烯丙基硫脲和十二烷基硫醇对铜的缓蚀作用

用自组装技术在铜电极表面上制备了纯烯丙基硫服自组装膜，并以十二烷基硫 醇进一步修饰得到混合自组装膜。最后，将混合膜覆盖的铜电极浸入NaCl溶液中， 进行交流电处理，电化学交流阻抗谱和极化曲线测定表明，经过交流电处理后，在 0．5mol·dm^-3 NaCl溶液中，电荷传递电阻增大，腐蚀电流密度下降，膜的最大 覆盖度为98．6％，对金属铜腐蚀的续蚀效率为98．5％。而且，不论交流电处理与 否，混合自组装膜在较宽的电极电位范围内均表现出很强的稳定性。     

相转移方法制备银纳米粒子单层膜

在油酸钠保护下用NaBH_4还原AgNO_3，制得了银纳料粒子胶体溶液。利用相转 移剂NaH_2PO_4等，使Ag纳料粒子在水／朋机相界面之间形成薄膜。形成的Ag纳料 粒子膜可以转移到玻璃等基质上，讨论了其转移机理；并用石英晶体微天平（QCM ）宣检测了银纳料粒子的相转移量。     

金属表面自组装缓蚀功能分子膜*

本文总结了近年来自组装单分子膜技术在金属腐蚀与防护领域中的应用,重点介绍了几类比较成熟的自组装体系,评价了几种常用的表征技术,概括了近年来本课题组在该研究领域中的一些成果,并对自组装技术今后的发展作了预测。     

Ni-P@g-C3N4复合材料的合成与可见光催化性能

以三聚氰胺为前驱体,采用两步热聚合法,制备了一系列石墨相氮化碳(g-C₃N₄)基光催化复合材料。通过X-射线衍射光谱(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、N₂吸附、光致荧光光谱(PL)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)和电化学阻抗谱(EIS)等表征了其结构与光电特性。结果发现,Ni-P共掺杂可以有效改善g-C₃N₄的可见光吸收性能,减小其电化学阻抗,抑制光生载流子的复合。以可见光条件下降解亚甲基蓝(MB)溶液为探针反应研究了Ni-P@g-C₃N₄复合材料的光催化降解性能。结果表明,照射120分钟1.5%Ni/P-CN复合材料对MB的降解率为61.7%,速率常数为0.00785 min^-1,是纯g-C₃N₄的两倍。反应体系的主要活性物种为超氧自由基(·O₂^-)。经过简单处理催化剂可重复使用3次以上且活性保持稳定。     

Sm2O3掺杂金属陶瓷惰性阳极的制备及性能研究

采用氧化铝-金属复合材料,适量掺杂稀土金属氧化物（Sm2O3）,制备一种新型铝电解用氧化铝基金属陶瓷惰性阳极,并对添加稀土氧化物的材料综合性能进行了研究.结果表明： 添加稀土氧化物的试样晶粒生长完整,致密度高,耐高温和抗冰晶石熔盐腐蚀性能良好,年平均腐蚀速率为12.27 mm; 导电性能稳定、良好,其电导率随温度的升高而增大,具有半导体的导电性质,850 ℃时测得添加稀土氧化物的试样电导率为63 S·cm^-1.     

MnO2掺杂金属陶瓷惰性阳极的制备及性能研究

以氧化铝-金属复合材料为基质, 通过掺杂MnO2制备一种新型电解铝所用的陶瓷惰性阳极, 并对添加MnO2的阳极材料的综合性能进行了考察. 研究了MnO2对烧结性能的影响, 并对样品进行了静态腐蚀实验的研究, 测定了样品在500~1000 ℃下电导率随温度的变化. 研究结果表明, 添加MnO2有利于材料烧结且能改善材料的物化性能: 烧结样品晶粒生长完整, 致密度高; 耐高温和抗冰晶石熔盐腐蚀性能好, 平均腐蚀速率降为12.32 mm/year; 导电性能稳定、良好, 具有半导体的导电性质, 电导率随温度的升高而增大, 测得850 ℃时样品的电导率为67 S/cm.     

半导体可饱和吸收镜作为被动调Q吸收体的发展状况

简介了近年来发展起来的若干种新型固体激光器被动调Q用吸收体：掺Cr4+系列，Cr，Nd∶YAG自调Q激光晶体，人眼安全激光器被动调Q用吸收体，GaAs吸收体，半导体可饱和吸收镜。着重介绍了固体激光器和光纤激光器调Q用半导体可饱和吸收镜的原理、研制方法及应用状况。