A New 1-D Chain ofγ-Hg3S2Br2Constructed from Hg4S4Squares:Solid-state Synthesis,Structure and Optical Properties

A new metal chalcogenide,γ-Hg₃S₂Br₂(1),has been prepared by moderate-temperature solid-state reaction,and its crystal structure was determined by single-crystal X-ray diffraction analysis.Compound 1 crystallizes in space group Cmmm of orthorhombic system with a=9.1923(18),b=18.2262(5),c=4.6251(7)?,V=774.9(3)?³and Z=4.In the structure,two Hg(1),two Hg(2)and four S(1)atoms form a near square Hg₄S₄,and such squares are linked by Hg(3)atoms nearly linearly coordinated to two S1 atoms of two parallel Hg₄S₄squares to form one-dimensional infinite Hg₆S₄chains along c direction.Optical absorption spectra reveal the presence of sharp optical gap of 2.80 eV for 1.IR spectrum,TGA and electric resistivity have been investigated.     

Uniaxial stress influence on lattice, band gap and optical properties of n-type ZnO： first-principles calculations

The lattice,the band gap and the optical properties of n-type ZnO under uniaxial stress are investigated by firstprinciples calculations.The results show that the lattice constants change linearly with stress.Band gaps are broadened linearly as the uniaxial compressive stress increases.The change of band gap for n-type ZnO comes mainly from the contribution of stress in the c-axis direction,and the reason for band gap of n-type ZnO changing with stress is also explained.The calculated results of optical properties reveal that the imaginary part of the dielectric function decreases with the increase of uniaxial compressive stress at low energy.However,when the energy is higher than 4.0 eV,the imaginary part of the dielectric function increases with the increase of stress and a blueshift appears.There are two peaks in the absorption spectrum in an energy range of 4.0-13.0 eV.The stress coefficient of the band gap of n-type ZnO is larger than that of pure ZnO,which supplies the theoretical reference value for the modulation of the band gap of doped ZnO.     

三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应

为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型,分析比较电离辐射在SiGe HBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后,器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征,获得SiGe HBT总剂量效应损伤规律,并与⁶⁰Coγ辐照实验进行对比.结果表明:总剂量辐照在SiGe HBT器件中引入的氧化物陷阱正电荷主要在pn结附近的Si/SiO₂界面处产生影响,引起pn结耗尽区的变化,带来载流子复合增加,最终导致基极电流增大、增益下降;其中EB Spacer氧化层中产生的陷阱电荷主要影响正向Gummel特性,而LOCOS隔离氧化层中的陷阱电荷则是造成反向Gummel特性退化的主要因素.通过数值模拟分析获得的SiGe HBT总剂量效应损伤规律与不同偏置下⁶⁰Coγ辐照实验的结论符合得较好.     

核磁共振弛豫信号的多指数反演

从第一类积分方程的反演求解入手,推导出适合于岩石核磁共振弛豫时间多指数反演的两种算法：奇异值分解（singular value decomposition）方法和变换反演算法.对算法的具体实现过程进行了详细的论述,从理论和实例处理两方面分析讨论了两种算法的优缺点.从解的自由度的角度,讨论解的分辨率及最优反演模型的选取原则：SVD算法适合于信噪比较高的数据反演,变换反演算法适应于较低信噪比的数据反演.在进行岩石核磁共振信号的多指数反演处理时,应优先选用变换反演算法,只有当原始数据的信噪比SNR≥80时,可选用SVD反演算法.为保证T₂反演结果的真实性,T₂布点数应在30～50个之间.[KG*2]研究内容对核磁共振岩心分析和核磁共振测井工作具有重要参考价值.     

一类三阶非线性分布时滞动力方程的振动结果

研究一类三阶非线性分布时滞动力方程的振动性,通过构造广义Riccati变换得到一类新的广义Riccati不等式,利用积分平均技巧等方法,建立了保证该方程一切解均振动或收敛于0的若干新的振动结果,推广和改进了近期文献的相关结论,并给出了若干例子。     

手性液晶掺杂剂（S）—4‘—辛氧基—4—（2—酰氧基—丙氧基）联苯的合成

手性液晶掺杂剂（Ｓ）┐４┐辛氧基┐４┐（２┐酰氧基┐丙氧基）联苯的合成马汝建李培荣国斌＊（华东理工大学化学系上海２００２３７）关键词铁电液晶材料，手性液晶掺杂剂，合成，手征性１９９７－０２－０３收稿，１９９７－０８－０７修回铁电液晶显示器所用的材料...     

