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1.
采用固相反应法制备了系列样品TixNi1-xFe2O4 (x=0.0, 0.1, 0.2, 0.3, 0.4). 室温下的X射线衍射谱表明样品全部为(A)[B]2O4型单相立方尖晶石结构, 属于空间群Fd3m. 样品的晶格常数随Ti掺杂量的增加而增大. 样品在10 K温度下的比饱和磁化强度σS随着Ti掺杂量x的增加逐渐减小. 研究发现, 当Ti掺杂量x≥ 0.2时, 磁化强度σ随温度T的变化曲线出现两个转变温度TL和TN. 当温度低于TN时, 磁化强度明显减小; 当温度达到TN时, dσ/dT具有最大值. σ-T曲线的这些特征表明, 由于Ti掺杂在样品中出现了附加的反铁磁结构. 这说明样品中的Ti离子不是无磁性的+4价离子, 而是以+2和+3价态存在, 其离子磁矩的方向与Fe和Ni离子的磁矩方向相反. 利用本课题组提出的量子力学方势垒模型拟合样品在10 K温度下的磁矩, 得到了Ti, Fe和Ni三种阳离子在(A)位和[B]位的分布情况, 并发现在所有掺杂样品中, 80%的Ti离子以+2价态占据尖晶石结构的[B]位. 相似文献
2.
3.
对碳原子在硬质合金(WC-Co)表面的自组装及石墨烯生长过程进行了分子动力学模拟.揭示石墨烯生长中的碳原子沉积、不同长度碳链形成,以及碳链向多边形转变和石墨烯缺陷愈合及自修复过程.研究温度和碳沉积速率对高质量石墨烯生长的影响.模拟结果发现,低温生长的石墨烯缺陷较多,质量较低;高温有助于石墨烯生长,但是高温会对基底造成损伤,使生长的石墨烯表面平整度降低.较高的沉积速率,获得较高的石墨烯形核率,分布较为均匀,但是存在较多的缺陷,而低的沉积速率有助于碳原子的迁移,导致碳原子出现团聚,降低石墨烯质量.因此,选择合适的沉积温度和沉积速率有助于生长高质量石墨烯.仿真优化参数即沉积温度为1300 K,沉积速率为10 ps/C时,生长的石墨烯表面平整度较高(RMS=1.615),且保持着数目较多的基本单元(N=71),质量较好. 相似文献
4.
随着旅游事业的不断发展,西藏的食品行业迫切需要扩大品种、提高质量。自治区人民政府拨给拉萨食品厂专款,准备扩大生产。但是,由于西藏技术力量薄弱,且条件(如电力、湿度等等)与内地不同,照搬内地的配方经常行不通.例如,食品厂主要技术人员在上海学了三年,学了一百零六种点心的作法,回来只能作出四种,效果并不理想;对另外一百零二种为何做不出来,摸不清头脑,只好出高工资请外地的师傅来教.如何开展科学试验,是急待解决的问题,正交试验法及时传入西藏,使我们大开眼界,好比久旱遇到了及时雨. 西藏大部分食品都是用酥油和猪油制作的,而汉族同… 相似文献
5.
先进绝热压缩空气储能(AA-CAES)是解决风电不稳定性问题的一种能量存储技术。本文以热力学理论为基础,建立了风电与AA-CAES集成系统的理论模型并开展了仿真模拟工作,对集成系统在额定、扰动工况下的能量转化规律进行了对比和分析。结果表明集成系统存在电能、空气内能和水的热能的能量转化,内能与热能的转化随过程进行而变化,且两者的变化规律相反;扰动风速通过改变功率输入影响压气机效率,进而影响电能向空气内能的转化,但对系统热能的影响相对较小。 相似文献
6.
Self-screening of the polarized electric field in wurtzite gallium nitride along [0001] direction 下载免费PDF全文
Qiu-Ling Qiu 《中国物理 B》2022,31(4):47103-047103
The strong polarization effect of GaN-based materials is widely used in high-performance devices such as white-light-emitting diodes (white LEDs), high electron mobility transistors (HEMTs), and GaN polarization superjunctions. However, the current researches on the polarization mechanism of GaN-based materials are not sufficient. In this paper, we studied the influence of polarization on electric field and energy band characteristics of Ga-face GaN bulk materials by using a combination of theoretical analysis and semiconductor technology computer-aided design (TCAD) simulation. The self-screening effect in Ga-face bulk GaN under ideal and non-ideal conditions is studied respectively. We believe that the formation of high-density two-dimensional electron gas (2DEG) in GaN is the accumulation of screening charges. We also clarify the source and accumulation of the screening charges caused by the GaN self-screening effect in this paper and aim to guide the design and optimization of high-performance GaN-based devices. 相似文献
7.
本文报道二种新的配体:双四苯基卟啉基对苯二甲亚胺(I),双[(5,10,15-三甲苯基)-20-苯基)卟啉基]对苯二甲亚胺(Ⅱ),并合成了相应的单金属铑配合物Ⅲ.Ⅳ,进行了元素分析,电子光谱,红外光谱.质子核磁共振及光助还原水放氢实验. 相似文献
8.
9.
目标散射场全息重建方法研究 总被引:7,自引:1,他引:6
阐述了基于边界元方法(BEM)的散射场近场声全息,这种方法可以由测量的散射近场数据重建散射体表面散射场并预报整个散射场。文中首先推导了这种方法及相关的散射场分离方法的基本公式,然后通过数值仿真分析了不同全息图面的不同对全息重建结果的影响、奇异值滤波方法的作用、散射场分离方法的可行性等问题。 相似文献
10.