基于智能手机磁性传感器测量重力加速

介绍了利用智能手机测量重力加速度的方法.该方法利用智能手机的磁性传感器和Sensor Kinetics App研究了双线摆的运动规律,通过Sensor Kinetics App绘制出"磁场强度-时间"图像,通过该图像计算出振动周期,并使用Origin对振动周期和摆长使用最小二乘法进行线性拟合处理,最终通过拟合直线斜率求出重力加速度.     

AlGaN-Based Solar-Blind Schottky Photodetectors Fabricated on AlN/Sapphire Template

We report AlGaN-based back-illuminated solar-blind Schottky-type ultraviolet photodetectors with the cutoff- wavelength from 280nm to 292nm without bias. The devices show low dark current of 2.1× 10^-6A/cm^2 at the reverse bias of 5 V. The specific detectivity D＊ is estimated to be 3.3 × 10^12cmHz^1/2 W^-1 . To guarantee the performance of the photodetectors, the optimization of AlGaN growth and annealing condition for Schottky contacts were performed. The results show that high-temperature annealing method for Ni/Pt Schottky contacts is effective for the reduction of leakage current.     

弱拉回平坦序S-系对序幺半群的刻画

设S是序幺半群,借助环模理论以及半群S-系理论方法,在序S-系范畴中研究了弱拉回平坦性质。刻画了弱拉回平坦序S-系关于直积封闭的序幺半群类以及弱拉回平坦性质与其他性质一致的序幺半群类,讨论了循环序S-系具有拉回平坦覆盖的条件,进而推广了S-系的一些重要结果。     

蓝宝石衬底上GaN/AlxGa1-xN超晶格插入层对AlxGa1-xN外延薄膜应变及缺陷密度的影响

室温300K下,由于Al_xGa_1-xN的带隙宽度可以从GaN的3.42eV到AlN的6.2eV之间变化,所以Al_xGa_1-xN是紫外光探测器和深紫外LED所必需的外延材料.高质量高铝组分Al_xGa_1-xN材料生长的一大困难就是Al_xGa_1-xN与常用的蓝宝石衬底之间大的晶格失配和热失配.因而采用MOCVD在GaN/蓝宝石上生长的Al_xGa_1-xN薄膜由于受张应力作用非常容易发生龟裂.GaN/Al_xGa_1-xN超晶格插入层技术是释放应力和减少Al_xGa_1-xN薄膜中缺陷的有效方法.研究了GaN/Al_xGa_1-xN超晶格插入层对GaN/蓝宝石上Al_xGa_1-xN外延薄膜应变状态和缺陷密度的影响.通过拉曼散射探测声子频率从而得到材料中的残余应力是一种简便常用的方法,Al_xGa_1-xN外延薄膜的应变状态可通过拉曼光谱测量得到.Al_xGa_1-xN外延薄膜的缺陷密度通过测量X射线衍射得到.对于具有相同阱垒厚度的超晶格,例如4nm/4nm,5nm/5nm,8nm/8nm的GaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格,研究发现随着超晶格周期厚度的增加Al_xGa_1-xN外延薄膜缺陷密度降低,Al_xGa_1-xN外延薄膜处于张应变状态,且5nm/5nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层Al_xGa_1-xN外延薄膜的张应变最小.在保持5nm阱宽不变的情况下,将垒宽增大到8nm,即十个周期的5nm/8nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层使Al_xGa_1-xN外延层应变状态由张应变变为压应变.由X射线衍射结果计算了Al_xGa_1-xN外延薄膜的刃型位错和螺型位错密度,结果表明超晶格插入层对螺型位错和刃型位错都有一定的抑制效果.透射电镜图像表明超晶格插入层使位错发生合并、转向或是使位错终止,且5nm/8nmGaN/Al_0.3Ga_0.7N超晶格插入层导致Al_xGa_1-xN外延薄膜中的刃型位错倾斜30°左右,释放一部分压应变.     

静电场模拟实验的教学研究

用稳恒电流场模拟静电场是理工科大学生的必修物理实验.在传统的物理实验教学中,一般使用等臂记录法获取实验数据,然后根据等势电压与等势圆半径的对数的线性关系,进而求出内圆柱电极半径和外环电极内半径.本文根据实验数据的特点,分别使用指数拟合法、二元线性回归法和A类不确定度法同时处理用稳恒电流场模拟静电场中得出的实验数据,给出稳恒电流场模拟静电场实验的误差分析.通过对比,对数据处理方法在实验教学中的应用进行了相关分析和研究.     

