| 激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究 |
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| 引用本文： | 陈钱,马英起,陈睿,朱翔,李悦,韩建伟.激光模拟瞬态剂量率闩锁效应电流特征机制研究[J].物理学报,2019(12):95-102. |
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| 作者姓名： | 陈钱 马英起 陈睿 朱翔 李悦 韩建伟 |
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| 作者单位： | 中国科学院国家空间科学中心;中国科学院大学地球与行星科学学院;中国科学院大学天文与空间科学学院 |
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| 基金项目： | 中国科学院科技创新重点部署项目(批准号:KGFZD-135-16-005)和中国科学院空间科学战略性先导科技专项(批准号:XDA15015500)资助的课题~~ |
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| 摘 要： | 互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor, CMOS)工艺集成电路由于寄生的PNPN结构使其可能会受到闩锁效应的影响,在全局辐照下由瞬态剂量率效应诱发的闩锁具有独特的性能.本文利用激光模拟瞬态剂量率效应装置,针对体硅CMOS工艺解串器FIN1218MTDX,进行瞬态剂量率闩锁效应的实验研究,探究其闩锁阈值和闩锁电流特征.实验获得了该器件在3.3 V工作电压时的瞬态剂量率闩锁阈值光功率密度为(8.5±1.2)×10^4 W/cm^2;并发现在工作电压3.3和3.6 V,光功率密度1.9×10^6-1.6×10^7W/cm^2的辐照下,闩锁电流发生了明显的降低,即出现了闩锁电流的"窗口现象"基于闩锁等效电路模型,利用多路径闩锁机制,构建HSPICE模型对激光实验暴露出的瞬态剂量率闩锁特征进行了机理分析.结果表明:激光实验中闩锁电流波动是由于多路径闩锁机制所致,其会在特定电路结构中促使器件的闩锁路径发生切换,从而诱发这一现象.
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| 关 键 词： | 瞬态剂量率效应 闩锁效应 脉冲激光 |
Characteristics of latch-up current of dose rate effect by laser simulation |
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| Chen Qian,Ma Ying-Qi,Chen Rui,Zhu Xiang,Li Yue,Han Jian-Wei.Characteristics of latch-up current of dose rate effect by laser simulation[J].Acta Physica Sinica,2019(12):95-102. |
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| Authors: | Chen Qian Ma Ying-Qi Chen Rui Zhu Xiang Li Yue Han Jian-Wei |
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| Institution: | (National Space Science Center,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;College of Earth and Planetary Sciences,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;School of Astronomy and Space Science,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) |
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| Abstract: | Chen Qian;Ma Ying-Qi;Chen Rui;Zhu Xiang;Li Yue;Han Jian-Wei(National Space Science Center,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100190,China;College of Earth and Planetary Sciences,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China;School of Astronomy and Space Science,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China) |
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| Keywords: | dose rate effect latch-up effect pulsed laser |
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