BeF2分子基态势能函数研究

利用密度泛函理论（DFT）B3LYP/aug-cc-PVTZ方法对BeF和BeF2分子进行计算, BeF分子的基态电子态为X2Σ+,平衡核间距Re=0.1367 nm,BeF2分子最稳定构型为D∞h构型,基态电子态为X1Σg+,离解能De=13.4 eV。利用最小二乘法拟合了BeF分子基态的Murrell-Sorbie势能函数,并得到其光谱数据与力常数。结合全局多体项展式方法,导出了基态BeF2分子基态势能函数的解析表达式,该函数准确反映了BeF2分子的结构以及静态反应特征,这些结果为进一步探索BeF2的微观分子反应动力学提供了基础。     

Bi2Te3-xSex(x≤3)同晶化合物电子结构的第一性原理研究

本文采用基于密度泛函理论的第一性原理全势能线性缀加平面波方法(FLAPW),分析了Bi₂Te_3-xSe_x体系中各原子自旋轨道耦合(SOI)的p_1/2修正对体系性质的影响,并对Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物的电子特性进行系统的理论研究,首次计算出Bi₂S 关键词： 2Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物')" href="#">Bi₂Te_3-xSe_x(x≤3)同晶化合物 第一性原理 电子结构 自旋轨道耦合     

Z形石墨带的电子输运性质: 形状与尺寸效应

基于格林函数方法及Landauer-Büttiker公式, 研究了纳米石墨带异质结的电子输运性质, 石墨带异质结由Z 形石墨带与两个锯齿型石墨带电极构成. 研究发现电导大小依赖其几何构型. 由于电子局域在锯齿型石墨带边缘, 因此在费米能级附近出现了电导隙或电导谷. 调节结间石墨带的宽度, 发现准束缚态的存在诱导许多尖锐的电导峰, 电导峰的数目几乎与结间的石墨带长度无关. 在低能区, 当θ为60°或150°时, 宽度均匀的Z型石墨带仍然保持弹道输运特征. 因此, Z形纳米石墨带可选择地应用于未来的纳微电路.     

PdCO分子结构与势能函数

用密度泛函理论的B3LYP方法,对钯原子采用LANL2DZ收缩价基函数,碳原子和氧原子采用AUG-cc-pVTZ基组,对PdC,PdO和PdCO体系的结构进行优化,计算表明：PdC分子基态为¹Σ⁺态,键长为R_e=0.17285nm,离解能为4.919eV.PdO分子基态的平衡核间距为0.18546nm,其电子态为³Π,离解能为2.455eV,并拟合得到Murrell-Sorbie势能函数;PdCO分子有两 关键词： PdCO 分子结构 势能函数     

金刚石延(111)面生长的第一性原理研究

利用密度泛函理论(DFT)对碳原子在镍(111)表面吸附结构进行了计算，得到了吸附能以及态密度 (density of state, DOS)分布，分析了吸附在镍(111)面的碳原子和金刚石(111)面的碳原子的分波态密度(PDOS)，结果表明吸附在镍表面的碳原子具有与金刚石表面碳原子相类似的电子结构特点，即两者都存在孤对的和成键的sp³杂化电子,进而发现吸附在镍表面的碳原子极易与金刚石表面相互作用形成稳定的类金刚石几何结构. 关键词： 密度泛函理论 化学吸附 电子结构 金刚石生长     

Disorder-induced enhancement of conductance in doped nanowires

A new mechanism is proposed to explain the enhancement of conductance in doped nanowires.It is shown that the anomalous enhancement of conductance is due to surface doping.The conductance in doped nanowires increases with dopant concentration,which is qualitatively consistent with the existing experimental results.In addition,the I-V curves are linear and thus suggest that the metal electrodes make ohmic contacts to the shell-doped nanowires.The electric current increases with wire diameter (D) and decreases exponentially with wire length (L).Therefore,the doped nanowires have potential application in nanoscale electronic and optoelectronic devices.     

分子取向对CO在Pd(111)面吸附的影响

 用基于密度泛函理论广义梯度近似下的平面波赝势方法计算了在Pd(111)晶面两种不同CO分子取向的吸附结构。计算结果表明，CO分子碳端和氧端靠近Pd(111)面的吸附能分别为-1.75，-0.28 eV，碳端吸附的结构比氧端吸附能力强。因此，分子取向影响CO在Pd(111)面上的吸附，通过控制CO的取向可能减小Pd(111)的吸附进而减弱Pd(111)面CO分子的中毒。     

BeF_(2)分子基态势能函数研究

利用密度泛函理论(DFT)B3LYP/aug-cc-pVTZ方法对BeF和BeF_(2)分子的结构及电子性质进行计算,得到BeF分子的基态电子态为X^(2)Σ^(+),平衡核间距R_(e)=0.1367 nm,BeF_(2)分子最稳定构型为D_(∞h)构型,基态电子态为X^(1)Σ_(g)^(+),离解能D_(e)=13.4 eV.利用最小二乘法拟合了BeF分子基态的Murrell-Sorbie势能函数,并得到其光谱数据与力常数.结合全局多体项展式方法,导出了基态BeF_(2)分子基态势能函数的解析表达式,该函数准确反映了BeF_(2)分子的结构以及静态反应特征,这些结果为进一步探索BeF_(2)的微观分子反应动力学提供了基础.     

TiO_2的相变和热力学性质(英文)

利用第一性原理平面波赝势密度泛函理论方法对TiO2从金红石结构到萤石结构的相变进行了理论研究,并且通过准谐德拜模型分别得到了金红石和萤石结构TiO2的热力学性质.计算结果与实验值以及其它理论计算的结果都符合得很好,通过吉布斯能的计算得到TiO2从金红石结构到萤石结构的相变压强为47.74GPa,并成功地获得了相对体积(V/V0)、德拜温度(Θ)和热容(CV)随压强(p)和温度(T)的变化关系.     

3C-SiC的结构和热力学性质

利用第一性原理平面波模守恒赝势密度泛函理论研究了3C-SiC的结构, 其零温(0 K)零压下的晶格常数、体弹模量及其对压强的一阶导数、弹性常数的计算结果与实验值和其它理论计算结果相符合. 通过准谐德拜模型, 得到了不同温度不同压强下的热容和德拜温度, 发现热容随着压强增加而减小, 德拜温度随压强增加而增加, 并成功地获得了相对晶格常数、相对体积、体弹模量、热膨胀系数与温度和压强的关系.