基于SSCVD方法的a-b轴取向ZnO薄膜制备

以Zn₄(OH)₂(O₂CCH₃)₆·2H₂O为单一固相有机源,采用单源化学气相沉积法(Single sour cechem icalvapor deposition,SSCVD)在Si(100)衬底上制备ZnO薄膜,用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)分析ZnO薄膜样品的晶体结构和微观形貌,并用X射线光电子能谱(XPS)对薄膜的锌氧化学计量比进行了分析。研究结果表明:在非平衡条件下所得到的ZnO薄膜沿a-b轴取向生长,基片温度对ZnO薄膜生长过程影响较大,随着基片温度的升高,薄膜呈现c轴生长趋势;晶粒成柱状、尺寸均匀、膜层结构致密;薄膜样品中n_Zn:n_O=0.985。     

台湾“中华珠算学术研究会”成立

近年来，正在掀起珠算热的台湾省又多了一个珠算学术团体。由台湾台北市立松山高级商业职业学校校长李锡津先生创办的台湾“中华珠算学术研究会”近日经台湾省批准正式成立。     

EAST���ӻ���������1.5MW��Ƶ�Ŵ������о�

介绍了EAST上ICRF辅助加热系统1.5MW射频信号源中工作频率为25～70MHz的末级功率放大器的研制工作,从最优工作参数、输入回路和输出回路三个主要方面详细分析了该级大功率宽频带射频放大器。经比较,分析结果和测试数据显示了很好的一致性,这为实现ICRF加热系统的可靠运行奠定了基础。     

2.45GHz ECR 强流等离子体源核心部件设计与实验研究

电子回旋共振(Electron Cyclotron Resonance,ECR)等离子体源能产生高电荷态离子、高流强的单电荷态离子，提供稳定的束流和良好的重复性.核心部件的设计对ECR等离子体源是至关重要的，磁场对等离子体的生成和分布有直接影响，良好的磁场可以提高等离子体的性能和效率.采用有限元分析方法对ECR等离子体源磁场进行分析与设计，得到了满足设计需求与目标的磁场位形，通过高斯计对设计的永磁环轴向磁场精确测量，发现磁场仿真结果与实验结果吻合比较好，只是轴向磁场最大值及对应位置上有点偏差.通过集成实验，研究核心部件对离子源引出束流强度的影响，引出束流稳定且强度达到7 m A.