SiGe BiCMOS低噪声放大器激光单粒子效应研究

随着CMOS工艺的日益成熟和SiGe外延技术水平的不断提高, SiGe BiCMOS低噪声放大器(LNA)广泛应用于空间射频收发系统的第一级模块. SiGe HBT作为SiGe BiCMOS LNA的核心器件,天然具有优异的低温特性、抗总剂量效应和抗位移损伤效应的能力,然而,其瞬态电荷收集引起的空间单粒子效应是制约其空间应用的瓶颈问题.本文基于SiGe BiCMOS工艺低噪声放大器开展了单粒子效应激光微束实验,并定位了激光单粒子效应敏感区域.实验结果表明, SiGe HBT瞬态电荷收集是引起SiGe BiCMOS LNA单粒子效应的主要原因. TCAD模拟表明,离子在CMOS区域入射时,电离径迹会越过深沟槽隔离结构,进入SiGe HBT区域产生电子空穴对并引起瞬态电荷收集. ADS电路模拟分析表明,单粒子脉冲瞬态电压在越过第1级与第2级之间的电容时,瞬态电压峰值骤降,这表明电容在传递单粒子效应产生的瞬态脉冲过程中起着重要作用.本文实验和模拟工作为SiGe BiCMOS LNA单粒子效应抗辐射设计加固提供了技术支持.     

表面活性含氟单体-丙烯酰胺共聚物溶液性质研究

以异佛尔酮二异氰酸酯(IPDI)、十二氟庚醇(FOH)、烯丙基聚乙二醇(APEG)合成的表面活性含氟单体(FSM)与丙烯酰胺通过水溶液聚合,制备出含氟疏水缔合聚丙烯酰胺(FPAM).用表面张力法研究了FSM的胶束化,用流变仪、动态激光光散射(DLS)和原子力显微镜(AFM)表征了FPAM溶液的流变性能、缔合结构尺寸和形态.结果表明,FSM在25℃下CMC为1.28 g.L-1,表面张力为26.77 mN.m-1.FPAM溶液属于假塑性体系,临界缔合浓度为0.660%,具有一定的耐盐性.DLS和AFM表明,在低于临界缔合浓度时FPAM溶液仍能产生大量的缔合结构,FPAM分子具有很强的疏水缔合性.     

我国农村居民消费现状及影响因素分析

我国经济虽然实现了高速增长,但城乡居民消费差距不仅没有缩小,反而在继续扩大,由占人口绝对多数的农村居民的消费水平过低所直接导致的我国消费需求不足已成为目前我国宏观经济中最突出的矛盾。本文在农村居民消费结构的基础上,分析影响居民消费的其他原因,以及这些因素与消费的相关程度,建立回归模型,并采用2007年中国农村居民的收入消费等统计资料,对消费状况进行实证分析。最后本文针对我国农村居民现实的消费状况提出针对性的建议。     

室温离子液体自组装金纳米粒子模板化制备内消旋多孔材料增强细胞色素c直接电化学（英文）

室温离子液体作为一种软模板用来组装内消旋多孔材料,这种材料是由表面覆盖有半胱氨酸的自组装巨型金纳米粒子构成的. 首先,由于静电相互作用或者配体外部末端的羧基和氨基基团之间的缩合反应,覆盖有半胱氨酸的金纳米粒子能够自组装形成纳米线和亚微米球形粒子. 其次,球形自组装粒子在和疏水性室温离子液体1-辛基-3-甲基咪唑鎓六氟磷酸盐相互摩擦时能形成一种准固态凝胶. 最后,将复合凝胶涂在玻碳电极上,然后在PH = 7.4的磷酸缓冲溶液中用循环伏安法进行极化,由于多余的室温离子液体分散在溶胶中从而形成了一种内消旋多孔结构. 该材料具有良好的导电性和生物大分子亲和性. 由于大的外部表面积和内部的“薄层”效应,细胞色素c的感应显著增强. 实验结果表明,这种内消旋多孔材料在包括生物传感器和生物燃料电池在内的电化学设备方面具有潜在的应用前景.