ZnO薄膜的特殊光谱性质及其机理

以同步辐射真空紫外光(195nm)为激发源,在低温下观察到Si基衬底上ZnO薄膜的发光有三种紫外发射,其峰值波长分别为380,369．5,290nm。它们各自具有不同的衰减时间和不同的温度依赖关系,但其激发谱相同。强激发带不在近紫外区,而在真空紫外区(100～200nm),可能源于ZnO的下价带(Zn3d组态)电子的激发。对三种紫外发射的来源作了分析讨论。     

磁二向色性光电发射

磁二向色性光电发射（ Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ） 技术是结合光电子能谱和磁二向色性技术的磁学测量方法,近年来已成为研究表面、界面和薄膜等低维体系磁性的重要手段。本文概述了其基本原理和实验方法,着重探讨几种 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 效应的产生及其理论解释,并介绍了 Ｍ Ｄ Ｐ Ｅ 在磁性过渡金属、稀土金属低维体系中的应用。     

Zn1-xCoxO稀磁半导体薄膜的结构及其磁性研究

利用X射线吸收精细结构、X射线衍射和磁性测量等技术研究脉冲激光气相沉积法制备的Zn1-zCoxO(x=0.01,0.02)稀磁半导体薄膜的结构和磁性.磁性测量结果表明Zn1-xCoxO样品都具有室温铁磁性.X射线衍射结果显示其薄膜样品具有结晶良好的纤锌矿结构.荧光X射线吸收精细结构测试结果表明,脉冲激光气相沉积法制备的样品中的Co离子全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn的格点位置,生成单一相的Zn1-xCoxO稀磁半导体.通过对X射线吸收近边结构谱的分析,确定Zn1-xCoxO薄膜中存在O空位,表明Co离子与O空位的相互作用是诱导Zn1-xCoxO产生室温铁磁性的主要原因.     

国家同步辐射实验室同步辐射光电子能谱站的新进展

简要地阐述了同步辐射的优越性，介绍了国家同步辐射实验室光电子能谱站与光束线的设备，综述了国内主要用主站工作人员在金属／半导体界面等方面所开展的工作和一些结果。     

钆在MgO（110）薄膜上的吸附

为研究钆在ＭｇＯ薄膜表面吸附的特性，首先在经硫代乙酰胺（ＣＨ３ＣＳＮＨ２）处理的ＧａＡｓ（１００）表面外延生长Ｐ型半导体ＭｇＯ（１１０）薄膜，然后利用同步辐射光电子能谱研究钆在此表面的吸附，结果发现由于Ｇｄ／ＭｇＯ界面的能够弯曲使Ｍｇ２ｐ向高结合能端位移０．４ｅＶ，而且从实验结果推断，钆与衬底反应很弱，并且主要以团簇的形式吸附。     

6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构制备及其发光特性

利用固源分子束外延(SSMBE)生长技术, 在1350K的衬底温度下, 通过改变Si束流强度, 在6H-SiC(0001)面上外延生长6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜, 并用反射高能电子衍射(RHEED)与光致发光(PL)谱对生长的薄膜的晶型和发光特性进行表征. RHEED 结果显示生长的薄膜为6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构薄膜. 室温下He-Gd激光激发的光致发光(PL)谱显示, 薄膜在480-600 nm范围内存在衬底未观察到的较强发光. 拟合得到的发光峰与依据量子阱结构模型计算出的发光位置较为一致. 由此表明, 该强发光带可能是6H-SiC/3C-SiC/6H-SiC量子阱结构的发光.     

A STUDY ON ABSORPTION OF Na ATOMS ON Si(100) 2×1 SURFACES WITH DV-Xα METHOD

The Na absorption on Si(100) 2×1 surface is studied with quantum chemistry molecular cluster method. The calculated results show that the most favourable absorption site of Na is the cave site and the charge transfer of Na atom to Si is large when the Na coverage is smaller than 0.5 monolayer (ML). A Na chain is formed along the cave sites at the 0.5 ML Na coverage, the charge transfer then becomes small. The calculated density of states show that the Na atoms are metallic along the chain. At 1 ML coverage, the Na atoms occupy both the cave and pedestal sites and form a double-layer. There is a charge transfer of 0.5e from each Na atom to the Si surface. The calculated surface energy shows that the saturation absorption of Na on Si surface is 1 ML.     

SiC缓冲层对Si表面生长的ZnO薄膜结构和光电性能的改善

用脉冲激光沉积(PLD)技术制备了ZnO/SiC/Si和 ZnO/Si薄膜并制成了紫外探测器。利用X射线衍射(XRD),光致发光(PL)谱,I-V曲线和光电响应谱对薄膜的结构和光电性能进行了研究。实验结果表明:SiC缓冲层改善了ZnO薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是SiC作为柔性衬底能够减少ZnO与Si 之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面态。