激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱测定铀颗粒物中铀全同位素比值

建立了铀颗粒物中铀全同位素比值的分析方法,采用双面胶带装载铀颗粒物样品,优化激光烧蚀-多接收电感耦合等离子体质谱的运行参数,用标准样品交叉法校正质量分馏和探测器检测效率,测定了粒径几十微米的铀标准物质CRM124-1、GBW04234和GBW04238中铀全同位素比值.本方法对铀颗粒物中235U/238U、234 U/235U和236 U/235U测量的相对实验标准不确定度分别小于0.050％,1.7％和1.8％,测量结果与参考值在不确定度范围内符合.研究表明,本方法可快速、准确、高精度地测定铀颗粒物中铀全同位素比值.     

大尺寸电磁加热的氮化物MOCVD反应室温度场的仿真与优化

本文通过对电磁加热八英寸晶片的立式氮化物MOCVD反应室建立数学模型,利用有限元法,对传统的加热结构进行了优化.为提高晶片温度分布的均匀性,本文提出了矩形槽和圆环段形槽两种不同槽结构的基座,通过对这两种槽结构基座的优化分析发现,与传统用的基座相比,这两种槽结构的基座改变了传统基座中的传热方式和不同方向的传热速率,从而提高了晶片温度分布的均匀性,这有利于提高薄膜生长的质量.     

星上电缆自动导通绝缘测试仪的设计与开发

星上电缆在航天器系统工程中起到了传递能量和信息的关键作用,并且其上天后具有不可修复性,这就决定了它在电性能检测方面必须做到高质量与高可靠。本文针对传统人工方式进行导通绝缘测试时工作强度大、检测效率低下和可信度低等缺点,设计并开发了一种星上电缆自动导通绝缘测试仪。该仪器基于模块化设计的思想采用中央控制器对各个模块单元进行控制来分别实现测试通道自动切换、测试电压的供给、星上电缆导通绝缘电阻的数据采集、通讯、存储和显示。实践结果表明,星上电缆自动导通绝缘测试仪一方面可以提高电缆导通绝缘测试的可靠性,增强质量控制;另一方面,可以提高效率,节省生产周期,降低劳动强度。     

用于原子能级结构研究的激光共振电离光谱系统

激光共振电离光谱技术是一种利用一路或多路激光将待测原子选择性共振激发与电离,通过测量离子信号来研究原子能级结构的光谱技术。研建了一套激光共振电离光谱装置,用于原子高激发态能级结构参数的测量。分别从该装置的总体结构、关键技术和应用实例等方面进行了详细介绍。该套装置主要包括高调谐精度的染料激光器系统、高效的激光离子源系统和高分辨率的飞行时间质量分析器。染料激光器系统包括3台多纵模可调谐染料激光器和1台单纵模可调谐染料激光器,均为脉冲工作方式,重复频率为10 kHz,泵浦源均为532 nm的Nd∶YAG固体激光器。激光离子源系统包括原子化源、激光与原子相互作用区和离子光学透镜组三部分组成,样品在原子化源中被电加热实现原子化,喷射出的原子被激光选择性激发、电离,产生的离子被离子传输透镜整形成能量分散小、束窄的离子束。飞行时间质量分析器采用了反射式结构设计、脉冲垂直推斥技术和偏转板调节技术。利用此装置,实验测定了U原子的自电离态光谱,获得了U原子一条较佳的三色三光子共振电离路径,对应激光的波长分别为591.7,565.0和632.4 nm。此系统还可用于测量同位素位移和原子超精细结构等参数。另外,由于此系统中联用了质量分析器,因此可用于样品多元素分析、痕量元素分析、同位素丰度分析。     

“硼铜铸铁榨辊”的正交试验设计

云南地处亚热带,盛产甘蔗,糖厂榨机的主要部件榨辊是易损件;制糖工业又是季节性、时间性很强的工业,榨糖季节停机一分钟直接间接损失达152元,因此提高榨辊的耐磨性、抗拉强度、耐腐蚀性、持蔗力,这在讲究经济效益的今天具有重大经济意义。生产榨辊时,为提高以上各项指标,要加入多种合金.根据工作的条件,又只能在冲天炉中进行试验,由于熔炼一炉铁水时间较长,数吨铁水的成本也是可观的,因此要求试验次数尽可能少,代表性要强,我们决定采用正交试验法设计试验配方。经过对原榨辊的配方、工艺进行了分析,我们考虑突破传统材料的基础,采用多元微合金化的方法,改变硬质相,以新的硬质相代替现有的磷共晶,提出了新材质的配方的初步设想,根     

荷叶碱的电化学行为研究及分析应用

本文详细研究了荷叶碱在玻碳电极上的电化学氧化行为。在pH=5.5的B-R缓冲溶液中,用微分脉冲伏安法测定,荷叶碱于＋0.87V（vs.SCE）左右产生一个灵敏的氧化峰,峰电流与荷叶碱的浓度在0.25-30.0μg／mL的范围内呈良好线性关系,检出限为0.05μg／mL。该方法用于荷叶中总生物碱含量的测定,平均回收率为91.5％。此外对荷叶碱的电化学氧化机理进行了探讨。     

镥的激光共振电离同位素选择性研究

本文在速率方程基础上通过数值模拟方法 ,对镥的激光共振电离通道 :5d6s2 2 D3 /2 (5 73.6 5 5nm)→5d6s6 p4F3 /2 (6 4 2 .5 18nm)→ 6s6 p2 4P1/2 (6 4 3.5 4 8nm)→Autoionizationstate的激光诱导同位素选择性进行了研究。在实际实验条件下用这一方法计算得到的激光波长对激光诱导同位素选择性的关系与实验结果相符合。探讨了在偏振激光作用的情况下各种激光参数 (波长、带宽和激光强度 )对激光诱导同位素选择性的影响 ,并提出了在一定实验条件下激光共振电离质谱计较为准确地测定同位素比值的方法。这一理论方法 ,同样适用于研究其它元素的激光共振电离同位素选择性和选择激光同位素分离电离通道     

GaN基蓝绿光LED电应力老化分析

对InGaN/GaN多量子阱蓝光和绿光LED进行了室温20,40,60 mA加速电流下的电应力老化研究,发现蓝光与绿光样品经过60 mA电流老化424 h后,其电学性能表现出一定的共性与差异性:在小测量电流下,绿光样品的光衰减幅度较蓝光样品大~9%;而在较大测量电流 (20 mA)下,两者的光衰减幅度基本相同 (18%)。同时,蓝绿光样品的正向电学性能随老化时间的变化幅度基本一致,反映出它们具有相似的退化机制,绿光样品老化后增多的缺陷大部分体现为简单的漏电行为,而并非贡献于非辐射复合中心。在此基础上对GaN基外延结构进行了优化,优化后的LED长期老化的光衰减幅度较参考样品降低了3%。     

积商求导公式与微分方程求解

对一些特殊类型的一阶或二阶微分方程,从其结构特点出发,联系积商求导公式,可减少求解步骤并降低计算量.     

多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性

通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞。PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。