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1.
对碳原子在硬质合金(WC-Co)表面的自组装及石墨烯生长过程进行了分子动力学模拟.揭示石墨烯生长中的碳原子沉积、不同长度碳链形成,以及碳链向多边形转变和石墨烯缺陷愈合及自修复过程.研究温度和碳沉积速率对高质量石墨烯生长的影响.模拟结果发现,低温生长的石墨烯缺陷较多,质量较低;高温有助于石墨烯生长,但是高温会对基底造成损伤,使生长的石墨烯表面平整度降低.较高的沉积速率,获得较高的石墨烯形核率,分布较为均匀,但是存在较多的缺陷,而低的沉积速率有助于碳原子的迁移,导致碳原子出现团聚,降低石墨烯质量.因此,选择合适的沉积温度和沉积速率有助于生长高质量石墨烯.仿真优化参数即沉积温度为1300 K,沉积速率为10 ps/C时,生长的石墨烯表面平整度较高(RMS=1.615),且保持着数目较多的基本单元(N=71),质量较好.  相似文献   
2.
采用固相反应法制备了系列样品TixNi1-xFe2O4 (x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4). 室温下的X射线衍射谱表明样品全部为(A)[B]2O4型单相立方尖晶石结构, 属于空间群Fd3m. 样品的晶格常数随Ti掺杂量的增加而增大. 样品在10 K温度下的比饱和磁化强度σS随着Ti掺杂量x的增加逐渐减小. 研究发现, 当Ti掺杂量x≥ 0.2时, 磁化强度σ随温度T的变化曲线出现两个转变温度TLTN. 当温度低于TN时, 磁化强度明显减小; 当温度达到TN时, dσ/dT具有最大值. σ-T曲线的这些特征表明, 由于Ti掺杂在样品中出现了附加的反铁磁结构. 这说明样品中的Ti离子不是无磁性的+4价离子, 而是以+2和+3价态存在, 其离子磁矩的方向与Fe和Ni离子的磁矩方向相反. 利用本课题组提出的量子力学方势垒模型拟合样品在10 K温度下的磁矩, 得到了Ti, Fe和Ni三种阳离子在(A)位和[B]位的分布情况, 并发现在所有掺杂样品中, 80%的Ti离子以+2价态占据尖晶石结构的[B]位.  相似文献   
3.
4-羟基-6-甲基-2-吡喃酮分别与原甲酸三氯乙酯,三(溴甲基)氧磷和1,3,5-三(溴甲基)苯经取代反应制得三-2-吡喃酮(3a~3c);3a和3b分别与二苯酮(4)通过经历4的三线激发态,横穿3的C5-C6,C5'-C6'和C5″-C6″双键经固相[2+2]光环加成反应,高位置、高配向选择性地合成了4个新型的氧杂类化合物(5a,5a',5b和5b'),其结构经1H NMR,13C NMR,IR,LR-MS和HR-MS表征。  相似文献   
4.
Qiu-Ling Qiu 《中国物理 B》2022,31(4):47103-047103
The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices.  相似文献   
5.
随着旅游事业的不断发展,西藏的食品行业迫切需要扩大品种、提高质量。自治区人民政府拨给拉萨食品厂专款,准备扩大生产。但是,由于西藏技术力量薄弱,且条件(如电力、湿度等等)与内地不同,照搬内地的配方经常行不通.例如,食品厂主要技术人员在上海学了三年,学了一百零六种点心的作法,回来只能作出四种,效果并不理想;对另外一百零二种为何做不出来,摸不清头脑,只好出高工资请外地的师傅来教.如何开展科学试验,是急待解决的问题,正交试验法及时传入西藏,使我们大开眼界,好比久旱遇到了及时雨. 西藏大部分食品都是用酥油和猪油制作的,而汉族同…  相似文献   
6.
The existence of homoclinic orbits is obtained by the variational approach for a class of second order Hamiltonian systems q(t)+▽V(t,q(t))=0,where V(t,x)=-K(t,x)+W(t,x),K(t,x) is neither a quadratic form in x nor periodic in t and W(t,x) is superquadratic in x.  相似文献   
7.
本文主要介绍一种金属镍出炉时间的自动控制方法。在冶镍炉上开一个小孔,近似认为是理想黑体,通过光路选择系统将辐射出的光照射在热电偶上,然后将热电偶上的电压信号用运算放大器放大,可以获得温度和电动势之间的关系。通过一个微控制器形成一个闭环的测温和反馈系统,以构成一个实时的控制系统.  相似文献   
8.
用一次投料法、半连续滴加法和单体预乳化法三种聚合工艺,合成了苯丙乳液聚合物,并加氨微细化,转化成水溶胶,考察了聚合工艺和反应组分(乳化剂,功能单体等)对苯丙乳液及其水溶胶反应稳定性和粒子大小及分布等胶体性能的影响。  相似文献   
9.
The potential energy surfaces for the butoxy radical dissociation into R·+O on the six low-lying electronic states have been determined with the combined CASSCF and MR-CI methods. The isomerization reactions between the different conformers of 1- and 2-butoxy radicals at the X and B states have been also investigated with the MP2, B3LYP, and CASSCF methods. The non-radiative decay mechanisms of butoxy radicals at the B state have been characterized with the computed potential energy surfaces and intersections. Supported by recent LIF experimental results, it was predicted that the t-butoxy radical would predissociate via the B/C intersection. As to 1- and 2-butoxy radicals, the relative energies of the transition states for the isomerization reactions between conformers at the B state are much lower than those of the B/C intersections, resulting in the predominance of the isomerization in the decay of the B state for 1- and 2-butoxy radicals.  相似文献   
10.
4-羟基-2,5-二甲基-3(2H)呋喃酮经固相[2+2]光环加成反应高立体选择性地合成了新化合物exo-1,6-二羟基-4,9-二甲基-3,8-二氧杂三环[5.3.0.02.6]癸-5,10-二酮(2),其结构经1H NMR,IR,MS,元素分析和X-单晶衍射表征。2属三斜晶系,空间群Pī(#2),晶胞参数a=6.715(3),b=8.005(5),c=5.910(3),α=102.88(4)°,β=101.26(3)°,γ=77.217(9)°,V=298.4(3)3,Mr=256.25,Dc=1.426 g·cm-3,F(000)=136,μ=1.15 cm-1,Z=1,R1=0.081,wR2=0.117.2为anti-头-尾型exo-[2+2]加成产物。  相似文献   
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