不同含水量条件下树种叶片光谱差异分析

叶片含水量是影响树种光谱特征的一个重要因素,探索不同叶片含水量条件下相同树种叶片光谱特征的变化规律及相同叶片含水量条件下不同树种叶片的光谱差异,不仅是高光谱植被遥感信息识别的关键,也为研究植被光谱随着叶片含水量变化产生的差异提供理论支撑。利用地物光谱仪对6个树种叶片进行观测,获取了不同含水量叶片的反射光谱,同时进行一阶微分光谱变换,从而分析不同叶片含水量条件下各树种叶片的光谱变化特征,对比了相同叶片含水量条件下不同树种叶片的光谱差异,探索高光谱遥感识别树种叶片含水量的可能波段。结果表明：各树种叶片光谱都随着叶片含水量的改变而产生较大差异,但变化规律各有不同;相同叶片含水量条件下,不同树种叶片的光谱在部分波长范围差异较大,为实现树种高精度识别提供了可能。本研究旨在为植被叶片光谱库的构建以及植被的高光谱识别提供理论支撑和基础数据。     

用BASIC语言实现算法(一)——BASIC语言基础

用计算机解决一个问题的过程就是实现一个算法的过程 .我们确定了解决问题的方法和步骤(即算法 )后 ,需要用某种计算机语言编写出程序并输入计算机 ,计算机执行程序后才能得到最后结果 .程序设计语言就是用来书写计算机程序的语言 ,程序设计语言经历了一个发展过程 :第一代语言指能在计算机上直接运行的机器语言 .第二代语言是指用符号表示指令的汇编语言 .第三代语言称高级语言 ,是面向过程的语言 ,主要有BA SIC、FORTRAN、COBOL ,PASCAL ,CLOGO ,LISP ,PROLOG等 .第四代语言指 2 0世纪 70年代后开始出现的非过程化语言 .…     

用BASIC语言实现算法（3）

在熟悉BASIC语言的输入、输出语句后，我们就可以编写一些最简单的BASIC程序了．如何将编好的程序输入计算机调试、执行呢?下面就介绍用BASIC语言上机的过程和常用的命令．先介绍GW—BASIC程序的上机环境、上机过程及所用命令．     

用BASIC语言实现算法（4）——分支结构和循环结构

用顺序结构仅能编写一些简单的程序，进行简单的运算．远远不能达到人们的要求．现实问题经常要求计算机能进行逻辑判断，即给出一个条件，计算机判断是否满足该条件，并根据不同的情况作不同的处理，下面我们举两个例子．     

点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响

系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p⁺外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O₂作为保护气氛时,p⁺衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N₂作为保护气氛时,重掺硼p⁺衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O₂作为保护气时引入的自间隙硅原子（Si_I）可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N₂作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p⁺外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.     

H2在WO3表面解离吸附反应的第一性原理研究

采用第一性原理方法对H2在WO3表面的解离吸附反应进行了研究.首先通过清洁表面模型的计算,证明了c(2×2)重构表面是最稳定的WO3(001)表面构型;进而研究了4种可能的H2解离吸附模型,结果表明最可能的吸附反应为两个氢原子吸附在表面O1c原子上,氢原子被氧化在表面形成水,同时伴随着产生一个表面氧空位.态密度结果表明氢的吸附导致体系能带下移,导带部分填充电子,从而阐明了实验中WO3吸附H2后电导率上升的微观机理.     

WO3（001）极性表面及氢吸附特性的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对WO3 (001)的极性表面及其氢吸附特性进行了理论计算.通过对比WO表面和纯氧表面的表面化学势研究了两个极性表面的热力学稳定性,并分别计算了表面的几何结构和电子结构.结果表明:在贫氧环境中WO表面比较稳定,而在富氧环境中纯氧表面更稳定,WO表面和纯氧表面分别呈现n型半导体和p型半导体特性,表面原子通过调整W-O键长和键角实现表面弛豫.氢原子在两个极性表面不同吸附位置的计算表明:对WO表面和纯氧表面,W5c位和O1c位分别是稳定的吸附位置,且两者具有不同的反应特性.     

铜沉淀对直拉硅单晶中洁净区形成的影响

研究普通热处理和快速热处理工艺下直拉单晶硅中过渡族金属铜杂质对洁净区生成的影响. 通过腐蚀和光学显微镜研究发现,常规高-低-高三步洁净区生成热处理样品中, 第一步高温热处理前对样品铜沾污,样品中没有洁净区生成,高密度的铜沉淀布满了样品整个截面. 而第二步、第三步热处理过程中引入铜杂质不影响洁净区的生成. 研究表明,高温热处理过程中生成的铜沉淀不能溶解是导致洁净区不能形成的最主要原因. 另外,由于不同温度下热处理,导致引入铜杂质的平衡浓度不同,会在一定程度上影响洁净区的厚度. 对于快速热处理样品,可以得到相似的结果. 关键词： 直拉单晶硅 铜沉淀 洁净区     

一类算子方程的解及其近似解的讨论

各种类型算子方程解及其近似解的讨论早已为人们所研究,特别是对只含单调算子或全连续算子的方程已有许多好的结果.(见参考文献(1))本文考虑形如 F(u)=G(u)的算子方程,其中算子 F 为强单调,G 为全连续且渐近线性,在一定条件下给出该方程解的存在性定理,并在一些较强的假设下给出该方程解的唯一性及其伽略金解的     

算法初步（2）——几种数学问题的算法

在这篇文章里，我们将结合例子介绍几种常用的算法，这些算法常用于解决一些数学问题。