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2.
3.
Verdet常数是表征材料磁光性能的重要参数,具有波长和温度依赖性.为了更好地分析入射光波长、温度等对Verdet常数的影响机理,从基础理论切入,分析了现有理论的优缺点.结合光的波粒二象性特性,提出了波动跃迁性贡献理论,即法拉第效应是光的波动性作用以及电偶极跃迁作用带来的贡献之和,波动性对偏转角的贡献为正,跃迁性贡献为负.在抗磁性材料中,波动性贡献大于跃迁性贡献,Verdet常数为正;顺磁性材料中,跃迁性贡献远大于波动性贡献,Verdet常数为负.进而分别以典型抗磁性材料重火石玻璃ZF1和顺磁性材料铽镓石榴石为例,并结合相关数据、参数、模型,对理论进行了验证.试验结果表明,在精确描述材料Verdet常数方面,波动跃迁性贡献理论具有一定的优越性. 相似文献
4.
Structural evolution study of additions of Sb_2S_3 and CdS into GeS_2 chalcogenide glass by Raman spectroscopy 下载免费PDF全文
The structures of pseudo-binary GeS_2–Sb_2S_3, GeS_2–CdS, Sb_2S_3–CdS, and pseudo-ternary GeS_2–Sb_2S_3–CdS chalcogenide systems are systematically investigated by Raman spectroscopy. It is shown that a small number of [S_3Ge–GeS_3]structural units(SUs) and-S-S-/S8 groups exist simultaneously in GeS_2 glass which has a three-dimensional continuous network backbone consisting of cross-linked corner-sharing and edge-sharing [GeS_4] tetrahedra. When Sb_2S_3 is added into GeS_2 glass, the network backbone becomes interconnected [GeS_4] tetrahedra and [SbS_3] pyramids. Moreover, Ge atoms in[S_3Ge–GeS_3] SUs tend to capture S atoms from Sb_2S_3, leading to the formation of [S_2Sb–SbS_2] SUs. When CdS is added into GeS_2 glass, [Cd_4GeS_6] polyhedra are formed, resulting in a strong crystallization tendency. In addition, Ge atoms in[S_3Ge–GeS_3] SUs tend to capture S atoms from CdS, resulting in the dissolution of Ge–Ge bond. Co-melting of Sb_2S_3 or CdS with GeS_2 reduces the viscosity of the melt and improves the homogeneity of the glass. The GeS_2 glass can only dissolve up to 10-mol% CdS without crystallization. In comparison, GeS_2–Sb_2S_3 glasses can dissolve up to 20-mol% CdS,implying that Sb_2S_3 could delay the construction of [Cd_4GeS_6] polyhedron and increase the dissolving amount of CdS in the glass. 相似文献
5.
采用动态蒙特卡罗模拟方法,模拟半柔性大分子链在电场作用下穿越纳米孔道进入球腔的输运过程. 主要研究电场强度及半柔性大分子链的刚性强度对穿孔过程的影响.发现:平均穿孔时间τ随电场强度的增大而减小,τ与链的长度N满足标度关系τ~Nα,并且电场强度E和弯曲能b对标度指数有显著影响. 研究结果表明,当电场强度为中等时,刚性弱和刚性强的大分子的穿孔过程是完全不同的. 研究半柔性大分子链穿越微孔的行为,有助于更深入认识生物大分子在生命体内的输运过程. 相似文献
6.
Ge-Sb-Se硫系玻璃被认为是极佳的红外传输材料和有潜力的非线性光学材料.在光学设计中,玻璃的线性折射率(n)及其热光系数(ζ)是关键技术参数.以预测和调控Ge-Sb-Se玻璃的n和ζ为目的,考察了玻璃的n,ζ,密度(d)和体积膨胀系数(β)与化学参数dSe和拓扑网络结构参数r的内在联系.研究发现,玻璃的n随d的增加而增大;ζ随β的增大而近似线性减小;β随dSe的减小或r的增大而减小;当Ge含量固定时, d随dSe的减小或r的增大而增大,当Sb含量固定时, d在dSe=0时具有最小值.基于实测d和n,拟合获得了Ge, Sb和Se元素在2—12μm波段的摩尔折射度(R_i),分别为R_(Ge)=10.16—10.50 cm~3/mol,RSb=16.71—17.08 cm~3/mol和RSe=11.15—11.21 cm~3/mol,根据d和R_i计算得到的n与实测值的偏差小于1%.基于实测ζ和β,拟合得到了Ge, Sb和Se元素在2—12μm波段的摩尔折射度温度系数(φ_i),分别为φ_(Ge)=21.1—22.6 ppm/K,φ_(Sb)=7.2—8.4 ppm/K和φ_(Se)=90.2—94.2 ppm/K,根据β和φ_i计算得到的ζ与实测值的偏差小于6 ppm/K. 相似文献
7.
为了促进四级电磁轨道发射器在地空导弹武器发射中的应用,对四级电枢的过盈结构进行了研究。在有限元软件Ansys Workbench三维过盈装配仿真的基础上,选择最大等效应力、接触面积系数、接触压强均匀系数和相对接触压强系数四个表征接触特性的评价指标,采用正交试验的方法对四级电枢的过盈量、尾翼宽度、尾翼厚度和过盈长度4个过盈结构参数进行了综合优化。结果表明,采用过盈量2 mm、尾翼宽度140 mm、尾翼厚度40 mm、过盈长度270 mm的优水平组合能够使发射前期电枢和轨道间接触特性更理想,可为四级电枢结构设计提供参考。 相似文献
8.
磁光调制方位传递系统中,交变电流驱动内置磁光材料的螺线管磁场至关重要,直接关系到方位信息的传递精度。研究了交变电流驱动的螺线管内磁场对方位信息传递精度的影响。首先,利用麦克斯韦方程构建空心螺线管电磁场模型,分析驱动信号频率对磁场的影响;然后结合安培环路定律建立内置磁光材料的螺线管内部磁场模型;最后分析无松弛极化介质、松弛极化介质、驱动信号频率等对系统方位传递精度的影响。结果表明:驱动信号频率是影响系统方位传递精度的重要因素,且方位传递误差存在规律性;无松弛极化介质与松弛极化介质对系统方位传递精度的影响程度相当。该结果为研究磁光调制方位传递系统的方位传递精度与系统优化设计提供了参考。 相似文献
9.
Properties of field quantum entropy evolution in the Jaynes--Cummings model with initial squeezed coherent states field 下载免费PDF全文
The properties of the field quantum entropy evolution in a system of
a single-mode squeezed coherent state field interacting with a
two-level atom is studied by utilizing the complete quantum theory,
and we focus our attention on the discussion of the influences of
field squeezing parameter $\gamma $, atomic distribution angle
$\theta $ and coupling strength $g$ between the field and the atom
on the properties of the evolution of field quantum entropy. The
results obtained from numerical calculation indicate that the
amplitude of oscillation of field quantum entropy evolution
decreases with the increasing of squeezing parameter $\gamma $, and
that both atomic distribution angle $\theta $ and coupling strength
$g$ between the field and the atom can influence the periodicity of
field quantum entropy evolution. 相似文献
10.