白色荧光粉CaF2∶Yb3+/Eu3+/La3+的制备及其上转换发光特性

采用改进的两步高温固相熔融法制备了Yb^3+、Eu^3+、La^3+共掺杂CaF 2的上转换荧光粉。基于荧光猝灭原理,通过改变La^3+掺杂浓度来调节CaF 2∶Yb^3+/Eu^3+材料的发光性能,并在980 nm近红外光激发下,获得了该材料的白色上转换发光(UCL)。在该发光体系中,Yb^3+不仅起到了敏化Eu^3+的作用,同时,Yb^3+二聚体(Yb^3+-dimer)自身合作发出波长范围480~540 nm的绿色荧光。而白光三基色中的绿光正是来自Yb^3+二聚体的合作发光。Eu^3+则作为激活剂,同时发出红色和蓝色荧光。荧光寿命测试结果表明Yb^3+-dimer与Eu^3+之间存在有效的能量传递。值得注意的是,在980 nm激光激发下,1%La^3+掺杂的样品表现出最佳的红、绿、蓝三基色光比列,实现了材料的上转换白光发射,其色度坐标为(0.311,0.340)。     

基于超声微振动的风力机叶片除冰研究

风力机在寒冷潮湿地区工作时,叶片表面会产生积冰,降低叶片气动性能。为减少或去除积冰,提高风力机发电效率,本文开展了风力机叶片超声微振动除冰研究。设计了前缘为中空结构的翼型叶片,仿真计算了除冰振型,制作了叶片样件,测量了样件的固有频率。搭建了冰风洞试验系统和超声驱动系统,研制了一款翼型叶片冰层切向黏结力测量装置,开展了叶片超声微振动结冰时除冰和结冰后除冰研究,测量并计算了叶片表面结冰量和冰层黏结剪应力。研究结果表明,当结冰环境温度较高时,叶片结冰时超声微振动可以降低结冰量,具有除冰作用。在结冰后除冰中,可以显著降低冰层黏结强度。激振频率为21.2 kHz时,黏结强度最低,约为0.084 MPa。本研究为深入开展风力机叶片超声除冰技术奠定了基础。     

二维配位聚合物[Tb(1,4⁃bdc)1.5(phen)(H2O)]n的合成、晶体结构及对Fe3+离子的荧光检测

通过溶剂热反应成功合成出一种新型2D配位聚合物[Tb(1,4-bdc)_1.5(phen)(H₂O)]_n(1)(1,4-H₂bdc=对苯二甲酸;phen=菲咯啉)。对其进行了单晶X射线衍射、粉末X射线衍射、红外光谱、元素分析、荧光光谱表征。X射线衍射晶体学分析表明,配合物1结晶于三斜晶系P1空间群,2个相邻的Tb(Ⅲ)离子与4个1,4-bdc^2-通过—O—C—O—桥联成双核单元,并进一步通过1,4-bdc^2-桥联成二维层状结构。荧光实验证明配合物1可以通过荧光猝灭机制检测Fe₃₊,Ksv=8.39×10³ L·mol-1,检测限为0.017μmol·L^-1。     

高能多粒子产生:实验综述

本文综述了欧洲核子研究中心P(?)对撞机上多粒子产生的性质、实验数据以及截面、多重数分布、赝快度分布、横动量分布、关联、粒子产额和衍射分解等。     

新型超支状液晶核酸传感器用于p53突变基因的检测

基于核酸杂交链式反应影响液晶取向的原理, 构建了一种新型的超支状液晶核酸传感器用于检测p53突变基因. 本文突破传统构建超支状分子的方式, 采用杂交链式反应方法, 以目标序列p53突变基因作为引发剂, 3种不同的发卡探针Hairpin A, Hairpin B和Hairpin C为单体, 在温和的条件下, 通过改变单体的浓度和反应时间自发杂交组装形成尺寸和分子量可控的超支状DNA(branched-like DNA, bDNA). 借助捕获探针将该超支状DNA连接到液晶传感基底表面, 观察液晶分子取向改变前后的光学信号, 实现了p53基因含249密码子突变序列的快速检测. 本方法有望为核酸诊断的发展提供一种新的方法和思路.     

