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| 半导体超晶格量子阱研究 | |
| 引用本文： | 徐仲英,孔梅影.半导体超晶格量子阱研究[J].现代物理知识,1990,1(3):19-21. |
| 作者姓名： | 徐仲英 孔梅影 |
| 摘 要： | 自从1969年美国IBM公司的江畸(L.Esaki)和朱兆祥提出超晶格概念以来,半导体超晶格量子阱的研究巳成为半导体领域自40年代末单晶和晶体管问世以来所发生的最重大事件.这个研究领域之所以倍受重视,除了因为有明显的技术应用前景之外,还因为在物理上它提供了一个极好的、能在实验上观测量子尺寸效应的理想模型. |
| 关 键 词： | 半导体超晶格 超晶格量子阱 薄层 异质结 势阱 外延方法 光电器件 价带 能级 势垒 |
| 收稿时间： | 1989-10-12 |
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