超强碱K_2O对甲苯甲醇侧链烷基化反应的影响（英文）

采用离子交换法、浸渍法和焙烧分解法制备了x%K2O/KLSX(x=0,1,2,3,4)催化剂,KLSX上的超强碱性位K2O通过KNO3分解制得.考察了x%K2O/KLSX的甲苯甲醇侧链烷基化反应催化性能及超强碱性位K2O对反应的影响.超强碱性位K2O可以更好的极化甲苯甲基,以及催化甲醇转化为烷基化中间体,甚至完全分解为CO和H2.KLSX和1%K2O/KLSX因碱性较弱所以活性较低,3%K2O/KLSX和4%K2O/KLSX因含超强碱性位太多和可利用L酸性位太少,其活性也很低.相比之下,2%K2O/KLSX具有足够量的弱L酸位来吸附甲苯,以及适当强度的碱性位来转化甲醇和活化甲苯甲基,因此具有较高的催化甲苯甲醇侧链烷基化反应活性.     

镜面起伏对1.55μm Si基MEMS光滤波器的影响

用传输矩阵方法,在简化的光学模型基础上,分别讨论了分布式Bragg反射镜DBR(Distributed Bragg Reflector)的生长精度及镜面起伏对1.55 μm Si基MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)可调谐光滤波器透射谱的影响.计算表明:DBR生长误差仅使主透射峰位置发生变化,而镜面起伏是导致主透射峰性能劣化的主要原因,它使得FWHM增大,透射峰强度下降.理论计算结果能较好地解释实验现像.在此基础上,进一步讨论了引起镜面起伏的多种原因,并提出了可能的解决方法.     

氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关

研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流予注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3um,注入电流为32mAT得到光开关反射端消光比为18dB,无注入时的关态串话为-19dB.     

酸碱改性HZSM-5分子筛上甲醇制取均四甲苯的研究

对HZSM-5分子筛进行"酸碱两步改性",制备得到了H(0.2)-Na-ZSM-5、H(0.5)-Na-ZSM-5、H(0.2)-K-ZSM-5和H(0.5)-K-ZSM-5四种催化剂。通过XRD、NH₃-TPD、ICP、FT-IR与Py-IR方法对催化剂进行表征,并在连续流动固定床反应装置上对催化剂进行评价。实验结果表明,H(0.2)-K-ZSM-5催化剂由于其孔径变大、弱的B酸量增多,从而提高了均四甲苯的选择性。     

改性HZSM-5催化剂上苯与乙醇烷基化反应的研究

采用离子交换方法,用硫酸铁、硝酸镍、硫酸钛对HZSM-5分子筛进行改性,得到三种不同金属改性的催化剂;通过XRD、ICP、BET、NH3-TPD、Py-IR对催化剂进行了表征,并在连续流动固定床反应装置上进行了活性评价。相同方法改性后钛的负载量最大,酸性变化不大;铁负载量次之,弱酸和中强酸量增加;镍的负载量最少,酸强度降低最多,孔径最小。反应评价结果表明,改性后的催化剂同未改性的相比苯的转化率增加,乙苯选择性略有降低,乙苯产率增加,其中铁、钛改性后的分子筛乙醇利用率增加。综合考虑,铁和钛是比较合适的改性元素。     

GaZSM-5分子筛的合成、表征及其在甲醇转化制烃(MTH)反应中的催化性能

通过水热合成法制得不同硅镓比的GaZSM-5分子筛,经酸交换后压片成型,得到甲醇转化制烃类的Ga ZSM-5催化剂。采用XRD、SEM、FT-IR、XPS、ICP、低温氮气吸附-脱附、NH_3-TPD和Py-FTIR技术对其进行了表征,并在连续流动固定床反应器上进行MTH反应性能评价。结果表明,分子筛中Ga物种主要以骨架Ga和骨架外表面游离态的Ga2O3两种状态存在。凝胶Si O2/Ga_2O_3配比为60合成所得GaZSM-5分子筛催化剂酸性适中,酸量为0.62 mmol NH_3/g,B酸和L酸比值为4.88,形成较大的晶间介孔孔容,达到0.51 cm~3/g;具有高的M TH活性稳定性,在相同评价条件下,催化剂寿命最高可达到456 h。与Al ZSM-5相比,Ga ZSM-5的酸性弱,能够抑制积炭生成;纳米GaZSM-5的晶间介孔改善了扩散性能,进一步提高反应活性稳定性,催化剂寿命延长120 h。     

1.55-μm Si-based MOEMS optical tunable filter

A prototype 1.55-μm Si-based micro-opto-electro-mechanical-systems (MOEMS) tunable filter is fabricated, employing surface micromachining technology. Full-width-at-half-maximum (FWHM) of the transmission spectrum is 23 nm. The tuning range is 30 nm under 50-V applied voltage. The device can be readily integrated with resonant cavity enhanced (RCE) detector and vertical cavity surface emitting laser (VCSEL) to fabricate tunable active devices.