基于三角波瓣混合器的超声速流场精细结构和掺混特性

在超声速吸气式混合层风洞中,采用基于纳米粒子的平面激光散射(NPLS)技术对平板混合层和三角波瓣混合器诱导的混合层流场精细结构进行了对比实验研究.上下两层来流的实测马赫数分别为1.98和2.84,对流马赫数为0.2.NPLS图像清晰地展示了Kelvin-Helmholtz涡、流向涡、波系结构以及大尺度涡结构的配对合并过程.通过对比分析时间相关的NPLS流场图像,发现了大尺度拟序结构随时间发展演化的非定常特性.基于流动显示结果,采用分形维数和间歇因子指标对流场结构和混合特性进行了定量分析.实验研究表明,三角波瓣混合器诱导的流向涡结构显著提高了上下两层来流的掺混效率,其流动远场的分形维数突破了平板混合层中完全湍流区的分形维数值,达到了1.88,流场结构表现出明显的破碎性,有利于流动在标量层面的扩散和掺混.流动间歇性分析表明,流向涡与展向涡的相互剪切作用主导着混合层的掺混特性,同时由于流向涡的卷吸作用,三角波瓣混合器诱导的混合层混合区域更大,更多的流质被卷入混合区完成混合.     

稀土超磁致伸缩材料应力与电磁耦合特性的实验研究

讨论了稀土超磁致伸缩棒特性实验的若干应力与电磁耦合问题，利用自己设计制作的实验装置建立了应力电磁耦合系统的物理模型，应用阻抗分析方法得到了相应的等效电路。测定了在电磁场与应力场共同作用下ＴｂｘＤｙ１－ｘＦｅ２－ｚ三元稀土合金超磁致伸缩棒的磁致伸缩系数，机电耦合系数等。针对磁通泄漏问题，专门设计制作了圆柱型硅钢密闭磁路，本的实验结果为稀土眼磁致伸缩材料应用器提供了重要而准确的数据。     

磁控溅射制备铬薄膜的结构和光电学性质

用直流磁控溅射技术在石英基片上制备不同厚度(5 nm~114 nm之间)的铬膜.使用X射线衍射仪和分光光度计分别检测薄膜的结构和光学性质,利用德鲁特模型和薄膜的透射、反射光谱计算铬膜的厚度和光学常量,并采用Van der Pauw方法测量薄膜电学性质.结果表明:制备的铬薄膜为体心立方的多晶态,随着膜厚的增加,薄膜的结晶性能提高,晶粒尺寸增大;在可见光区域,当膜厚小于32 nm时,随着膜厚的增加,折射率快速减小,消光系数快速增大,当膜厚大于32 nm时,折射率和消光系数均缓慢减小并逐渐趋于稳定;薄膜电阻率随膜厚的增加为一次指数衰减.     

Improvement in a-plane GaN crystalline quality using wet etching method

Nonpolar （1120） GaN films are grown on the etched a-plane GaN substrates via metalorganic vapor phase epitaxy. High-resolution X-ray diffraction analysis shows great decreases in the full width at half maximum of the samples grown on etched substrates compared with those of the sample without etching, both on-axis and off-axis, indicating the reduced dislocation densities and improved crystalline quality of these samples. The spatial mapping of the E2 （high） phonon mode demonstrates the smaller line width with a black background in the wing region, which testifies the reduced dislocation densities and enhanced crystalline quality of the epitaxial lateral overgrowth areas. Raman scattering spectra of the E2 （high） peaks exhibit in-plane compressive stress for all the overgrowth samples, and the E2 （high） peaks of samples grown on etched substrates shift toward the lower frequency range, indicating the relaxations of in-plane stress in these GaN films. Furthermore, room temperature photoluminescence measurement demonstrates a significant decrease in the yellow-band emission intensity of a-plane GaN grown on etched templates, which also illustrates the better optical properties of these samples.     

Resistivity－temperature characteristics of sol gel YBa2Cu3Oy samples synthesized in flowing oxygen atmosphere

The relationship of resistivity versus synthesizing temperature of sol gel YBa_2Cu_3O_y samples was studied when prepared under flowing oxygen conditions. A set of high-temperature ρ－T curves was obtained for the whole process. After the sample finished the test measuring, its resistivity was ρ_{300}=9.83×10^{-3 }Ω·cm at room temperature. The ρ－T curve also showed that the orthorhombic－tetragonal phase transformation of sol-gel YBa_2Cu_3O_y sample occurred at 581℃ for the sample in the rising temperature process, but at 613℃ in the cooling process, lower than that of the samples made by using the conventional powder metallurgy methods.