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全球数学界翘首以待 4年的两个最高奖项—— 2 0 0 2年菲尔茨奖和内万林纳奖 8月 2 0日在“2 0 0 2北京国际数学家大会”上终于尘埃落定。国家主席江泽民和国际数学联合会主席帕利斯在开幕式上分别为 2位菲尔茨奖获得者和 1位内万林纳奖获得者颁奖 ,菲尔茨奖是数学领域的世界最高成就奖 ,内万林纳奖则是对理论计算机科学方面成就的国际最高奖 ,二者均由国际数学联合会( IMU)主持评定。2 0 0 2年菲尔茨奖一位得主是 ,法国高等科学研究院的洛朗·拉佛阁 ( L aurent L afforgtue) ,他的主要成就是在朗兰兹纲领 ( L anglands Program)的研究… 相似文献
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用吸收液采集废气样品,顶空进样,采用气相色谱法测定进样气体中吡啶的含量。用DB-FFAP毛细管色谱柱分离,氢火焰离子化检测器测定。优化的试验条件如下:①采用多孔玻板吸收瓶采集样品;②吸收液的体积为45mL;③采样流量为0.5L·min^-1;④样品在4℃下,7d内完成分析;⑤吸收液的pH大于12;⑥加入3g氯化钠调节吸收液离子强度;⑦顶空温度为80℃,顶空平衡时间为30min。吡啶的质量浓度在100mg·L^-1以内与其对应的峰面积呈线性关系,检出限为0.05 mg·m^-3。对3个不同浓度水平的吡啶标准气体进行测定,相对误差为-8.0%^-4.7%,测定值的相对标准偏差(n=6)为1.3%~7.8%。 相似文献
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霍耳效应是美国物理学家霍耳于1879年在金属中发现的.1948年以后,半导体的霍耳效应得到了广泛重视,制成了各种霍耳元件.首先出现的是锗霍耳元件,1955年出现了硅霍耳元件.近二十年来,随着化合物半导体材料(如InAs,InAsP,GaAs等)的出现,用化合物半导体制造的霍耳元件由于有较高的稳定性而越来越引起人们的重视(如西德西门子公司的FA,FC和SV系列,美国贝尔公司的BH系列).其中有的元件可用作0.2级甚至0.1级特斯拉计的测磁探头.而硅霍耳元件则相形见拙,在进口产品中,我们只见过配用在2.5级特斯拉计(日本横河电机3251样机)上的硅霍耳测磁探头… 相似文献