n型6H-SiC拉曼散射光谱的温度特性（英文）

三片具有不同载流子浓度的n型6H-SiC体材料用于83K到673K的变温拉曼散射研究,能够得到变温的拉曼散射模。通过测量可以得到,随着温度的增长,不同的声子散射模的拉曼峰逐渐变小。运用声子频率的温度特性计算公式,对三片样品的三个声子模的峰位进行拟合能够得到很好的拟合结果。6H-SiC样品的纵光学声子模(LOPC)的拉曼位移像其他的拉曼模一样,随着温度的增加而变小。在较高的温度时所有的声子模明显展宽。     

m面蓝宝石上ZnO/ZnMgO多量子阱的制备及发光特性研究

利用等离子体辅助分子束外延设备(P-MBE)在m面的蓝宝石(m-Al₂O₃)衬底上制备了ZnO/Zn_0.85Mg_0.15O多量子阱.反射式高能电子衍射谱(RHEED)图样的原位观察表明,多量子阱结构是以二维模式生长的.从光致发光谱中可以看到ZnO/Zn_0.85Mg_0.15O多量子阱在室温仍具有明显的量子限域效应.在290 K时阱宽为3 nm的ZnO/Zn_{0.85关键词： 等离子体辅助分子束外延 ZnO多量子阱 光致发光}     

基于CVD方法生长在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）

立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通过化学气相沉积(CVD)制备在Si(100)衬底上。本论文主要通过椭偏光谱仪(SE)和拉曼散射仪对3C-SiC薄膜的微观结构和光学性能进行进一步的研究。根据SE的分析获得3CSiC薄膜厚度;根据拉曼散射的分析:可从TO模式和LO模式的线形形状的拟合得到样品的相关长度和载流子浓度。结果表明:该碳化硅(3C-SiC)薄膜质量随膜厚度增加而得到提高,同时分析了外延层厚度对薄膜特性的影响。     

Cap Layer Influence on Impurity-Free Vacancy Disordering of InGaAs/InP Quantum Well Structure

Quantum well intermixing （QWI） by the impurity-free vacancy disordering （IFVD） technique is an important and effective approach for the monolithic integration of optoelectronic devices based on InGaAs/InP quantum well structures. We experimentally investigate the influence of the capping layer SiO2 and Si3N4 on the QWI by IFVD. The results show that for all the samples with three-types differently doped （P, N and I） top InP layers, Si3N4 can always induce a larger photoluminescence blueshift than SiO2 in the IFVD QWI process, which attributes more to the group III and V vacancies point defects created in the interface of Si3N4-InP than that of SiO2-InP, proved by the SIMS measurements. The inherent mechanisms for explaining these properties are further discussed.     

动态可见－红外图象转换器件及转换系统

本文介绍已建立的一套动态可见－红外图象转换系统，采用ＣｄＳ－ＣｄＳｅ光导薄膜型液晶光阀作为关键转换器件，实现了由可见图象到红外（８～１２μｍ）图象的视频转换，其对比度达∶１，响应时间为４０ｍｓ，极限分辨率为１０ｌｐ／ｍｍ．     

动态可见—红外图象转换器件及转换系统

本文介绍已建立的一套动态可见－红外图象转换系统，采用ＣｄＳ－ＣｄＳｅ光导薄膜型液晶光阀作为关键转换器件，实现了由可见图象到红外（８～１２μｍ）图象的视频转换，其对比度达９：１，响应时间为４０ｍｓ，极限分辨率为１０ｌｐ／ｍｍ。     

光纤结构光场产生及应用

光纤结构光场作为光场调控的一个重要分支,逐渐引起了研究者们的广泛关注。首先基于光纤矢量模式理论,讨论了光纤中具有空间偏振/相位奇异特性的结构光场的产生机理;然后,介绍了光纤结构光场的产生方法,如长周期光纤光栅耦合法、光纤端面微结构法和轨道角动量转换法等;最后,介绍了光纤结构光场在超分辨成像、涡旋光通信、等离子针尖纳米聚焦和非线性频率转换等方面的一些典型应用。     

三明治结构电子阻挡层中势阱深度对LED性能的影响

在LED中引入了Al0.1Ga0.9N-Al x Ga1-x N-Al0.1Ga0.9N多层电子阻挡层,并讨论结构中插入的势阱深度(即中间层Al x Ga1-x N的Al组分"x")的变化对LED性能带来的影响。研究发现,具有三明治结构电子阻挡层(EBL)的LED比传统LED具有更好的发光特性,并且其性能与电子阻挡层中的势阱深度密切相关。究其原因,一是由于电子阻挡层内部不同程度的晶格失配而引入的极化电场引起了电子阻挡层的有效势垒高度的不同;二是在于电子阻挡层中的势阱所产生的空穴聚集效应也会随着势阱深度的变化而变化。故而使得空穴注入效率和电子阻挡层对电子的限制作用在不同势阱深度的LED样品中有所不同。     

结合椭圆偏振光谱与傅里叶红外光谱的宽禁带半导体薄膜光学特性表征（英文）

宽禁带半导体薄膜,包括碳化硅,氮化镓和氧化锌及其化合物以及异构体,带隙普遍在3.2eV以上,一阶声子特征峰在100至1500cm~(-1)之间。确定能带宽度和声子特征峰有很多方法,比如光致发光、拉曼散射、光学透射谱等,我们提出了一种结合椭圆偏振光谱与红外傅里叶反射谱进行传输矩阵分析的方法,能够同时确定从紫外波段(约250nm)到远红外波段(约22000nm)的薄膜材料色散关系和膜厚。我们构建了基于谐振子的光学函数模型,并论证这个模型很适合用于模拟由各种不同波长入射光波造成的共振吸收。