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基于建立的不同工艺尺寸的CMOS器件模型,利用TCAD器件模拟的方法,针对不同工艺CMOS器件,开展了不同工艺尺寸CMOS器件单粒子闩锁效应(SEL)的研究。研究表明,器件工艺尺寸越大,SEL效应越敏感。结合单粒子闩锁效应触发机制,提出了保护带、保护环两种器件级抗SEL加固设计方法,并通过TCAD仿真和重离子试验验证防护效果,得出最优的加固防护设计。结果表明,90nm和0.13μm CMOS器件尽量选用保护带抗SEL结构,0.18μm或更大工艺尺寸CMOS器件建议选取保护环抗SEL结构。 相似文献
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提出了一种改进的模糊阈值选取方法。针对传统的模糊阈值法隶属函数窗宽不容易确定的出发点,结合传统的易于实现的阈值选取方法,巧妙的绕过了确定窗宽的问题,能够结合模糊阈值法和该传统阈值法各自所能达到的优点,并且方法非常简单,明了。实践证明,这种方法是行之有效的,并具有较强的场景适应能力。 相似文献
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分析上海世博会在世博筹备建设和举办时期对上海市经济方面影响.筛选了世博会影响经济的四个方面(国民经济,财政收支,固定资产投资和对外经济贸易与旅游)的10个主要指标,构建了世博会影响经济的评价指标体系,针对每一项指标,利用1995年到2002的实际数据用指数回归拟合模型测算出2003-2010年在未筹办世博会情况下各项经济指标的估计(拟合)数据,并建立单指标的影响力指数模型,在分析2003年后的实际数据与拟合数据差异基础上,获得了上海世博会在每个指标方面对上海的影响力指数;建立了多指标综合影响力指数模型,得出总的经济影响力的指数为0.2403.考虑到2008年底金融危机势必会削弱世博会对经济的影响,通过参照另外两个同为中国直辖市的重庆和天津相同指标的变化,运用单独建立的模型,剔除金融危机对经济的影响,从而获得更客观地揭示世博对上海地区经济的真实影响程度.并就两个典型的指标给出了具体的演算过程,最后得到了消除了金融危机后的所有指标的影响力指数值,最终获得总的经济影响力的指数为0.2531,即世博会对上海市经济的实际贡献率为25.31%. 相似文献
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互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10~4 W/cm~2;并发现在工作电压3.3和3.6 V,光功率密度1.9×10~6—1.6×10~7W/cm~2的辐照下,闩锁电流发生了明显的降低,即出现了闩锁电流的"窗口现象"基于闩锁等效电路模型,利用多路径闩锁机制,构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明:激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致,其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换,从而诱发这一现象. 相似文献
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一、引言 质点在有心力场中运动的轨道方程的求解方法比较多[1][2][3].这里所说的有心力主要是指平方比律有心力,我们将以此为例讨论一种普遍适用于分析平面质点运动的复数方法. 引入指数形式的复数表示各个力学量.如图1.1所示,在复平面上,质点的运动方程r=r(t)可以表示为这里j表示复数单位.由上式对时间求导一次,便得到质点在任意位置的速度同极坐标系(如图1.2所示)中的表达式相比,可见(1.2)式括号里的实部为速度的径向分量vr,而虚部则为速度的横向分量v0[1].事实上,此式所表明的正是当质点运动到幅角为θ处时速度在径向和横向上的分量,而… 相似文献