| 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光 |
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| 引用本文： | 宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,许振嘉.掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光[J].发光学报,2005,26(4):513-516,i0001. |
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| 作者姓名： | 宋淑芳 陈维德 张春光 卞留芳 许振嘉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京100083;中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京100083 |
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| 摘 要： | 利用背散射／沟道（RBS／C）技术、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS／C结果表明，注入Pr后，在注入层引入了晶格损伤；注入样品经1050℃退火后，部分损伤得到恢复，但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明，注入Pr后，表面凹凸不平，而且在注入区引起了膨胀，膨胀幅度达到23．368nm左右。PL结果表明，在850—1050℃退火，发光强度按e指数增加；当退火温度达到1050℃，发光强度最强，经过数据拟合可得Pr^3＋的热激活能为5．8eV。
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| 关 键 词： | GaN Pr 背散射/沟道技术 光致发光 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）04-0513-04 |
| 收稿时间： | 2004-08-25 |
| 修稿时间： | 2004-08-252005-02-21 |
Micro-structure and Photoluminescence Studies of Pr-implanted GaN |
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| SONG Shu-fang,CHEN WEI-DE,ZHANG Chun-guang,BIAN Liu-fang,XU Zhen-jia.Micro-structure and Photoluminescence Studies of Pr-implanted GaN[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(4):513-516,i0001. |
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| Authors: | SONG Shu-fang CHEN WEI-DE ZHANG Chun-guang BIAN Liu-fang XU Zhen-jia |
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| Keywords: | GaN Pr |
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