As+注入硅的紫外-可见椭圆偏振光谱

本文采用椭圆偏振光谱法研究了剂量为1×10¹⁶—3×10¹²cm^-2的As⁺注入硅,及其在700℃退火后的光学性质。得出:当As⁺注入剂量增大到某一程度后,便呈非晶特性。低于临界剂量的样品,其n-λ,ε₂-λ关系曲线随剂量的增大而往下方移动,呈有规律变化;退火后,在大于4000?波段,n-λ与ε₂-λ曲线基本恢复到单晶硅状态。但在小于4000?的紫外区却未完全恢复,注入剂量越大,偏离单晶硅就越大。并指出,紫外光区是离子注入硅的信息敏感区;用有效质量模型计算出注入剂量与损伤度的关系。计算结果与实验符合得较好。 关键词：     

基因组重排问题的一个近似算法

分子生物学中基因无方向的反向基因组重排问题在数学上已被证明是一个NP困难问题．基于断点图的概念，给出一个时间复杂性为O(max{b^(π)，nb(π)})，空间复杂性为0(n)的求其近似最优解的算法．其中n为基因组中基因个数，π=(π1,π2，…，πn)表示n个基因的一种排列，b(π)表示排列π中的断点数．数据实验的结果表明，该近似算法可以求得较好的结果．     

THE STUDY OF SERS EFFECT AND ADSORPTION PROPERTY ON Cu SURFACE FOR PNBA

With different amounts of KCl added in the PNBA(p- nitro benzoic acid) aqueous solution, the factors affecting the SERS (Surface Enhanced Raman Scattering) are studied systematically on the surface of Copper. The results show that in PNBA aqueous solution the occurrence of SERS effect stongly depends on the existence of Cl^-. The amount of KCl added affects not only the emergence and the intensity of SERS effect, but also the adsorption properties such as the adsorption manner,etc.     

冈村枝管藻孢子体的形态和超微结构

从日本冲绳采回枝管藻，用毛细管将成熟多室孢子囊挑出，在试验室条件下培养，可长成孢子体．用光学显微镜和透射电子显微镜观察发现：孢子释放后形成盘状体附着在基质上，念珠状同化丝从盘状体中间分生．同化丝可从中间部位产生分支，多室孢子囊位于部分同化丝的近端部；同化丝大量产生后基部细胞平行排列，中空，形成假薄壁组织，而后孢子体进入伸长生长阶段；在每个盘状体细胞和同化丝细胞中都有多个色素体和线粒体，蛋白核突出于色素体其他部分，类脂体存在于类囊体中；在同化丝的细胞壁上存在缺口；对同化纤毛而言，色素体和线粒体数量少，紧贴细胞膜，质壁分离严重，在细胞壁上存在“通道”．     

一类催化反应中的非线性奇摄动边值问题的渐近解

本文研究了催化反应非线性奇摄动边值问题．利用微分不等式理论和方法，得到了问题的解的任意次近似渐近估计．     

用光学多通道分析仪系统作高分辨光谱测量的技术

通常的光多通道分析仪(OMA)存在着同时谱宽与分辨率的矛盾.本文所述方法,在不减小谱宽的前提下,可将该分析仪光谱分辨率提高1～2量级,使之可适用于高分辨率谱研究.     

塞曼石墨炉原子吸收光谱法测定粉尘降尘中痕量锡

以KOH熔样,又以KOH作基体改进剂,研究了测定锡的灰化温度、原子化行为和消除干扰及试样前处理的方法,以KOH熔解的粉尘及降尘样液,特别适用于塞曼石墨炉的测定,背景可完全扣除。方法简便、快速、准确,灵敏度和精度高。相对标准偏差为4.0%,回收牢在96.4～110%范围内。     

全球大气重力波联测期间电离层扰动的台阵观测

本文利用武汉电离层观象台的加密频高图和三站Doppler图记录及新近提出的短波扰动反演方法,分析了1985年全球大气重力波联测(WAGS)期间10月18日这天白天的重力波扰动,发现在该日扰动中有两列不同形态的波列分别属于中尺度的内重力波和大尺度的导制重力波。本文还进一步估算了这两列重力波的水平传播参量,深入分析了它们的频谱结构的高度变化特征,发现了重力波功率谱谱峰的分裂和偏移等重要现象。本文结果表明,新的反演方法使电离层无线电汉诊断的简易短波实验系统,也能成为探测和研究重力波一类大尺度电离层动力过程的有效手段。     

变量有广义界线性规划的直接对偶单纯形法

本文讨论变量有广义界线性规划问题借助标准形线性规划同单纯形法技术，建立问题的一个直接对偶单纯形法。分析了方法的性质，给出了初始对偶可行基的计算方法，并用实例说明方法的具体操作。     

60keV质子辐照对TiNi记忆合金薄膜马氏体相变的影响

 利用磁控溅射的方法在氧化后的单晶Si基片上制备了TiNi形状记忆合金薄膜，利用示差扫描量热法和原位X射线衍射研究了薄膜的马氏体相变特征。通过60keV质子注入（辐照）薄膜样品研究了H+离子对合金薄膜马氏体相变特征的影响，结果表明氢离子注入后引起了马氏体相变开始Ms和结束点Mf以及逆马氏体相变开始As和结束温度Af的下降，而对R相变开始Rs和结束温度Rf影响不大。掠入射X射线衍射表明H+离子注入后有氢化物形成。H⁺离子注入形成的氢化物是引起相变点的变化的主要因素。