碘化铅单晶体生长新方法探索

本文分析了用布里奇曼法生长碘化铅单晶体的结晶过程。发现坩埚下降法生长碘化铅单晶体过程中,碘的蒸发与凝结、铅的分凝与沉淀是影响晶体质量的两个重要因素。提出了采用U型安瓿提拉方式生长碘化铅单晶体的新方法,有效抑制了碘的蒸发并排除了分凝的铅,获得了桔红色半透明的碘化铅晶体。经测试,晶体的结晶性好,红外透过率达45%,电阻率为1.7×1012Ω.cm,为制备性能优异的碘化铅室温核辐射探测器奠定了基础。     

合成工艺对2SrO·3A12O3:EW2+,Df3+磷光粉性能的影响

本文研究了B2O3的摩尔含量和合成温度两个因素对名义组成为2SrO.3A12O3:Eu2+,Dy3+长余辉发光材料性能的影响,实验表明,当B2O3加入量较少且合成温度适当时,可以观察到一个新物相的X射线衍射峰,此时EU2+的发射峰在460nm附近;当B2O3加入量较多或合成温度较高时,合成样品的主要物相是Sr4Al14O25:Eu2+,Dy3+,此时Eu2+的发射主峰在490hm附近.当合成温度为1250℃,B2O3加入量为15;摩尔分数时,样品的发光亮度较高,仪器可测的余辉时间达16h以上,肉眼可见的余辉时间达到24h,具有一定的实用价值.     

富铅配料合成PbI2多晶及其熔体分层研究

富Pb配料、采用两温区气相输运法合成了单相的PbI2多晶材料,实验中出现熔体分层的现象.对合成结果的X射线衍射分析(XRD)和能量色散X射线微区分析(EDX)结果表明:富余的Pb沉积于石英安瓿的底部,与合成的单相PbI2多晶材料分离.根据富Pb配料的范围,结合文献的实验数据,可以确定在Pb-I相图中存在一个新的液相分层区域L2+L3,该区域对PbI2多晶合成和晶体生长具有指导作用.以合成的单相PbI2多晶为原料,采用垂直布里奇曼法生长出了尺寸为φ15mm×30mm、外观完整、呈桔红色的PbI2晶体.     

CdSe单晶体的生长及其特性研究

本文报道了用改进的垂直气相法(多级提纯垂直气相法)生长富Cd的CdSe单晶体,并对晶体的性能进行了观测,其电阻率为107Ωcm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,第一次报道了(110)面的腐蚀形貌。结果表明：采用这种方法制备CdSe单晶,设备简单,易于操作,在提纯和生长过程中不需要转移原料,有利于减少晶体中的杂质含量,降低位错密度,改善晶体的电学性能。多级提纯垂直气相法是一种有前途的CdSe单晶体生长的新方法。     

改进的两温区气相输运法合成碘化铅(PbI2)多晶

采用改进的两温区气相输运合成方法(MTVTM)合成PbI2多晶原料,简化了合成工艺,有效避免了合成安瓿爆炸。XRD分析结果表明:新方法合成的PbI2多晶原料纯度高,具有2H结构,P3ml空间群,晶格常数a=b=0.4560 nm,c=0.6979 nm。以此为原料,用垂直布里奇曼法(VBM)生长出电阻率达1013Ω·cm的PbI2单晶体。     

合成工艺对2SrO·3Al_2O_3:Eu~(2 ),Dy~(3 )磷光粉性能的影响

本文研究了B2O3的摩尔含量和合成温度两个因素对名义组成为2SrO.3Al2O3:Eu2 ,Dy3 长余辉发光材料性能的影响,实验表明,当B2O3加入量较少且合成温度适当时,可以观察到一个新物相的X射线衍射峰,此时Eu2 的发射峰在460nm附近;当B2O3加入量较多或合成温度较高时,合成样品的主要物相是Sr4Al14O25:Eu2 ,Dy3 ,此时Eu2 的发射主峰在490nm附近。当合成温度为1250℃,B2O3加入量为15%摩尔分数时,样品的发光亮度较高,仪器可测的余辉时间达16h以上,肉眼可见的余辉时间达到24h,具有一定的实用价值。     

碘化铅(PbI2)单晶体的生长研究

本文以高纯Pb、I2单质为原料,在特殊设计的密闭石英安瓿中,采用两温区气相输运方法成功合成出PbI2多晶原料,避免了安瓿的爆炸.以此为原料,用垂直Bridgman法生长出尺寸为φ15mm×30mm的PbI2单晶锭.该晶锭外观完整、呈橙黄色、半透明状,其电阻率为1010Ω·cm量级,X射线衍射分析获得了(001)面的四级衍射谱,表明该晶体是结构完整的单晶体,可用于探测器的制作.     

气相输运合成PbI2多晶的热力学研究

本文对PbI2合成反应体系的反应焓变,反应熵增,Gibbs自由能变化和反应平衡常数进行了理论计算,从热力学角度论证了选取PbI2熔点(678K)以上的723K作为体系合成反应控制温度的可行性.在723K的控温工艺下,采用两温区气相输运方法合成出高纯、单相的PbI2多晶材料,XRD分析结果表明符合热力学计算结果的控温工艺能有效地应用于PbI2多晶合成.     

Pb-I系统的相变分析与PbI2晶体生长

对Pb-I系统L2+L3相的分层熔体在结晶过程中发生的相变进行了研究.结果表明,在富Pb配料的PbI2熔体凝固过程中,PbI2晶粒的析出和富余Pb的沉积是各相间的动态交换,结晶后富余的Pb将以单质的形式凝固于单相PbI2晶体底部.据此,设计出特殊结构的石英生长安瓿,采用垂直Bridgman法生长出尺寸为10 mm×20 mm、完整性好的PbI2晶体.XRD分析结果表明该晶体为2H结构,P3ml空间群,EDX分析结果表明沉积于籽晶袋球泡中的Pb含量为100 at;,晶体生长实验的结果与Pb-I系统的相变分析一致.     

CdSe单晶体气相生长过程中的相平衡

化学配比对CdSe单晶体的性能有较大的影响.本文根据相平衡原理,利用热力学分析方法,分析了CdSe单晶体的气相生长过程,阐明了控制化学配比的原理,指出只有在固-液-气三相平衡或接近三相平衡的条件下,才能生长出符合化学配比的CdSe单晶体;同时还指出利用符合化学配比的CdSe多晶原料,在1120～1130℃可以生长出符合化学配比的CdSe单晶体.