一种可视化检测肼的苯并噁唑类荧光增强型探针

以苯并噁唑为荧光基团，合成和表征了一种用于可视化检测N₂H₄的荧光增强型探针(HL2)，并研究了其光谱性质。实验结果表明，HL2对N₂H₄具有高的选择性和灵敏度，抗干扰能力强，响应快，它对N₂H₄的检测限为0.072 μmol·L^-1。此外，HL2可应用于实际水体样品中N₂H₄的检测，并且还能实现HeLa细胞中N₂H₄的荧光成像。     

Microstructure evolution of laser solid forming of Ti-Al-V ternary system alloys from blended elemental powders

Morphology evolution of prior β grains of laser solid forming (LSF) Ti-xAl-yV (x 11,y 20) alloys from blended elemental powders is investigated. The formation mechanism of grain morphology is revealed by incorporating columnar to equiaxed transition (CET) mechanism during solidification. The morphology of prior β grains of LSF Ti-6Al-yV changes from columnar to equiaxed grains with increasing element V content from 4 to 20 wt.-%. This agrees well with CET theoretical prediction. Likewise, the grain morphology of LSF Ti-xAl-2V from blended elemental powders changes from large columnar to small equiaxed with increasing Al content from 2 to 11 wt.-%. The macro-morphologies of LSF Ti-8Al-2V and Ti-11Al-2V from blended elemental powders do not agree with CET predictions. This is caused by the increased disturbance effects of mixing enthalpy with increasing Al content, generated in the alloying process of Ti, Al, and V in the molten pool.     

GaSb单晶空间生长

空间的微重力给晶体生长提供了一个消除自然对流、由纯扩散控制的生长环境,为提高晶体质量创造了条件,引起晶体生长研究人员的关注.中国科学院物理研究所和日本东京大学电子工程系合作,1992年在中国第14颗返回式卫星上成功地生长了一根φ6 mm×30 mm外形完整的GaSb单晶.对空间生长的晶体的研究显示：晶体在空间生长部分无Ⅰ类生长条纹,表明晶体生长时既无自然对流也没有Marangoni对流.位错密度测定表明,晶体在空间生长期间熔体未与坩埚器壁接触时生长的晶体位错密度接近于零,而熔体与坩埚器壁接触后位错密度迅速增高.详细叙述了该晶体的生长和研究,分析了微重力对晶体生长的影响,并对空间晶体生长的发展提出看法.     

Cu固液界面能的分子动力学计算

本文使用分子动力学方法对液相Cu中不同半径晶胚的生长和熔化行为进行了研究. 随着半径的增加, 晶胚生长的临界温度升高. 临界形核过冷度和晶胚半径倒数成正比关系, 这和经典形核理论一致. 由上述关系计算得到Cu的Gibbs-Thomson系数为1.12×10^-7 K·m, Cu的固液界面能为0.146 J/m², Cu的Turnbull系数为0.416, 这些计算值均与实验值一致. 关键词： 分子动力学 经典形核理论 固液界面能     

高分子-镍络合物在硝基化合物及醛酮类加氢反应中的催化活性

本工作制备了数种高分子-镍(Ⅱ)配合物并用NaBH_4、LiAlH_4、甲醛氨水溶液或分子氢使之还原。研究结果表明,高分子—镍(Ⅱ)配合物难以用LiAlH_4或甲醛还原,而用氢气或NaBH_4还原后的配合物在较高温度(100～120℃)及一定的压力(3～6MPa)下还原硝基化合物及醛、酮类化合物时具有一定的催化活性,其中以NaBH_4还原的配合物活性最高。硝基化合物被还原为相应的胺,无副产物,醛、酮类还原为相应的醇,未发现氢解产物,说明催化剂有较高的选择性。此外还研究了腈类的加氢反应。     

二苯甲酮晶体的过冷熔体生长及性能

本文采用过冷熔体法进行二苯甲酮晶体的生长实验,得到尺寸约为30mm×40mm×60mm的单晶.测定了单晶的光谱透射率、折射率及SHG系数,并与溶液法生长的结果进行比较,发现过冷熔体法生长的二苯甲酮单晶在近紫外到近红外波段具有更为优异的光学特性,适合用作YAG激光倍频晶体,也可用作黄绿波段激光调制器.     

高分子-过渡金属络合物在2-氯-4-硝基甲苯还原中的催化作用

本文研究了高分子-过渡金属(钯、铂和镍)络合物在2-氯-4-硝基甲苯的硝基还原反应中的催化活性及选择性.实验结果表明:高分子-金属络合物具有较高的稳定性,高分子-钯和铂络合物在常压和低温下具有较高的催化活性,高分子-镍络合物在较高温度(100～140℃)和较高压力(3～10MPa)下具有一定的的活性.对于本体系,催化剂活性顺序为:PMS-Pd,PMV-Pd,PAA-AN-Pd>PAM-Pt>PAA、VPy-Pd>高分子镍络合物.与Raney Ni相比,高分子-铂和镍络合物具有较高的选择性,其顺序为:PVP-Ni;N-l-Ni;PMV-Ni>=PAM-Pt>Raney NI>>PMS-Pd,PMV-Pa,PAA-AN-Pd,PAA-VPy-Pd.此外还初步地探讨了取代基、压力和温度对催化活性的影响     

纳米银掺杂对Bi(2223)超导体的影响

研究了不同含量纳米银掺杂的（Ｂｉ,Ｐｂ）２Ｓｒ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏｘ块材。ＤＴＡ分析表明纳米银掺杂使材料熔点降低,加速了高Ｔｃ相的形成。磁场下Ｒ－Ｔ展宽测试表明,纳米银掺杂大大提高了磁通蠕动激活能,其中最佳掺杂１５ｗｔ％Ａｇ时激活能提高５～６倍;掺杂样品的钉扎能Ｕ（Ｈ）随磁场降低比非掺杂样品要慢,改善了磁场下的传输性能。交流磁化率测量表明纳米银掺杂使晶间损耗峰向高温移动２０Ｋ,说明纳米银掺杂改善了晶界     

纳米脱溶相改善铋系2223银包套带材磁场下的输运性能

通过后期的氧气氛退火工艺,在Ｂｉ２２２３／Ａｇ 包套带材中引入纳米脱溶相,使得材料磁通钉扎能力显著提高,改善了输运性能．ＸＲＤ 和ＳＥＭ 分析表明退火过程中,从（Ｂｉ,Ｐｂ）２２２３ 基体晶粒内脱溶出的细小第二相粒子．钉扎力的标度表明这些细小的纳米脱溶相在材料中引入额外的钉扎中心,提高了材料的磁通钉扎能力