(12)~C+(115)~In反应中余核I和Sb的反冲研究

在能量高达72MeV的~(12)C轰击~(115)In(Z=49)的反应中,使用核化学技术测量了~8Be和α转移的余核碘(Z=53)和锑(Z=51)同位素的激发函数和角分布.用简单的运动学方法分析了余核角分布后指出,碘同位素来自三种不同的反应机制,即复合核蒸发α,强阻尼的非完全熔合以及不完全动量转移的裂开-熔合过程.在入射能量约70MeV时,后两个过程(或统称为~8Be转移)的截面为100多毫巴,显著大于根据锑同位素截面导出的大约17毫巴的α转移反应截面.实验结果和类似反应中测量出射α粒子得到的结论很好相符.     

12C+115In反应中余核I和Sb的反冲研究

在能量高达72MeV的¹²C轰击¹¹⁵In(Z=49)的反应中, 使用核化学技术测量了⁸Be和α转移的余核碘(Z=53)和锑(Z=51)同位素的激发函数和角分布. 用简单的运动学方法分析了余核角分布后指出, 碘同位素来自三种不同的反应机制, 即复合核蒸发α, 强阻尼的非完全熔合以及不完全动量转移的裂开-熔合过程. 在入射能量的70MeV时, 后两个过程(或统称为⁸Be转移)的截面为100多毫巴, 显著大于根据锑同位素截面导出的大约17毫巴的α转移反应截面. 实验结果和类似反应中测量出射α粒子得到的结论很好相符.     

14.7MeV中子诱发232Th裂变的质量分布

使用Ge(Li)γ射线能谱法以及放射化学法测定了14.7MeV中子诱发²³²Th裂变中从^77gGe到¹⁵¹Pm共57个裂变生物的产额.从中得到44个质量数的链产额及质量分布曲线,其中12个链产额尚未见文献公开发表.在质量数134处存在精细结构.质量分布的峰谷比为3.6,轻峰和重峰平均质量分别为91.3和138.1.质量分布对称区存在明显的第三小峰,其裂变产额占总产额的14.0%.     

232Th裂变的电荷分布

在14MeV中子引起²³²Th裂变中,用放射化学方法测定了⁸²Br、⁹⁶Nb、¹¹²Ag、¹³⁰I、¹³²I、¹³⁴I、^134mCs、^135mCs和¹³⁶Cs等9个屏蔽核或准屏蔽核的独立产额以及¹⁴⁰La的独立产额上限。使用各种电荷分布假设和质量公式,高斯电荷分布函数f_i=（πC）^-1/2exp[-（Z—Z_p）²/C],与实验测定的分独立产额进行了关联研究。结果指出,Green质量公式的最小位能假设可以得到最佳拟合,电荷分布宽度参数C=0.80.主要以对称裂变方式产生的¹¹²Ag的分独立产额和以非常不对称裂变产生的⁸²Br的分独立产额偏离拟合的高斯曲线。这似乎表明,对称裂变有较宽的电荷分布宽度;而非常不对称裂变的电荷分布较窄。这个趋势能用液滴模型定性地解释。本工作没有发现40个质子的亚壳层对裂变产额影响的证据。     

14.7MeV中子诱发~(232)Th裂变的质量分布

使用Ge(Li)γ,射线能谱法以及放射化学法测定了14.7MeV中子诱发~(232)Th裂变中从~(77g)Ge到~(151)pm共57个裂变产物的产额.从中得到44个质量数的链产额及质量分布曲线,其中12个链产额尚未见文献公开发表.在质量数134处存在精细结构.质量分布的峰谷比为3.6,轻峰和重峰平均质量分别为91.3和138.1.质量分布对称区存在明显的第三小峰,其裂变产额占总产额的14.0％.