| 多层GaSb(QDs)/GaAs生长中量子点的聚集及发光特性 |
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| 作者姓名： | 竹敏 宋航 蒋红 缪国庆 黎大兵 李志明 孙晓娟 陈一仁 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春130033;中国科学院研究生院,北京100039;中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室,吉林长春,130033 |
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| 基金项目： | 中科院知识创新工程资助项目 |
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| 摘 要： | 通过对多层GaSb量子点的生长研究,发现随着生长层数的增加,量子点尺寸逐渐变大,密度没有明显变化,并且量子点出现了聚集现象;当层数增加到一定数量、量子点聚集到一定大小时,聚集的量子点处会出现空洞。这些现象表明,各层量子点在生长过程中存在关联效应,并且GaAs层不能很好地覆盖在聚集的量子点之上,在继续生长其它量子点层时,聚集的量子点处在高温下出现GaSb的蒸发,从而出现空洞。PL谱出现了很宽的量子点发光峰,这很可能是由于多层量子点在生长时大小分布较宽而导致的结果。
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| 关 键 词： | LP-MOCVD GaSb量子点 PL谱 关联效应 |
| 收稿时间： | 2010-06-25 |
| 修稿时间： | 2010-08-24 |
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