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自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究
引用本文:王志明,封松林,吕振东,杨小平,陈宗圭,宋春英,徐仲英,郑厚植,王凤莲,韩培德,段晓峰.自组织InAs/GaAs量子点垂直排列生长研究[J].物理学报,1998,47(1):89-93.
作者姓名:王志明  封松林  吕振东  杨小平  陈宗圭  宋春英  徐仲英  郑厚植  王凤莲  韩培德  段晓峰
作者单位:中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院半导体研究所超晶格微结构国家重点实验室,北京 100083;中国科学院北京电子显微镜实验室,北京 100080;中国科学院北京电子显微镜实验室,北京 100080;中国科学院北京电子显微镜实验室,北京 100080
基金项目:国家自然科学基金和国家攀登计划资助的课题.
摘    要:利用自组织生长InAs/GaAs量子点的垂直相关排列机制,生长了上下两层用6.5nm GaAs间隔的InAs结构.下层InAs已经成岛,由于应力传递效应,上层InAs由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生,临界厚度从1.7ML变成小于1.5ML.透射电子显微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的InAs量子点,但是由于两层量子点之间存在强烈的电子耦合,光致发光谱中只有与包含大量子点的InAs层相对应的一个发光峰.

收稿时间:4/1/1997 12:00:00 AM

STUDY OF VERTICALLY ALIGNING GROWTH OF SELF-ASSEMBLED InAs/GaAs QUANTUM DOTS
WANG ZHI-MING,FENG SONG-LIN,Lv ZHEN-DONG,YANG XIAO-PING,CHEN ZONG-GUI,SONG CHUN-YING,XU ZHONG-YING,ZHENG HOU-ZHI,WANG FENG-LIAN,HAN PAI-DE and DUAN XIAO-FENG.STUDY OF VERTICALLY ALIGNING GROWTH OF SELF-ASSEMBLED InAs/GaAs QUANTUM DOTS[J].Acta Physica Sinica,1998,47(1):89-93.
Authors:WANG ZHI-MING  FENG SONG-LIN  Lv ZHEN-DONG  YANG XIAO-PING  CHEN ZONG-GUI  SONG CHUN-YING  XU ZHONG-YING  ZHENG HOU-ZHI  WANG FENG-LIAN  HAN PAI-DE and DUAN XIAO-FENG
Abstract:We have grown two-layer InAs structures spaced by 6.5nm GaAs. Self-assembled InAs quantum dots (QDs) occur in the first layer with 2.5ML InAs coverage due to S-K growth mode. The second layer changes from 2D to 3D growth when the thickness of InAs is 1.5ML, which is obviously smaller than the critical thickness (1.7ML) of single InAs layer structures. Transmission electron microscopy shows that two-layer QDs with different heights have been obtained according to the mechanism of a vertically correlated arrangement. But only one photoluminescence peak related with large QD ensemble has been observed as a result of strong electronic coupling in InAs QD pairs.
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