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Structural and Photoluminescence Properties of β-Ga2O3 Nanofibres Fabricated by Electrospinning Method 下载免费PDF全文
We have prepared the 13-Ga2 O3 nanofibres by electrospinning method followed by calcining in air at 900℃. The morphology and structure of the nanofibres are characterized by field emission scanning electron microscopy (FE-SEM), x-ray diffraction (XRD) and Raman technique. These nanofibres have diameters ranging from 60 to 130hm and lengths up to several millimetres. Photoluminescence (PL) spectrum under excitation at 325 nm shows that theseβ-Ga2 O3 nanofibres have a blue emission peaking at 466nm, which may be attributed to defects such as the oxygen vacancies, gallium vacancies and gallium-oxygen vacancy pairs. 相似文献
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利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3 离子在554nm处的强烈绿光发射. 相似文献
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利用简单的氨还原方法制备了GaN:Tb纳米颗粒. X射线衍射结果显示纳米颗粒为六方结构, 根据Scherrer公式, 计算得到了GaN:Tb纳米颗粒的平均晶粒大小为21.2 nm; 透射电子显微镜结果显示为GaN:Tb纳米颗粒尺寸均匀, 尺寸大小约为20 nm; 除正常的GaN Raman振动模式外, 还观察到了251和414 cm-1 2个额外的Raman散射峰, 前者是表面无序或尺寸限制效应造成的, 而后者则是八面体Ga-N6振动模式; 最后, 测量了GaN:Tb纳米颗粒的室温光致发光谱, 获得了Tb3+离子在可见光区(位于493.9, 551.2, 594.4和630.1 nm)的本征发光. 相似文献
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由于高光谱图像分类中现有的无监督波段选择方法无法计算出波段之间的相似性,以及在选择过程中存在的高维度特性,本文提出了一种基于变精度粗糙集的贪婪无监督高光谱波段选择方法。首先利用变精度粗糙集定义了一种新的依赖度量,使得它对变精度粗糙集中误分类参数变得不敏感,从而充分利用波段之间的相似性。其次,提出了一种新的判别准则,找出未选择和已选择波段子集中具有较高和较低的相似性值的波段。然后,采用一阶增量搜索法,逐条选择出所需的信息波段,从而避免大量信息的产生,减少计算复杂度。最后通过使用三个高光谱数据集将所提出的波段选择技术与五种最新技术进行比较。结果显示提出的方法对所有数据集均具有较好的分类精度,且在50%标记像素条件下平均分类精度相对于所有像素点平均分类精度分别仅下降了1.9%,3.1%以及4.1%。所提方法能够保证良好的分类性能与数据集泛化能力,并且对参数具有鲁棒性。 相似文献
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采用直流磁控溅射方法在不同的氩气-氮气(Ar-N2)气氛中制备了非晶氮化镓(a-GaN)薄膜. X射线衍射分析(XRD)和拉曼光谱(Raman)表明薄膜具有非晶结构. 通过椭偏光谱(SE)得到薄膜的折射率和厚度都随着氩气分量的增多而增大. 紫外—可见光谱(UV-Vis)的测量得到,当氩气分量R,即Ar/(Ar+N2),为0%时,薄膜的光学带隙为3.90eV,比晶体GaN (c-GaN) 的较大,这主要是由非晶结构中原子无序性造成的;而当R
关键词:
非晶氮化镓
溅射
光学带隙
带尾态 相似文献
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利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为58nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6—8nm之间;紫外可见谱结果表明在500—700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为322eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3+离子在554nm处的强烈绿光发射.
关键词:
纳米晶GaN薄膜
3+掺杂')" href="#">Er3+掺杂
光学带隙
光致发光 相似文献
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紫外荧光法是指SO_2分子在特定波长的紫外光照射下会产生荧光,通过检测荧光的强度就可以间接得到SO_2的浓度。但大气中SO_2浓度较低,荧光信号较弱,这就导致检测困难,在一定程度上限制了紫外荧光法的发展。针对这个问题,设计了用于采集荧光的光路。光路分别采用抛物面反射镜与菲涅尔透镜实现对不同发散角的荧光的准直,之后利用两个平凸透镜对平行光进行缩束,并使用两个平凸透镜汇聚荧光。采用射线追踪算法作为严格矢量分析的工具,对设计的光路进行仿真分析并与传统的荧光采集光路进行采集效果的对比,仿真结果表明该设计的光路采集荧光的效率要高于传统结构。 相似文献
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