| 掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性 |
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| 引用本文： | 卞留芳,张春光,陈维德,许振嘉,屈玉华,刁宏伟.掺铒a-SixC1-x-H薄膜的发光特性[J].中国稀土学报,2006,24(4):395-398. |
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| 作者姓名： | 卞留芳 张春光 陈维德 许振嘉 屈玉华 刁宏伟 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院半导体研究所,表面物理国家重点实验室,北京,100083
2. 中国科学院半导体研究所,超晶格国家重点实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，以固定的氢气（H2）流量和不同的硅烷（SiH4）和甲烷（CH4）流量比沉积了一系列的氢化非晶SiC（a-Si，C1-x-H）膜。用这种宽带隙的a-SixC1-x-H材料作为掺铒的基体材料，通过离子注入的方法得到掺铒的a-SixC1-x-H（a-SixC1-x-H：Er）膜。注入以后的样品经过不同温度的退火。用X射线光电子能谱（XPS）、红外吸收光谱（IR）、拉曼散射谱（Raman）等技术研究不同的SiH4／CH4流量比和退火温度对a-SixC1-x-H：Er发光强度的影响。结果表明，高温退火引起了膜中C的分凝，对饵的发光是不利的。通过低温和室温下铒发光强度的比较，表明这种材料具有较弱的温度猝灭效应。
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| 关 键 词： | 硅基材料 发光 稀土 |
| 文章编号： | 1000-4343（2006）04-0395-04 |
| 收稿时间： | 01 9 2006 12:00AM |
| 修稿时间： | 2006-01-092006-04-05 |
Photoluminescence Properties of Er-doped SiC Thin Film |
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| Bian Liufang,Zhang Chunguang,Chen Weide,Xu Zhenjia,Qu Yuhua,Diao Hongwei.Photoluminescence Properties of Er-doped SiC Thin Film[J].Journal of the Chinese Rare Earth Society,2006,24(4):395-398. |
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| Authors: | Bian Liufang Zhang Chunguang Chen Weide Xu Zhenjia Qu Yuhua Diao Hongwei |
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| Institution: | 1. State Key Laboratory for Surface Physics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100080, China; 2. State Key Laboratory for Superlattices and Microstructure, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Er SiC |
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