Li2O-Ln2O3-SiO2:Eu3+,Bi3+体系的结构

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了系列发光体Ｌｉ２Ｏ－Ｌｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２：Ｅｕ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋，并确定了发光体的物相结构。当Ｌｎ＾３＾＋＝Ｙ＾３＾＋和Ｌｎ＾３＾＋＝Ｌａ＾３＾＋时，紫外光激发下Ｅｕ＾３＾＋的发射分别以红光和橙光为主，只存在一种Ｅｕ＾３＾＋发光中心；Ｌｎ＾３＾＋＝Ｇｄ＾３＾＋时，至少存在两种Ｅｕ＾３＾＋发光中心和两种Ｂｉ＾３＾＋发光中心（共掺杂Ｅｕ＾３＾＋，Ｂｉ＾３＾＋的吸收和发射所     

Barrier Enhancement Effect of Postannealing in Oxygen Ambient on Ni/AIGaN Schottky Contacts

Al0.2 Ga0.8N/GaN samples are grown by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD） method on （0001） sapphire substrates. A 10nm-thick Ni layer is deposited on AlGaN as the transparent Schottky contact. The effect of postannealing in oxygen ambient on the electrical properties of Ni/AlGaN is studied by current-voltage- temperature （I-V-T） measurement. The annealing at a relatively low temperature of 300℃ for 90 s results in a decrease of the ideality factor from 2.03 to 1.30 and an increase of the Schottky barrier height from 0.77eV to 0.954 e V. The I-V-T analysis confirms the improvement originated from the formation of NiO, a layer with higher resistance, which could passivate the surface states of AlGaN and suppress the tunnelling current. Furthermore, the annealing also leads to an increase of the transmittance of the contacts from 57.5% to 78.2%, which would be favourable for A1GaN-based photodetectors.     

Li_2O－Ln_2O_3－SiO_2：Eu~（3＋），Bi~（3＋）体系的结构

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ法合成了系列发光体Ｌｉ２Ｏ－Ｌｎ２Ｏ３－ＳｉＯ２：Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋，并确定了发光体的物相结构．当Ｌｎ３＋＝Ｙ３＋和Ｌｎ３＋＝Ｌａ３＋时，紫外光激发下Ｅｕ３＋的发射分别以红光和橙光为主，只存在一种Ｅｕ３＋发光中心；Ｌｎ３＋＝Ｇｄ３＋时，至少存在两种Ｅｕ３＋发光中心和两种Ｂｉ３＋发光中心（共掺杂Ｅｕ３＋，Ｂｉ３＋），Ｂｉ３＋的吸收和发射所处的能量位置最低，４ｆ格位的Ｂｉ３＋发生了向Ｅｕ３＋的有效能量传递．     

鬼成像丢包数据的分组扩充方法

为提高压缩感知鬼成像的实用性,解决场景中采样数据丢失且无法重复采样而引起关联成像失败的问题,提出了一种基于鬼成像丢包数据的分组扩充方法。首先,分析了不同形式丢包数据对成像性能的影响。然后,通过对待采样数据进行分组并对存在丢失现象的采样结果进行扩充的方式提高了成像质量。仿真和实验结果均表明,与传统方法相比,分组扩充法可以降低丢包数据对成像质量的影响,有利于进一步推动鬼成像的实用化。     

基于磁共振的水下非接触式电能传输系统建模与损耗分析

文章对基于磁共振的水下非接触式电能传输系统在海水中的传输机理以及电涡流损耗进行了分析. 首先基于互感模型, 建立了空气中磁共振非接触式电能传输系统的数学模型, 分析了系统的频率特性, 从理论上对频率分裂现象进行了解释. 然后针对海水环境, 通过麦克斯韦方程组建立系统的数学模型, 通过级数展开, 略去高阶项, 得到计算电涡流损耗的近似公式, 分析了电涡流损耗与线圈半径、谐振频率、传输距离、磁感应强度的关系, 为水下非接触式电能传输系统的总体设计提供了理论依据. 最后通过实验验证了在空气中和海水中进行非接触式电能传输的异同, 以及电涡流损耗与各项参数的关系. 实验表明: 在空气中当传输距离为50 mm、传输功率为100 W时, 效率在80%以上; 在海水中当传输距离为50 mm、传输功率为100 W时, 效率约为67%, 说明基于磁共振的水下非接触式电能传输系统在海水中也有很好的应用前景.