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Mg3(Sb,Bi)2基热电材料由于其优异的热电性能和较低的成本近来受到广泛的关注.本研究通过将纳米SiO2复合进成分为Mg3.275Mn0.025Sb1.49Bi0.5Te0.01的基体相中,考察其热电输运性能的变化及机制.结果表明,当SiO2复合进Mg3Sb2基材料中时,由于引进大量的微小晶界,能有效地散射声子,促使晶格热导率降低,优化热输运性能,如SiO2体积含量为0.54%时,室温时热导率由复合前的1.24 W/(m·K)降至1.04 W/(m·K),降幅达到15%;同时其对电子也产生强烈的散射作用,导致迁移率和电导率大幅下滑,结果表现为近室温区功率因子剧烈衰减,恶化了电输运性能.电性能相对于热性能较大降低幅度使得材料在整个测试温区的热电优值没有得到改善.纳米SiO2作为Mg3Sb2 相似文献
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研究了具有一个奇异端点的线性哈密顿算子的白伴扩张的解析描述.设最小哈密顿算子h的亏指数为(d,d),将Im(h~*y,y)表示为秩为2d的二次型,该文利用二次型的表示矩阵得到了最小哈密顿算子h的自伴扩张域的一种新的完全描述. 相似文献
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