排序方式: 共有54条查询结果,搜索用时 31 毫秒
1.
2.
3.
经过三十年的改革开放,中国企业竞争已经由产品时代进入到资本时代,CFO必然要经的“账房先生”再造为驾驭资本的“公司财神”。 相似文献
4.
5.
6.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)和离子注入的方法制备了掺铕GaN薄膜。利用Raman散射技术研究薄膜的晶格振动,从而确定离子注入引进的晶格损伤变化情况。结果表明,Eu离子注入剂量越大,对晶格的损伤越严重;Eu离子注入的能量越高,对晶格的损伤也越严重;采用沟道注入方法可以有效地减小对晶体的损伤。离子注入后进行高温退火,可以使晶格中的Ga空位引起的缺陷得到有效的恢复。而N空位引起的缺陷随着退火温度的升高先减少后增多。不同几何配置的Raman谱研究表明,1000℃的高温退火导致了GaN的分解。 相似文献
7.
8.
9.
用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)的方法,以固定的氢气(H2)流量和不同的硅烷(SiH4)和甲烷(CH4)流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC(a-Si,C1-x-H)膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料,通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H(a-SixC1-x-H:Er)膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱(XPS)、红外吸收光谱(IR)、拉曼散射谱(Raman)等技术研究不同的SiH4/CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H:Er发光强度的影响。结果表明,高温退火引起了膜中C的分凝,对饵的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较,表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。 相似文献
10.
利用背散射/沟道(RBS/C)技术、原子力显微镜(AFM)和光致发光(PL)谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS/C结果表明,注入Pr后,在注入层引入了晶格损伤;注入样品经1050℃退火后,部分损伤得到恢复,但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明,注入Pr后,表面凹凸不平,而且在注入区引起了膨胀,膨胀幅度达到23.368nm左右。PL结果表明,在850—1050℃退火,发光强度按e指数增加;当退火温度达到1050℃,发光强度最强,经过数据拟合可得Pr^3+的热激活能为5.8eV。 相似文献