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1.
瀑布沟水电站库首右岸深部裂缝成因分析   总被引:4,自引:0,他引:4  
陈鸿  赵其华  陈卫东 《力学学报》2005,13(3):289-293
水电工程常常建在高山峡谷地带,其天然岸坡通常由坡面向内有一个强卸荷带和弱卸荷带以及相应的强风化和弱风化带,内侧则为完整新鲜的岩石。对涉及的工程岸坡在正常卸荷带以内发育的一系列张性破裂或破裂带,称之为“深拉裂缝”。瀑布沟水电站库首右岸存在两个拉裂变形体,通过对其岸坡深部拉裂缝空间发育分布、变形特征的考察,综合分析造成深部裂缝发育规律与变形特征的因素。在此基础上提出,库首右岸深部拉裂缝是岸坡快速卸荷条件下浅表生改造的产物,其形成时期相当于河谷由宽谷深切为峡谷这一转换时期。  相似文献   
2.
采用中红外波段连续可调谐二极管激光器和自行研制的低温吸收池, 测量了温度为296 K, 252 K, 213 K, 173 K时, 3.38 μm附近13CH4分子的四条跃迁谱线的氮气和空气加宽光谱; 首次通过实验获得空气和氮气对13CH4分子的碰撞加宽系数, 以及谱线加宽系数的温度依赖系数. 实验过程中, 利用Voigt线型对所测量的光谱进行拟合. 实验结果表明, 氮气和空气对13CH4分子的碰撞诱导加宽系数随温度的降低而增大; 相同温度下, 氮气对13CH4分子的碰撞加宽系数普遍大于空气加宽系数. 实验数据为地球和外星体大气遥感探测提供了依据.  相似文献   
3.
4.
设计并合成了4个对称联苯双酯类液晶化合物,化合物结构通过红外和核磁表征,它们的介晶性通过差示扫描量热仪(DSC),X射线衍射仪(XRD)和热台偏光显微镜(POM)进行了研究.并测定了4,4'-3,3',5,5'-四甲基联苯-二(4-甲基苯甲酸酯)(Ⅲa)的单晶结构,结果显示:晶体属于单斜晶系,P21/c空间群,晶胞参数为a=18.525(3)(A),b=12.196(2)(A),c=12.195(2)(A),β=97.142(2)°,V=2733.7(9)(A)3,Z=4,Dc=1.163 Mg/m3,R=0.0521,Rw=0.1161.化合物均为热致型互变液晶,并讨论了氧原子、不饱和端基和端基链长对介晶性的影响.  相似文献   
5.
采用高效液相色谱法测定咪唑中2-甲基咪唑和4-甲基咪唑的含量。采用XDB C18色谱柱为分离柱,以pH 3.5的0.05mol·L-1磷酸二氢钾缓冲溶液与甲醇以体积比95比5组成的混合溶液为流动相,流量为1.0mL·min-1,在波长210nm处进行二极管阵列检测。2-甲基咪唑和4-甲基咪唑均在0.10~25.0mg·L-1范围内与其峰面积呈线性关系,检出限(3S/N)分别为20,40mg·kg-1。在1.00,5.00,20.0mg·L-1 3个浓度水平进行加标回收试验,回收率在89.0%~103%之间,测定值的相对标准偏差(n=7)在0.58%~3.0%之间。  相似文献   
6.
IntroductionChaplyginpointedoutthatLindel fmadeabigmistakeinhispaper“Rollingofrotatingbodyonhorizontalplane” (ActaSocietatisScientiarumFennicae ,Vol.2 0 ,No .3 ) [1].ItwascalledLindel f’smistake .Inthelasthundredyears,nobodyputforwardLindel f’swork .However,Chaply…  相似文献   
7.
陈卫东  杨蓉 《分析化学》1994,22(12):1223-1225
本报道用了2,6-二氯-4-溴偶氮胂作显色剂测定微量铀(Ⅵ)的光度法。在H2SO4介质中,铀(Ⅵ与)2,6-二氯-4-溴偶氮胂形成1:2络合物,其λmax=640nm;表观摩尔吸光系数为1.1×10^5L.mol^-^1.cm^-^1;铀的浓度在0.0-22.0μg/ml内符合比耳定律。方法具有灵敏度高,选择性好,操作方便等特点并已用于废水及矿样中微量铀(Ⅵ)的测定。  相似文献   
8.
初步探讨和分析几种实际典型场景目标与背景的特征,提出相应的目标分割算法,并对几种方法加以融合。实际跟踪算法中,实现目标分割方法的自动转换.自动调整自适应分割门限及搜索方案.实验表明,该算法转换灵活,跟踪平稳。自适应能力强,抗干扰性能好.易于软件实现.  相似文献   
9.
 研究了高效液相色谱-气相色谱(HPLC-GC)联用技术及其应用。采用正相微柱HPLC-GC联用及完全溶剂蒸发方式,分析了煤焦油馏分──蒽油,显示了微柱HPLC-GC联用的应用潜力。采用正相HPLC-GC联用结合反冲技术,分离了重质石油中的饱和烃、芳烃和极性化合物(含氮化合物等)。  相似文献   
10.
Si/SiNx/SiO2多层膜的光致发光   总被引:1,自引:0,他引:1  
采用射频磁控溅射法,制备了具有强光致可见发光的纳米Si/SiNx/SiO2多层膜,利用傅立叶红外吸收(FTIR)谱,光致发光(PL)谱对其进行了研究。用260nm光激发得到的PL谱中观察到高强度的392nm(3.2eV)和670nm(1.9eV)光致发光峰,分析认为它们分别来自于缺陷态≡Si-到价带顶和从导带底到缺陷态≡Si-的辐射跃迁而产生的光致激发辐射复合发光。PL谱中只有370nm(3.4eV)处发光峰的峰位会受退火温度的影响,结合FTIR谱认为370nm发光与低价氧化物—SiOx(x<2.0)结合体有密不可分的关系。当SiO2层的厚度增大时,发光强度有所增强,800℃退火后出现最强发光,认为具有较大SiO2层厚度的Si/SiNx/SiO2结构多层膜更有利于退火后形成Si—N网络,能够得到更高效的光致发光。用量子限制-发光中心(QCLC)模型解释了可能的发光机制,并建立了发光的能隙态(EGS)模型。  相似文献   
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