| 点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响 |
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| 引用本文： | 吉川,徐进.点缺陷对硼掺杂直拉硅单晶p/p~+外延片中铜沉淀的影响[J].物理学报,2012,61(23):369-373. |
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| 作者姓名： | 吉川 徐进 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学材料学院,厦门,361005
2. 厦门大学材料学院,厦门361005 福建省防火阻燃材料重点实验室,厦门361005 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，福建省重大平台建设基金( |
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| 摘 要： | 系统研究了点缺陷对晶体硅中氧沉淀生成的影响,及点缺陷和氧沉淀对重掺硼直拉硅单晶p/p+外延片中铜沉淀的影响.样品先在不同的气氛下进行1250℃/60 s快速热处理,随后在750℃/8 h+1050℃/16 h常规热处理过程中引入铜沾污.通过腐蚀结合光学显微镜研究发现,以O2作为保护气氛时,p+衬底中的沉淀密度较小,以Ar和N2作为保护气氛时,重掺硼p+衬底中生成了高密度的沉淀,且在上述所有样品的外延层中均无缺陷生成.研究认为,以O2作为保护气时引入的自间隙硅原子（SiI）可以抑制沉淀的形成,而以Ar和N2作为保护气氛时引入的空位则会促进沉淀的生成,这是导致此差异的主要原因.另外,研究还发现,p/p+外延结构能很好地吸除硅片中的铜杂质,从而保持了外延层的洁净.
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| 关 键 词： | 点缺陷 重掺硼 外延片 铜沉淀 |
Effect of point defects on copper precipitation in heavily boron-doped Czochralski silicon p/p+ epitaxial wafer |
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| Ji Chuan,Xu Jin.Effect of point defects on copper precipitation in heavily boron-doped Czochralski silicon p/p+ epitaxial wafer[J].Acta Physica Sinica,2012,61(23):369-373. |
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| Authors: | Ji Chuan Xu Jin |
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| Affiliation: | 1)2)) 1)(College of Materials,Xiamen University,Xiamen 361005,China) 2)(Fujian Provincial Key Laboratory of Fire Retardant Materials,Xiamen 361005,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | point defects heavily boron-doped silicon epitaxial wafer copper precipitation |
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