变燃速发射药两相流内弹道模型及数值模拟

 为了更好地描述变燃速发射药的膛内燃烧及内弹道过程,对中心开孔式双层结构的变燃速发射药建立了一维两相流内弹道数学模型,在Φ30 mm火炮装填条件下采用二阶精度的Lax-Wendroff差分格式进行计算,得到了数值解。计算结果表明：膛内压力和炮口初速度变化曲线的计算值与实测值符合较好,说明此两相流内弹道模型可以准确地反映变燃速发射药的内弹道过程;变燃速发射药可以有效地减少膛内压力波的产生,对于安全射击具有重要意义。通过对气、固相速度及膛内压力波等计算参数进行分析,可以对变燃速发射药的内弹道过程研究起指导作用。     

BiOBr/Bi/BiPO4复合材料的制备及可见光光催化性能研究

本文成功制备了BiOBr/Bi/BiPO4三元复合光催化剂,并通过对甲基橙(MO)降解活性的测试发现,在可见光条件下,BiOBr/Bi/BiPO4表现出优良的光催化活性.采用XRD、XPS和HRTEM对所制备催化剂的结构、组成和形貌进行表征,DRS表征说明单质Bi的加入有利于可见光吸收光谱的拓宽,PL和PC表征说明单质Bi的等离子共振效应有利于复合光催化剂光生载流子的分离,从而提高复合光催化剂的光催化降解活性.     

旋涂法制备功能薄膜的研究进展

作为众多的薄膜制备方法之一,旋涂法具备薄膜厚度精确可控、高性价比、节能、低污染等优势,在微电子技术、纳米光子学、生物学、医学等领域中有着广阔的应用前景.本文简单介绍了旋涂法的模型、机理及其主要参数的估算方法,并总结了近几年来用旋涂法制备光学、微电子学等功能薄膜的新进展,最后对旋涂法的发展前景进行了展望.     

晋城粉煤煤灰不均匀熔融规律研究

提出了煤灰不均匀熔融概念,有助于解决灰熔融性测定结果和锅炉实际情况不符的问题。采用山西晋城煤,将其粉磨到工业煤粉细度,通过浮沉分成不同密度级别子样,使用灰锥法测定其在弱还原气氛下的熔融温度,使用压降法测量其烧结温度,采用XRD、XRF、SEM-EDX等分析手段对灰样的不均匀熔融现象进行机理研究。结果表明,晋城煤灰软化温度为1501℃,而不同密度级别子样发生分化,软化温度从1292℃到高于1600℃变化;同样,晋煤煤灰烧结温度为885℃,子样的烧结温度从833到943℃变化。机理研究表明,不同密度级别子样Al₂O₃、Fe₂O₃和SO₃含量发生不均匀分布,是造成煤灰熔融特性和烧结特性差异的根本原因。     

非平行矩形板电容器测杨氏模量的改进

针对已有的非平行矩形板电容器测量杨氏模量的实验装置,提出了差动式结构的改进方案;通过对改进前后装置的灵敏度和相对非线性误差的分析表明：改进方案的灵敏度提高一倍,相对非线性误差将大大降低。     

Magnetism and piezoelectricity of hexagonal boron nitride with triangular vacancy

First-principle calculations reveal that the configuration system of hexagonal boron nitride(h-BN) monolayer with triangular vacancy can induce obvious magnetism, contrary to that of the nonmagnetic pristine boron nitride monolayer.Interestingly, the h-BN with boron atom vacancy(VB-BN) displays metallic behavior with a total magnetic moment being 0.46μ_B per cell, while the h-BN with nitrogen atom vacancy(VN-BN) presents a half-metallic characteristic with a total magnetic moment being 1.0μ_B per cell. Remarkably, piezoelectric stress coefficient e_(11) of the VN-BN is about 1.5 times larger than that of pristine h-BN. Furthermore, piezoelectric strain coefficient d_(11)(12.42 pm/V) of the VN-BN is 20 times larger than that of pristine h-BN and also one order of magnitude larger than the value for the h-MoS_2 monolayer, which is mainly due to the spin-down electronic state in the V_N-BN system. Our study demonstrates that the nitrogen atom vacancies can be an efficient route to tailoring the magnetic and piezoelectric properties of h-BN monolayer, which have promising performances for potential applications in nano-electromechanical systems(NEMS) and nanoscale electronics devices.     

高铼酸钙与PETE基础油的复配及其宽温度范围减摩性能

优选出将Ca(ReO4)2粉末长期稳定分散在季戊四醇脂(PETE)基础油中的表面活性剂体系及其含量,制备出含Ca(ReO4)2成分的PETE复配油品.考察了油品从室温到600℃对Si3N4球/GH128盘摩擦副的润滑能力.结果表明:OP-10加SDS的表面活性剂体系具有超过90天的稳定分散效果,Ca(ReO4)2质量百分数为0.5%~1.0%的PETE复配润滑油,在宽温度范围具有良好的减摩效果,全程摩擦系数保持在0.15~0.25.讨论了从油润滑平稳过渡到固体薄膜润滑的混杂润滑模式的作用机理.     

介质环境对铜丝电爆炸制备纳米粉体的影响

为了探究介质环境对电爆炸制备纳米粉体的影响, 搭建了相应的电爆炸实验平台, 以铜丝为例分别在水和不同空气压力下开展了电爆炸制备纳米粉体实验.通过Rogoswki线圈和高压探头分别测试了电爆炸过程中的电流和电压波形图.通过电压、电流及能量沉积特征分析了电爆炸的基本过程以及介质环境在电爆炸过程中的作用.运用透射电子显微镜对爆炸产物进行了粒度分析.研究发现, 介质环境对于电爆炸过程的影响主要表现在汽化化阶段以后, 包括介质对蒸汽膨胀的抑制作用, 介质的电离对于铜丝表面击穿的影响以及其对高温金属蒸汽及等离子体的冷却作用.水中铜丝电爆炸能够制备局部均匀的小尺寸纳米粉体, 粒度多数集中在10–20 nm之间, 但粉体易积聚, 且整体粒度跨越较大.空气中制备的粉体分散良好, 符合对数正态分布, 基本上分布于20–100 nm之间, 平均粒度约为40 nm.     

隐钾锰矿型和水钠锰矿型氧化锰的研究进展

隐钾锰矿型(简写为Cry)和水钠锰矿型(简写为Bir)氧化锰是自然界中常见的锰的氧化物,因其特殊的结构和优越的离子交换、吸附、氧化和催化等性能而备受关注.本文简要介绍了Cry和Bir型氧化锰的结构特点和掺杂改性研究,综述了Cry和Bir型氧化锰作为催化剂在有机化合物的选择性氧化、挥发性有机化合物(VOCs)的降解以及污...     

Low-temperature phase transformation of CZTS thin films

The low temperature phase transformation in the Cu_2ZnSnS_4(CZTS) films was investigated by laser annealing and low temperature thermal annealing.The Raman measurements show that a-high-power laser annealing could cause a red shift of the Raman scattering peaks of the kesterite(KS) structure and promotes the formation of the partially disordered kesterite(PD-KS) structure in the CZTS films,and the low-temperature thermal annealing only shifts the Raman scattering peak of KS phase by several wavenumber to low frequency and the broads Raman peaks in the low frequency region.Moreover,the above two processes were reversible.The Raman analyses of the CZTS samples prepared under different process show that the PD-KS structure tends to be found at low temperatures and low sulfur vapor pressures.Our results reveal that the control of the phase structure in CZTS films is feasible by adjusting the preparation process of the films.