ZnS中Te等电子中心的时间分辨光谱研究

用时间分辨光谱研究了很大的Te组分范围内的ZnS_1-xTe_x（x=00 05—085）合金的发光动力学特性，结果表明：不同形态的Te等电子中心具有不同的辐射复 合寿命，从几个ns到几十个ns的范围内变化，当x＝015左右时，寿命达到最大值（约 40ns）.其物理机理源于不同的Te等电子中心具有不同的局域化特性.当Te组分较小时，等 电子中心从Te₁逐渐演变到Te₂，Te₃或Te₄ 时，相应发光寿命增加，表现出不断增强 的激子发光局域化特性；而当Te组分较大时，Te原子团变得较大，其局域势与基体原子势的 相互作用增强，等电子中心的局域化特性减弱，而基体价带扩展态特征变得明显起来，相应 发光寿命逐渐减小.还研究了激子束缚能随Te组分的变化以及发光强度随温度的变化关系， 所得结果进一步支持了时间分辨光谱研究所得到的结论. 关键词： ZnS 等电子中心 时间分辨光谱 局域态     

自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究

利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构.下层InAs已经成岛，由于应力传递效应，上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML.透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点，但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰.     

超小碳纳米管的高效率光致可见发光

镶嵌在分子筛骨架中的4A直径的单壁碳纳米管可发出高效的、位于可见光区的光致发光．发光谱呈较宽的线形，其效率约为1％—5％．无论是对激发光的响应，还是发光强度都有很强的偏振依赖特性．结合其吸收光谱、拉曼光谱以及电子能带结构的理论计算，作者讨论了4A碳纳米管的发光机制，并给出了合理的解释．     

Effect of Nonradiative Recombination on Carrier Dynamics in GaInNAs/GaAs Quantum Wells

The nonradiative recombination effect on carrier dynamics in GalnNAs/GaAs quantum wells is studied by timeresolved photoluminescence （TRPL） and polarization-dependent TRPL at various excitation intensities. It is found that both recombination dynamics and spin relaxation dynamics strongly depend on the excitation intensity. Under moderate excitation intensities the PL decay curves exhibit unusual non-exponential behaviour. This result is well simulated by a rate equation involving both the radiative and non-radiative recombinations via the introduction of a new parameter of the effective concentration of nonradiative recombination centres in the rate equation. In the spin dynamics study, the spin relaxation also shows strong excitation power dependence. Under the high excitation power an increase of spin polarization degree with time is observed. This new finding provides a useful hint that the spin process can be controlled by excitation power in GaInNAs systems.     

自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学研究

介绍了最新发展的粒子数混合超快光谱测量技术,以及采用该技术对自组织生长InAs/GaAs量子点发光动力学的研究结果.实验发现,自组织InAs/GaAs量子点结构的发光寿命大约为1ns,与InAs层厚度关系不大;激子寿命与温度有一定的关系,但没有明显的实验证据表明与量子点的δ态密度有关;用粒子数混合技术,实验上可直接观察到量子点中载流子在激发态能级的态填充过程. 关键词：     

半导体超晶格量子阱研究

 自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型.     

AlInGaN材料的生长及其光学性质的研究

研究AlInGaN材料的生长特性及其光学性质.通过对不同生长温度生长的三个AlInGaN样品的 测量，发现In的掺入量随着生长温度的降低而增加，而Al的掺入几乎没什么变化；在较低温 度下生长的材料具有较好的材料质量与光学特性，其原因直接与In组分的掺入有关，In组分 的掺入可以减少材料的缺陷，改善材料的质量.同时，用时间分辨光谱研究了AlInGaN材料的 发光机理，发现其发光强度随时间变化（荧光衰退寿命）不是指数衰减，而是一种伸展的指 数衰减.通过对这种伸展的指数衰减特性的研究，发现AlInGaN发光来自 关键词： AlInGaN MOCVD 局域激子 量子点     

非共振激发条件下微腔中激子自发辐射的时间分辨光谱

低温下,测量了InGaAs量子阱平面微腔的时间分辨光谱。在非共振激发条件下,观察到上下两支腔极化激元光荧光的衰退时间与失谐无关;下支腔极化激元光荧光的上升时间也与失谐无关;而上支腔极化激元光荧光的上升时间却与失谐有强烈的依赖关系,随着从负失谐到正失谐的增加,上升时间逐渐减小。对实验结果的物理根源进行了讨论。     

反胶束法合成Cd1-xMnxS量子点及其发光性能研究

应用反胶束法制备了稀磁半导体Cd1-xMnxS量子点.量子点的大小可通过改变ωo值(wo=[水]/[表面活性剂])来控制.高分辨透射电镜的分析结果表明,量子点呈单分散性,是几乎没有缺陷的单晶体.量子点的大小约为4.8～6nm,随wo值增大而增大.电子能谱(EDS)测定结果表明,Mn2+离子在量子点中的摩尔分数为1.5%.由电子自旋共振(ESR)分析确定一部分Mn2+离子取代Cd2+离子位置而位于晶格,另一部分Mn2+离子位于Cd1-xMnxS的表面或间隙位置.吸收光谱显示,随着量子点变小,吸收带边发生蓝移,显示明显的量子尺寸效应.光致荧光光谱分析表明,发光峰属于Mn2+的4T1-6A1跃迁,而且随着ωo和粒径的增大,发光峰从2.26,2.10,2.05eV红移到1.88eV;其发光峰偏离2.12eV,主要是由于Mn2+离子位于扭曲的四面体晶体场所致.