ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理

以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源，在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射，其峰值波长分别为380，369．5，290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系，但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区，而在真空紫外区(100～200nm)，可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。  

单晶ZnO纳米线的合成和生长机理研究

用化学气相输运(CVT)方法合成了直径在20～120nm呈单晶结构的ZnO纳米线.利用场发射扫描电 镜(FESEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)以及选区电子衍射(SAED)等技术对ZnO纳米线的生长机理和结构进行 了系统研究,结果表明,纳米线的成核与Au Zn合金催化颗粒的饱和度有直接的关系,先饱和的颗粒上纳米线首 先成核.纳米线顶端合金颗粒组成的变化是导致纳米线生长终止的重要原因,大量纳米线的生长不是同时进行 的.本工作提供了支持纳米线气液固(V L S)生长机理的新实验证据,提出了氧化物纳米线的生长机理.  

光电子衍射与表面结构分析

光电子衍射是近年来发展成熟的研究外延表面和吸附表面的原子位型、结构、化学键、磁性等物理化学性质的表达分析方法。本概述了其基本原理以及在理论、实践两方面的最新进展，并且具体阐述了在不同的实验条件下光电子衍射基本的数据处理方法，并结合一些近几年发展起来的技术如光电子全息、自旋分辨的光电子衍射（SPPD）、磁二向色性角分布（MDAD）等讨论了光电子衍射在各种低维体系中的应用。  

C+注入a-SiNx:H薄膜的微结构及光发射的研究

常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx:H 薄膜进行低能量高剂量的C 注入后,在800～1 200 ℃高温进行常规退火处理.X射线光电子能谱(XPS)及 X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800 ℃升高到1 200 ℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构.低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱.随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变.  

GaN(0001)表面的电子结构研究

报道了纤锌矿WZ(wurtzite)GaN(0001)表面的电子结构研究.采用全势线性缀加平面波方法计算得到了GaN分波态密度,与以前实验结果一致.讨论了Ga3d对GaN电子结构的影响.利用同步辐射角分辨光电子能谱技术研究了价带电子结构.通过改变光子能量的垂直出射谱勾画沿ΓA方向的体能带结构,与计算得到的能带结构符合得较好.根据沿ΓK和ΓM方向的非垂直出射谱,确定了两个表面态的能带色散  

角分辨光电子能谱技术及其应用进展

角分辨光电子能谱（ARPES）是研究晶体表面电子结构，如能带，费米面，以及多体相互作用的重要工具。本文概述了光电子激发的一般过程和单粒子近似下的理论模型。详细讨论了角分辨光电子能谱的能带勾画（Energy Band Mapping）和费米面成像（Fermi Surface Mapping）技术，以及高分辨下的角分辨光电子能谱在强相关体系研究中的应用。文章最后简单介绍了当前角分辨光电子能谱研究的新进展，如研究宽禁带半导体材料的表面电子结构，有机功能材料与金属的界面，金属超薄膜中的量子阱态，以及高温超导机理研究等。  

退火温度及退火气氛对ZnO薄膜的结构及发光性能的影响

采用脉冲激光沉积技术在Si/蓝宝石衬底上制备了ZnO薄膜,结合快速退火设备研究了不同退火温度(500~900 ℃)及退火气氛(N2,O2)对薄膜的结构及其发光性能的影响。 并优化条件得到具有最小半峰全宽及最大晶粒尺寸的薄膜。X射线衍射(XRD)结果表明:氮气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为900 ℃;氧气氛下退火的ZnO薄膜最佳退火温度为800 ℃。红外(IR)光谱中,退火后Zn-O特征振动峰红移,说明在退火过程中,原子重新排布后占据较低能量位置;同样的退火温度下,氮气氛下退火的薄膜质量更优。同步辐射光电子能谱(synchrotron-based XPS)分别表征了未退火及N2,O2下900 ℃退火的ZnO薄膜,分峰拟合结果表明氧气氛下退火产生更多的氧空位。 结构表征结合光致发光(PL)谱表明绿光的发光峰与氧空位有关。  

Y-123相超导体Cu位掺Sn的XPS研究

本文利用Ｘ射线光电子能谱实验技术（ＸＰＳ）研究了Ｙ－１２３相Ｃｕ位掺Ｓｎ超导体的电子结构．实验发现在掺杂量较小时，样品的芯能级谱都变化很小，特别是Ｃｕ２ｐ３／２谱，其卫星峰与主峰的强度比Ｉｓ／Ｉｍ还略有升高；但当掺杂量较大时，芯能级谱的变化方向与掺杂浓度较低时相反，Ｃｕ２ｐ３／２谱的Ｉｓ／Ｉｍ出现了明显下降．电子结构上的这种变化与Ｓｎ掺杂对超导转变温度的影响相一致．实验结果表明高价态的Ｃｕ确实有益于超导，杂质Ｓｎ主要占据在Ｃｕ－Ｏ链上Ｃｕ的格位上．  

GaAs表面硫化学钝化,CH3CSNH2处理新探

应用同步辐射光电子谱（SRPES）和光致荧光（PL）方法探讨不同钝化条件对GaAs表面键合状态和电子态的影响．发现无论在酸性溶液或碱性溶液条件下，经过CH₃CSNH₂处理的GaAs表面S都与Ga和As成键，形成硫化物钝化层；钝化层形成后，PL谱的强度明显增强，表明GaAs表面复合中心的减少和缺陷态密度的降低  

GaAs(100)表面硫钝化的新方法:CH3CSNH2/NH4OH处理

建立了一种硫钝化GaAs(100)表面的新方法,即CH₃CSNH₂/NH₄OH溶液处理,应用同步辐射光电子能谱(SRPES)和X射线光电子能谱(XPS)表征了该钝化液处理的n-GaAs(100)表面的成键,特性和电子态.结果表明,经过处理的n-GaAs(100)表面,S既与As成键也与Ga成键,形成S与GaAs的新界面,并且Ga和As的氧化物被移走,这标志着CH₃CSNH₂/NH_{4相似文献}