GaAs掺杂超晶格的光反射谱

不同调制光强下测量了MBE GaAs掺杂超晶格的室温光反射谱。较低光强下观察到一系列对应于禁戒跃迁(△n≠0)的精细结构,因此否定了它是三阶微商谱的可能性。明确提出了掺杂超晶格的光反射为一阶微商谱,并讨论了其产生机制。理论计算结果能较好地解释实验现象。 关键词：     

高掺杂InGaAsP材料的荧光光谱和Moss-Burstein移动

本文研究了77K下,n型InGaAsP材料的阴极荧光。利用导带到类受主能级跃迁的模型,考虑到高掺杂样品带尾效应的影响,计算了高掺杂样品阴极荧光光谱随掺杂浓度变化的Moss-Burstein移动。理论计算结果与实验值较好地符合。     

用触针下分布电阻的光电导衰退测量锗和硅中少数载流子的寿命

研究了光谱成分不同的激发光和不同表面条件下锗和硅在触针下分布电阻的光电导衰退。对体寿命为τ的半导体,当用贯穿光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子分布均匀,分布电阻的改变随时间t的变化服从△R=△R₀e^-t/τ的规律;当用白光激发、表面复合速度小时,非平衡载流子的分布很不均匀,衰退服从△R=△R₀t^-1/2e^-t/τ的规律。但当表面复合速度大时,不管激发光的成分为白光或贯穿光,总是在体内激发的非平 关键词：     

砷化镓p-n结的受激发射的光谱特性

砷化镓p-n结的受激发射光谱是注入型光激射器的重要性能之一。本文报导了砷化镓激射器的发射光谱的精细结构,讨论了注入电流及热效应对器件工作状态的影响。 p-n结是由锌扩散入n型掺碲的砷化镓所制成的。谐振腔的两反射面用解理方法得到。器件在脉冲状态下产生受激发射。脉冲重复频率在2至200周/秒内可变脉冲波形为2微秒宽的矩形。在液氮温度下,器件的阈电流密度在2600安/厘米~2至6000安/厘米~2之间变化。     

多量子阱结构中热载流子弛豫过程中的非平衡声子效应

在多量子阱结构中的热载流子弛豫过程中考虑非平衡声子的存在,在求解载流子能量损失率方程中同时计入声子的发射和吸收,并联立解出非平衡声子的波耳兹曼方程,从而证明,在稳态和准平衡态条件下,由载流子能量损失率方程解出的弛豫时间τ_avg,实际上是电子-声子散射时间常数与非平衡声子寿命之和,而不是以往所认为的仅为电子-声子散射时间常数。     

1.8—4.2K GaAs_(1-x)P_x注N~+,注Zn~+光荧光谱

本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注Zn GaAs_(1-x)P_x样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。 利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓度的函数。 在1.8K,在同一样品上我们清晰地观测到对应N-Zn跃迁与N束缚激子复合的光谱。     

1.8—4.2K GaAs1-xPx注N+,注Zn+光荧光谱

本文研究了1.8—4.2K下离子注N,注ZnGaAs_1-xP_x样品的光致发光行为。实验结果表明由N-Zn跃迁完全转变到N束缚激子复合的x值依赖N,Zn的浓度。利用Campbell局域化模型计算了N-Zn跃迁与N束缚激子复合的几率比。这一几率比是组分x和N-Zn浓度的函数。在1.8K,在同一样品上我们清晰地观测到对应N-Zn跃迁与N束缚激子复合的光谱。 关键词：     

GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究

本文研究了低温淀积(例如T:<150℃)的GD a-Si:H在77K的时间分辨光致发光谱和荧光衰退。光致发光谱显示非对称形,荧光衰退显示出最初的快衰退,较长时间后为慢衰退。在快衰退范围内可用两个时间常数逐点分析时间分辨光谱,把主发光带分解为两个近似高斯形的发光带,对于Ts=127℃的薄膜,两发光带峰值位置在t=0时分别为1.73和1.58eV。快衰退两带的时间常数分别为10和23ns。文中还初步讨论了这两个发光带的起因。     

GaAs-GaAlAs多量子阱结构中热载流子弛豫过程

将微微秒非线性光学相关技术发展成一种新的微微秒时间分辨光谱技术,并用它研究了GaAs-GaAlAs多量子阶结构中非平衡载流子的弛豫过程,讨论了非平衡电子系统能量损耗的机理,给出了电子-声子散射的时间常数。 关键词：     

MBE生长的掺Be p-GaAs的光荧光谱

本文报道利用国产分子束外延(MBE)设备和Be元素生长的p-GaAs的低温光荧光谱,观察到FE,(D°,X),(A°,X),(D+,X)等束缚激子发光,判断外延层有较好的质量。在1.503～1.515eV之间观察8条与缺陷有关的(d,x)发光线。仔细分析了与Be,Ge受主有关的(BA)和(DA)发光现象。