非均匀钹式换能器平面阵指向性特性研究

针对钹式基阵工作频率低、布阵紧凑导致阵元之间互干扰严重、指向性能退化的现象,本文在均匀平面基阵的基础上提出强度可调节的非均匀平面基阵,建立了基阵指向性能的数学模型,通过数值计算的方法分析阵元间距和中心阵元声强度变化对基阵指向性能的影响。研究给出了主瓣宽度、旁瓣个数、栅瓣个数随阵元间距的变化规律,总结了在各种工作频率下,基阵可用的最大阵元间距。研究结果表明:中心阵元强度增大时,基阵的总体指向性稍有降低。所以当通过调整阵元间距和强度来优化基阵指向性能时,应综合考虑它们对基阵其它性能的影响,以获得最佳的总体性能。     

特征标的π—理论和正规π—补

本文使用π-special特征标和Bπ-特征标的一些性质,给出了有限群有正规π-补的一些条件,我们的结果推广了一些著名的定理。     

铈诱导悬浮培养的东北红豆杉细胞发生凋亡

以悬浮培养的东北红豆杉（Taxus cuspidata)细胞为材料,加入一定浓度的Ce^4 ,在不同培养时间取样,超薄切片透射电镜观察发现细胞核膜完整,染色质凝聚,趋边化,核酸电泳显示DNA发生特异性降解并形成阶梯状电泳条带（DNA ladder); 应用TUNEL检测方法发现DNA的3′－OH断端可被特异性标记。Ce^4 能诱导东北红豆杉细胞发生凋亡。     

反气相色谱法测定苯乙烯-氧乙烯-苯乙烯三嵌段聚合物的表面能

 采用反气相色谱法测定了苯乙烯 氧乙烯 苯乙烯三嵌段聚合物 (PS PEO PS)的色散成分的表面能 (γsd) ,研究探讨了温度及嵌段聚合物链段结构组成对γsd 的影响 ,并确定了γsd 与温度的数学关系式。研究结果表明 :在 70℃～ 12 0℃范围内 ,PS PEO PS的表面能较低 ;随着PS PEO PS表面组成中氧乙烯 (EO)成分的增加 ,色散成分的γsd 增大 ,且对温度的变化极其敏感 :随温度的升高 ,γsd 急剧地呈线性下降。     

聚氧化乙烯/苯乙烯-马来酸钠共聚物共混体系性能研究

用热分析（DSC、TG）和FTIR对聚氧化乙烯（PEO）/苯乙烯-马来酸钠（St-alt-MANa,简称SMANa)共聚物共混体系的相容性、分子间作用、热失重等性质进行了研究。结果表明,共混物可以任意比互溶,它们之间的相互作用是PEO的醚键“-O-”和共聚物盐中的“-COOH”之间形成了氢键。TG分析结果表明,随温度的升高,首先形成了酸酐,这可由FTIR光谱确定。热降解产如CO2作为酸酐和共聚物中羧基的降解产物。与不饱和结构相关的谱带（1774cm^-1、1449cm^-1)在350℃和450℃的红外光谱中可观察到,这可能是主要的碳-碳链断裂的结果。共混体系的Tg随SMANa含量的增加而增加,而体系结果温度Tc、熔融温度Tm却略有下降,这说明两组分间具有良好的溶混性。     

反相高效液相色谱法分析人体胆汁中结合型胆汁酸

根据反相液相色谱的保留值方程ＩｇＫ＇＝ａ＋ｃ．ｃｂ,结合型胆２汁酸的选择性变化规律ｌｇａ＝△ａ＋△ｃｖ．ｃｂ及结合型胆汁酸的标准样品色谱保留值,对人体胆汁中６种结合型胆汁酸进行了定性定量分析。６种结合型胆汁酸的浓度在０～１０．１５ｇ／Ｌ范围２内与相应的色谱峰高成良好的线性关系（相关系数在０．９９９６～０．９９７９之间）。     

自由旋涡气动窗口自适应光学波前校正初步研究

 自由旋涡气动窗口能有效地替代高能激光器传统晶体输出镜，起到密封激光器低腔压的作用。利用现有的37单元室内自适应光学系统，对自由旋涡气动窗口的输出激光波前畸变进行自适应光学波前校正。给出了自适应光学系统对气动窗口畸变波前的校正原理，采用直接斜率法在设计状态下对畸变波前进行了校正实验。结果表明，该自适应光学系统能够较好地校正工作在设计状态下的自由旋涡气动窗口对输出激光所引起的波前畸变。     

关于Hardy不等式的加强改进

对 Hardy不等式 ,建立如下结构的加强不等式 :∑∞n=11n∑nk=1akp 1 ,an≥ 0 (n∈ N) ,0 <∑∞n=1apn<∞ ,Cp=1 -(1 -p- 1) p- 1,p≥ 2 ;1 -p- 1,1 相似文献   

一类齐次对称多项式上的切比雪夫不等式

本文借助于控制不等式及数学归纳法，将著名的切比雪夫不等式推广到m次一般齐次对称多项式上(如文中定理及引理7)，并将此结果用于对称平均等．旨在展示证明解析不等式的一些有效的方法和技巧，同时为数学研究特别是高维几何研究提供一些新的有趣而有用的解析不等式．     

场致发射阳极用钨网的寿命特性分析

 通过扫描电镜分析和实验验证，分析了场致发射阳极用钨网被破坏的成因。对钨网进行淬火处理，使钨网表面形成一定厚度的氧化膜，可显著提高钨网使用寿命。不同的淬火温度,将使钨网表面形成不同厚度的氧化膜。实验结果表明，氧化膜厚度的改变，将明显影响钨网的使用寿命。当脉宽90ns、束流6kA、能量1MeV的电子束透过钨网时，钨网表面的氧化膜厚度选在0.4μm左右为宜。