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EXAFS研究Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化 总被引:1,自引:0,他引:1
采用同步辐射EXAFS技术定量地研究化学还原法制备的Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中Ni原子的局域环境结构随退火温度升高而产生的变化,结果表明,对于Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金初始样品:Ni-Ni最邻近配位壳层的平均键长RNi-Ni、配位数N、热无序σT、结构无序σs分别为0.275nm,11.9.0.0069nm,0.034nm;0.276nm,12.4,0.0067nm,0.035nm,Ni-B最邻近配位壳层的RNi-B,N, σT,σs分别为0.215nm,2.7,0.0055nm,0.0048nm;0.214nm,2.0,0.0058nm,0.0042nm,Ni-Ni配位的σs很大,是其σT的4-5倍,比Ni-B配位的σs大近一个数量级,在300℃退火后,Ni-B样品开始发生晶化生成晶态Ni3B,其RNi-Ni和σs分别为0.254nm和0.011nm,σs降低近2倍;而.3%原子比的Ce掺入后使Ni-Ce-B超细非晶态合金的晶化温度升高100℃左右。在500℃退火后,Ni-B样品的结构参数与Ni箔的相近,但Ni-Ce-B样品中的Ni-Ni配位的σs仍为0.0073nm,Ni-B配位的N为1.2,表明稀土元素Ce(以CeO2)显著增强了Ni与B的相互作用,且同时使退火晶化成的Ni晶结构产生畸变。 相似文献
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利用X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究机械合金化制备的Fe100-xCux(x=0,10,20,40,60,70,80,100,x为原子百分比)合金中Fe和Cu原子的局域环境结构.对于Fe100-xCux(x≥40)二元混合物,球磨160h后,Fe原子的近邻配位结构从bcc转变为fcc,但Cu原子的近邻结构保持其fcc不变.与之相反,在Fe80Cu20和Fe90Cu10(x≤20)合金中,Fe原子的近邻配位保持其bcc结构而Cu原子的近邻配位结构从fcc转变为bcc结构.XAFS结果还表明,fcc结构的Fe100-xCux样品中Fe的无序因子σ(0.0099nm)比bcc结构的Fe100-xCux中的σ(0.0081nm)大得多;并且在机械合金化Fe100-xCux(x≥40)样品中Fe原子的σ(0.0099nm)比其Cu原子的σ(0.0089nm)大.这表明机械合金化Fe100-xCux样品中Fe和Cu原子可以有相同的局域结构环境但不是均匀的过饱和固溶体,而是由Fe富集区和Cu富集区组成的合金.我们提出互扩散和诱导相变机理来解释在球磨过程中Fe100-xCux合金产生从bcc到fcc和从fcc到bcc变化的结构相变
关键词:
XAFS
100-xCux合金')" href="#">Fe100-xCux合金
机械合金化 相似文献
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同步辐射EXAFS研究FeCl3溶液中Fe离子的区域结构 总被引:1,自引:0,他引:1
EXAFS研究FeCl3溶液中Fe^3+的区域环境结构随溶液浓度的变化,Fe^3+的径向结构函数表明,随着FeCl3溶液的浓度降低,第一配位峰的距离逐渐缩短,当溶液浓度从3.0mol/L降到0.2mol/L时,配位距离减小到0.014nm,但振幅峰强度以0.8mol/L浓度为最小,其强度比浓的或稀的FeCl3溶液的低约30%,结构参数拟合结果表明,0.2ml/L,FeCl3稀溶液中Fe^3+的近邻 相似文献
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Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金的退火晶化及其催化性能 总被引:2,自引:0,他引:2
采用XAFS,XRD和DTA方法研究了Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金在退火过程中的结构变化及其结构与催化性能的关系.活性结果表明,在退火温度为623K时,Ni-B和Ni-Ce-B样品的苯加氢催化反应转化率最高,分别为63%和81%,0.3%Ce的掺入提高了Ni-Ce-B的催化活性.DTA结果表明,Ni-B超细非晶态合金在598和653K有两个晶化峰,而Ni-Ce-B样品有548,603,696和801K四个晶化峰.XAFS和XRD结果进一步说明,在573K退火时,Ni-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni,此时Ni-Ce-B仅有少量晶态Ni3B生成.在673K退火时,Ni-B样品中的Ni3B开始分解生成晶态Ni,同时纳米晶Ni聚集并形成大颗粒晶态Ni,而Ni-Ce-B样品晶化生成晶态Ni3B和纳米晶Ni.在773K和更高的温度退火处理后,Ni-B样品中Ni的局域环境结构与金属Ni箔基本一致,但Ni-Ce-B样品晶化生成的Ni晶格有较大畸变,同时Ni3B并未分解.说明0.3%的Ce对提高Ni-Ce-B样品的稳定性有显著作用.本文首次报道了Ni-B和Ni-Ce-B超细非晶态合金中苯加氢催化活性中心为纳米晶Ni和类似于金属Ni的Ni-B非晶态合金. 相似文献
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利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO2介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO2介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰
强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的. 相似文献
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利用XRD和XAFS方法研究机械合金化Fe70Cu30二元金属合金随球磨时间的结构变化.XRD结果表明,球磨2 h后,部分金属Fe与Cu生成Fe-Cu合金;球磨20h后,金属Fe与Cu已完全合金化生成Fe-Cu合金,并只在2θ=44°处出现一个宽化的弱衍射峰,认为是在球磨20h后的Fe70Cu30合金中共存着fcc和bcc结构的Fe-Cu合金相.XAFS结果进一步表明,在球磨的初始阶段(2h),fcc结构的Cu颗粒的晶
关键词:
XAFS
XRD
70Cu30合金')" href="#">Fe70Cu30合金
机械合金化 相似文献
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利用X 射线衍射(XRD)和X射线吸收精细结构(XAFS)方法研究了磁控共溅射方法制备的MnxGe1-x薄膜样品的结构随掺杂磁性原子Mn含量的变化规律.XRD结果表明,在Mn的含量较低(7.0%)的Mn0.07Ge0.93样品中,只能观察到对应于多晶Ge的XRD衍射峰,而对Mn含量较高(25.0%, 36.0%)的Mn0.25Ge0.75和Mn关键词:
磁控溅射
XRD
XAFS
xGe1-x稀磁半导体薄膜')" href="#">MnxGe1-x稀磁半导体薄膜 相似文献