AlGaN基宽禁带半导体光电材料与器件

AlGaN基材料是带隙可调的直接带隙宽禁带半导体材料,是制备紫外(UV)光电子器件的理想材料.经过数十年的研究,目前已经在异质衬底外延生长AlGaN基材料、高效掺杂等方面取得了巨大进展.以此为基础,AlGaN基紫外光电器件制备领域也得到长足发展.在本综述中,主要介绍了高质量AlGaN基材料的MOCVD外延生长方法、掺杂方法以及近年来在紫外发光、紫外探测器件方面取得的进展.     

Introducing voids around the interlayer of AlN by high temperature annealing

Introducing voids into AlN layer at a certain height using a simple method is meaningful but challenging. In this work, the AlN/sapphire template with AlN interlayer structure was designed and grown by metal-organic chemical vapor deposition. Then, the AlN template was annealed at 1700 ℃ for an hour to introduce the voids. It was found that voids were formed in the AlN layer after high-temperature annealing and they were mainly distributed around the AlN interlayer. Meanwhile, the dislocation density of the AlN template decreased from 5.26×10⁹ cm^-2 to 5.10×10⁸ cm^-2. This work provides a possible method to introduce voids into AlN layer at a designated height, which will benefit the design of AlN-based devices.     

小世界神经元网络随机共振现象:混合突触和部分时滞的影响

实际神经元网络中,信息传递时电突触和化学突触同时存在,并且有些神经元间的时滞很小可以忽略.本文构建了带有不同类型突触耦合的小世界网络,研究部分时滞、混合突触及噪声对随机共振的影响.结果表明:兴奋性和抑制性突触的比例影响共振的产生;在抑制性突触为主的网络里,几乎不产生随机共振.系统最佳噪声强度和化学突触比例大致呈线性递增关系;特别是在以化学耦合为主的混合突触网络里,仅当兴奋性突触与抑制性突触比例约为4:1时,噪声才可诱导网络产生共振行为.在此比例下,引入部分时滞发现时滞可诱导网络产生随机多共振,且随网络中时滞边比例的增加,系统响应强度达到最优水平的时滞取值区间逐渐变窄;同时发现,网络中含有的化学突触越多,部分时滞诱导产生的多共振行为越强.此外,当时滞为系统固有周期的整数倍时,时滞越大共振所对应的噪声区域越广;并且网络中时滞边越多,越容易促使噪声和时滞诱导其产生明显的共振行为.     

GaAs 微尖阵列的制备与场发射性能

利用选择液相外延的方法制备GaAs微尖阵列,通过扫描电子显微镜对微尖形貌进行了表征,并对此微尖阵列进行了场发射性能测试。结果表明,选择液相外延法制备的GaAs微尖呈金字塔状,两对面夹角为71°;微尖高度由生长窗口的尺寸决定,对底边为60μm的微尖,其高度约为42μm。此微尖阵列排列规则,具有场发射特性,开启电场约为5.1V/μm。发射电流稳定,当电场由8.0V/μm增加到11.9V/μm,发射电流由6μA增到74μA,在发射时间超过3h的情况下,电流波动不超过3%。另外,GaAs微尖阵列场发射的F-N曲线不为直线,分析表明是表面态和场渗透共同作用的结果。这对GaAs微尖阵列在场发射阴极方面的进一步研究具有重要的意义。     

异质神经元的排列对环形耦合神经元网络频率同步的影响

以一维环形耦合的非全同FitzHugh-Nagumo神经元网络为研究对象,讨论这种异质神经元在环上的不同排列对其频率同步的影响.研究结果显示,异质神经元的排列不同,对应的神经元网络达到频率同步所需的临界耦合强度也不完全相同.在平均意义下,异质性较小的神经元在环上的距离越近,神经元网络达到频率同步所需的临界耦合强度越大;相反,异质性较大的神经元在环上的距离越近,神经元网络达到同步所需的临界耦合强度越小.通过对频率同步过程的分析,进一步给出了产生这一现象的动力学机理.     

含有界随机参数的双势阱Duffing-van der Pol系统的倍周期分岔

讨论简谐激励作用下含有界随机参数的双势阱Duffing-van der Pol系统的倍周期分岔现象.首先用Chebyshev 多项式逼近法将随机Duffing-van der Pol系统化成与其等价的确定性系统，然后通过等价确定性系统来探索该系统的倍周期分岔现象.数值模拟显示随机Duffing-van der Pol 系统与均值参数系统有着类似的倍周期分岔行为，同时指出，随机参数系统的倍周期分岔有其自身独有的特点.文中的主要数值结果表明Chebyshev 多项式逼近法是研究非线性随机参数系统动力学问题的一种有效方法. 关键词： Chebyshev多项式 随机Duffing-van der Pol系统 倍周期分岔     

大孔吸附树脂X—5在萃取色层中的应用(Ⅰ)——水中痕量镉的测定

大孔吸咐树脂x—5对有机萃取卉咤双硫—甲基异丁基酮(MIBK)有良好的吸咐性能。该树脂吸咐上述有机萃取剂后可作为萃取色层柱的固定相,在pH6～8的条件下,以柠檬酸铵为掩蔽剂,抗坏血酸为保护剂可对水中痕量镉进行富集、分离,然后用0.5M盐酸洗脱,进行原子吸收测定。本文研究了该色层柱的制备、性能、吸咐容量、最佳分离条件及共存离子的干扰,方法可用于环境水质和饮用水中痕量镉的监测,精密度优于5％,回收率为97～103％,水中常见的十三种共存离子不干扰测定。     

随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌控制

讨论了具有有界随机参数的随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象，并利用噪声对其进行控制.首先运用Chebyshev多项式逼近的方法，将随机Bonhoeffer-Van der Pol系统转化为等价的确定性系统，使原系统的随机混沌控制问题转换为等价的确定性系统的确定性混沌控制问题，继而可用Lyapunov指数指标来研究等价确定性系统的确定性混沌现象和控制问题.数值结果表明，随机Bonhoeffer-Van der Pol系统的随机混沌现象与相应的确定性Bonhoeffer-Van der Pol系统极为相似.利用噪声控制法可将混沌控制到周期轨道，但是在随机参数及其强度的影响下也呈现出一些特点.     

锌族和钛族卤化物振动光谱的理论计算

采用ab initio RHF,MP2和B3LYP方法以及LanL2DZ和SDD基组计算了四面体锌族卤素阴离子化合物(MX₄^2-,M=Zn(Ⅱ),Cd(Ⅱ),Hg(Ⅱ);X=F^-,Cl^-,Br^-,I^-)和钛族卤化物(MX₄,M=Ti(Ⅳ),Zr(Ⅳ),Hf(Ⅳ);X=F^-,Cl^-,Br^-,I^-)的几何构型和振动频率。计算结果表明,LanL2DZ基组是合适的基组,能得到合理的电荷分布,几何参数以及振动频率。在锌族卤化物的计算中发现,角弯曲振动频率与实测值相当一致,键伸缩振动频率略为偏低,这主要是由于计算的键长略为偏长所致。MP2方法计算的振动频率更接近于实测值。在钛族卤化物的计算中,三种计算方法都相当地再现了实测值,而以B3LYP方法更为满意。     

烷基醇聚氧乙烯醚中二噁烷的测定

 采用顶空气相色谱法测定了烷基醇聚氧乙烯醚中的二口恶烷。研究了顶空条件，标准曲线的相关系数为０．９９８９，检出限为２０μｇ／Ｌ，回收率为９１．６％～９７．６％，相对标准偏差小于２．５％。