.该单晶经氧气氛高温处理呈现出明显的退火消色效应,即经1000℃以上温度的氧气氛退火处理,可使晶体的光学透过性得以明显改善,其荧光发射强度显著增强.