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1.
利用等离子增强原子层沉积技术(PEALD)在c面蓝宝石衬底上制备了氧化镓(Ga2O3)薄膜,研究了退火气氛(v(N2)∶v(O2)=1∶1(体积比)、空气和N2)及退火时间对Ga2O3薄膜晶体结构、表面形貌和光学性质的影响。研究结果表明,退火前的氧化镓处于亚稳态,不同退火气氛下退火后晶体结构发生明显改变,而且退火气氛中N2比例增加有利于Ga2O3重结晶。在N2气氛下退火达到30 min,薄膜结构已由亚稳态转变成择优取向的β-Ga2O3。而且表面形貌分析表明,退火30 min后表面形貌开始趋于稳定,表面晶粒密度不再增加。另外实验样品在 400~800 nm的平均透射率几乎是100%,且光吸收边陡峭。采用N2气氛退火,对于富氧环境下沉积的Ga2O3更利于薄膜表面原子迁移,以及择优取向Ga2O3重结晶。 相似文献
3.
设计了由超大口径前置望远系统和超大视场光谱仪组成的超大口径高光谱海洋水色仪.前置望远系统采用同轴三反光学系统结构,口径为4 m,视场为0.64°,焦距为21.6 m,波段范围为400~1 000nm.超大视场光谱仪采用改进的Offner结构,视场为240mm,光谱分辨率为10nm.探测器像元尺寸为15μm×15μm,4片探测器交错拼接实现400km幅宽.超大视场光谱仪在400~1 000nm的宽波段内,点列图半径的均方根值均小于3.9μm,静止轨道高光谱海洋水色仪全系统不同波长的MTF在33.3lp/mm处大于0.52,各项指标均满足应用要求. 相似文献
4.
本文采用导模法生长技术,成功制备了高质量掺Si氧化镓(β-Ga2O3)单晶,掺杂浓度为2×1018 cm-3.晶体呈现淡蓝色,通过劳厄衍射、阴极荧光(CL)及拉曼测试对晶体的基本性质进行了表征,结果表明晶体质量良好.紫外透过光谱证明该晶体的禁带宽度约为4.71 eV.此外,在剥离衬底上,采用电子束蒸发、光刻和显影技术制备了垂直结构的肖特基二极管,平均击穿场强EAva为2.1 MV/cm,导通电阻3 mΩ·cm2,展示了优异性能. 相似文献
5.
6.
碳化硅功率MOSFET是宽禁带功率半导体器件的典型代表,具有优异的电气性能。基于低温环境下的应用需求,研究了1200 V碳化硅功率MOSFET在77.7 K至300 K温区的静/动态特性,定性分析了温度对碳化硅功率MOSFET性能的影响。实验结果显示,温度从300 K降低至77.7 K时,阈值电压上升177.24%,漏-源极击穿电压降低32.99%,栅极泄漏电流降低82.51%,导通电阻升高1142.28%,零栅压漏电流降低89.84%(300 K至125 K)。双脉冲测试显示,开通时间增大8.59%,关断时间降低16.86%,开关损耗增加48%。分析发现,碳化硅功率MOSFET较高的界面态密度和较差的沟道迁移率,是导致其在低温下性能劣化的主要原因。 相似文献
7.
8.
<正>1 项目主题内容分析本项目是对人教版化学选修3的第3章“研究与实践——自制肥皂”的二次开发。在此基础上结合高中物理、生物中关于表面张力、细胞膜的结构模型知识,设计“探究如何吹出更多的泡泡”项目主题。通过 “分析泡泡的形成原理”“探究泡泡水的制备方法”“优化泡泡水的配方”等3个子任务,帮助学生将性质反应与结构组成密切关联起来,进一步深化“结构决定性质,性质决定用途”的化学思想;在实验过程中体会控制变量思想在科学探究中的重要作用, 相似文献
9.
研究超声-微波协同法提取金线莲中的天麻素和天麻苷元,并对提取条件进行了优化.应用高效液相-二极管阵列检测法分析提取物中的天麻素和天麻苷元.研究结果表明:金线莲中天麻素、天麻苷元和其他杂质成分能够很好的分离,且两者的含量分别为1.430及0.562 mg/g,相对标准偏差为0.94%和0.25%.方法准确、快速、灵敏度高、重现性好. 相似文献
10.
NiP和MoS催化剂在二苯并噻吩加氢脱硫反应中的氢溢流效应 《燃料化学学报》2015,43(6):708-713
对分层装填的Ni2P//MoS2催化剂上的二苯并噻吩加氢脱硫反应进行了研究。结果表明,分层装填的Ni2P/Al2O3和MoS2/Al2O3催化剂在二苯并噻吩加氢脱硫反应中存在氢溢流效应,氢溢流有助于提高MoS2催化剂的活性位密度和加氢脱硫反应速率。由于Ni2P比NiSx具有更强的氢分子解离能力,Ni2P//MoS2催化体系的氢溢流因子略高于NiSx//MoS2;相对于NiSx,Ni2P对MoS2催化剂是更好的助剂。 相似文献